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下电极对ZnO薄膜电阻开关特性的影响被引量：5: 2013年; 本文采用直流磁控溅射法在三种不同的下电极(BEs)上制备了ZnO薄膜,获得了W/ZnO/BEs存储器结构.研究了不同的下电极材料对器件电阻开关特性的影响.研究结果表明,以不同下电极所制备的器件都具有单极性电阻开关特性.在低阻态时,ZnO薄膜的导电机理为欧姆传导,而高阻态时薄膜的导电机理为空间电荷限制电流.不同下电极与ZnO薄膜之间的肖特基势垒高度对电阻开关过程中的操作电压有较大的影响,并基于导电细丝模型对不同下电极上ZnO薄膜的低阻态阻值及reset电流的变化进行了解释.; 李红霞陈雪平陈琪毛启楠席俊华季振国; 关键词：ZNO薄膜电阻开关

基于SiO2薄膜ReRAM的制备及阻变特性研究: 存储器是各大电子产品的核心部件之一,随着科技的不断进步生活水平的不断提高,人们无疑对电子产品中使用的存储器的性能提出了跟高的要求,比如低功耗、高速度、良好的稳定性等。现今世界各大高校及研究机构都在开展下一代存储器的实验研...; 陈琪; 关键词：SIO2薄膜; 文献传递

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陈琪