陈振
- 作品数：26 被引量：19H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学生物学更多>>
- 铟镓氮薄膜的光电特性被引量：5
- 2002年
- 用金属有机物气相外延设备 ,在氮化镓 /蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜 ,并对其进行了 X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试 .确定该薄膜为单晶 ,其中 In组分可以从 0增加到 0 .2 6 ;在光致激发下发光光谱为单峰 ,且峰值波长在 36 0～ 5 5 5 nm范围内可调 ;其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合 ;并具有很高的电子浓度 .但 In Ga N薄膜的结晶质量却随着
- 韩培德刘祥林王晓晖袁海荣陈振李昱峰陆沅汪度陆大成王占国
- 关键词：MOVPE光电特性
- 一种制作白光发光二极管的方法
- 本发明一种制作白光发光二极管的方法，该方法包括如下制备步骤：(1)选择衬底材料，在该衬底上外延生长氮化镓基材料作为下一步的衬底；(2)对氮化镓基材料表面进行钝化；(3)在上述衬底上生长一层氮化镓基量子点作为诱导层；(4)...
- 陈振韩培德陆大成刘祥林王晓晖朱勤生王占国
- 文献传递
- 半导体纳米结构及其制作方法
- 一种半导体纳米结构，包括：一衬底作为半导体器件的承载体；一半导体缓冲层，通过外延生长技术形成在衬底上，起到缓冲衬底和其他层之间应力的作用；一半导体模板层，通过外延生长技术形成在半导体缓冲层上，作为支撑模板；一钝化层，通过...
- 陈振
- 文献传递
- 三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)被引量：1
- 2001年
- 采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量。对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明 :不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式。根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型。
- 陈振袁海荣陆大成王晓晖刘祥林韩培德汪度王占国
- 关键词：GAN缓冲层MOVPE
- 在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
- 2001年
- 报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合。通过与形貌特征的对比 ,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌 ,可以用多峰高斯分布拟和 ;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜 ,可以用单峰高斯分布拟和。
- 袁海荣陈振陆大成刘祥林韩培德王晓晖汪度
- 关键词：GAN外延层
- 新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究
- 2003年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生长出多层InGaN/GaN量子点。这种方法是对GaN表面进行钝化并在低温下生长,从而增加表面吸附原子的迁移势垒。采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点。从量子点样品的I-V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的共振隧穿。
- 曲宝壮朱勤生陈振陆大成韩培德刘祥林王晓晖孙学浩李昱峰陆沅黎大兵王占国
- 关键词：量子点MOCVD共振隧穿INGAN/GAN
- 在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
- 2001年
- 报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合。通过与形貌特征的对比 ,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌 ,可以用多峰高斯分布拟和 ;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜 ,可以用单峰高斯分布拟和。
- 袁海荣陈振陆大成刘祥林韩培德王晓晖汪度
- 关键词：GAN外延层
- 硅衬底上生长氮化镓外延材料的研究
- 用水平低压金属有机物气相外延(MOVPE)方法,在硅(Si)衬底和γ-AlO复合衬底上,生长了氮化镓(GaN)外延薄膜。双晶X射线衍射测量表明GaN(0002)衍射峰的半高宽为54弧分,表明GaN中存在严重的马赛克结构。...
- 刘祥林汪连山陈振袁海荣陆大成王晓晖汪度
- 关键词：GANSI衬底MOVPE
- 文献传递
- 铟镓氮薄膜的MOCVD生长
- 运用金属有机物气相外延设备,在氮化镓/蓝宝石复合衬底上外延生长铟镓氮薄膜,该薄膜为单晶,其中铟组份可调(从0到26﹪),且对应的峰值波长在360～555nm范围内变化;在光致激发下该薄膜实现了带边发光,但发光强度随着铟含...
- 韩培德陈振李昱峰刘祥林王晓晖袁海荣陆沅汪度陆大成
- 关键词：铟镓氮MOCVD晶体生长金属有机物气相外延
- 文献传递
- 黑曲霉诱变菌株产β-葡萄糖苷酶的酶学性质以及分离纯化的初步研究
- 本文利用实验室筛选得到的产β-葡萄糖苷酶的黑曲霉(Aspergillus niger)菌株Au0847 液体发酵所得的粗酶液,以水杨素为底物初步研究了该β-葡萄糖苷酶的酶学性质.研究结果表明,该酶最适反应温度为62.5℃...
- 刁金山陈振王丽郑之明
- 关键词：黑曲霉Β-葡萄糖苷酶酶学性质分离纯化
- 文献传递
