陈雪平
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
- 供职机构：杭州电子科技大学更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金浙江省教育厅科研计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术更多>>
- 下电极对ZnO薄膜电阻开关特性的影响被引量：5
- 2013年
- 本文采用直流磁控溅射法在三种不同的下电极(BEs)上制备了ZnO薄膜,获得了W/ZnO/BEs存储器结构.研究了不同的下电极材料对器件电阻开关特性的影响.研究结果表明,以不同下电极所制备的器件都具有单极性电阻开关特性.在低阻态时,ZnO薄膜的导电机理为欧姆传导,而高阻态时薄膜的导电机理为空间电荷限制电流.不同下电极与ZnO薄膜之间的肖特基势垒高度对电阻开关过程中的操作电压有较大的影响,并基于导电细丝模型对不同下电极上ZnO薄膜的低阻态阻值及reset电流的变化进行了解释.
- 李红霞陈雪平陈琪毛启楠席俊华季振国
- 关键词：ZNO薄膜电阻开关
- ZnO基薄膜阻变存储器的可靠性研究
- 当今时代,信息产业发展日新月异,存储器已经在各种电子产品中得到了广泛的应用,为我们的日常工作和生活带来了很大的便捷。进而,人们对存储器的性能提出了更高的需求,如访问速度快、功耗低、尺寸小、寿命长、非挥发性等。如今,相变存...
- 陈雪平
- 关键词：非挥发性存储器氧化锌薄膜可靠性
