陶春兰
- 作品数：11 被引量：17H指数：3
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 金纳米棒/石墨相氮化碳复合薄膜的制备及其光电化学性能被引量：3
- 2018年
- 石墨相氮化碳(g-C_3N_4)作为一种新型的非金属有机半导体材料在光催化领域受到了人们的广泛关注。为进一步改善它的光电化学性能,本文利用种子生长法和一锅法相结合制备了Au纳米棒/g-C_3N_4复合材料。结果表明,金纳米棒降低了载流子的复合率,使复合材料表现出了较好的光电化学性能。该材料光电流密度可达到17.18μA/cm^2(相对于可逆氢电极),是纯的石墨相氮化碳材料的2.5倍。
- 权晶晶秦冬冬陶春兰贺彩花李洋王秋红卢小泉
- 关键词：一锅法光电化学
- 一种廉价电极的并五苯场效应晶体管被引量：2
- 2009年
- 采用底栅顶接触结构,研究制备了以并五苯为有源层、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为绝缘层的全有机场效应晶体管(OFET),其中绝缘层采用溶液旋涂法制备,电极采用MoO3/Al双层电极。与传统采用单一Au为电极的器件相比,采用双层电极的器件性能大幅提高,经测试,器件的迁移率达到了0.133cm2/Vs,开关电流比可以达到2.61×105。对采用MoO3修饰层提高性能的作用机理进行了详细论证。
- 周建林陶春兰
- 关键词：有机晶体管MOO3电极
- 并五苯薄膜的AFM及XRD研究被引量：2
- 2007年
- 报道了以热氧化硅片为衬底,用溶液溶解和真空蒸镀两种方法制备有机半导体材料并五苯薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶体结构,讨论了诸多因素对薄膜的影响以及两种方法制备的并五苯薄膜的相结构。
- 陶春兰张旭辉董茂军欧谷平张福甲刘一阳张浩力
- 关键词：AFMXRD
- 有机半导体9，9＇-联二蒽的合成及其结构表征被引量：2
- 2008年
- 详细叙述了利用9-溴蒽为原料制备高纯9,9′-联二蒽的方法,通过红外光谱、核磁共振谱、质谱对其结构进行了表征,并通过X射线衍射谱和紫外-可见光光谱分析了其成膜结晶性能和光吸收特性。
- 李建丰常文利陶春兰欧谷平张福甲
- 关键词：有机半导体材料
- 并五苯的溶解及其薄膜性能表征被引量：3
- 2006年
- 报道了并五苯的邻-1,2-氯苯溶液的制备方法及在Si和SiO2表面形成的固态薄膜的紫外-可见光光谱(UV-Vis)、光学显微镜、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)的表征结果.该溶液在100℃左右能形成较大面积、较均匀的多晶并五苯薄膜.
- 张旭辉陶春兰张福甲刘一阳张浩力
- 关键词：UV-VISAFMSEMXRD
- 聚酰亚胺为栅绝缘层的并五苯场效应晶体管被引量：4
- 2008年
- 以真空蒸发的有机半导体材料并五苯为有源层,以旋涂的聚酰亚胺作为栅绝缘层,以真空蒸发的Al为栅、源和漏电极,成功制作了顶接触式并五苯有机场效应晶体管(OFET)。测试表明,在源漏电压为70V时,器件的载流子迁移率μ为0.079cm2/V.s,器件的开关电流比为1.7×104.
- 董茂军陶春兰张旭辉欧谷平张福甲
- 关键词：并五苯迁移率聚酰亚胺
- P型硅并五苯有机场效应晶体管的研制
- 2007年
- 以P＋＋硅为衬底，热生长SiO2为栅绝缘层，真空蒸发有机半导体材料并五苯作为有源层，射频磁控溅射金作为源、漏电极，成功制作了底接触式并五苯有机场效应晶体管（OFETs）。测试表明在源漏电压为70V时，器件的载流子迁移率μ为：0．31cm^2/V.s。
- 董茂军陶春兰孙硕李建丰欧谷平张福甲
- 关键词：有机场效应晶体管并五苯迁移率
- 并五苯场效应晶体管的研制
- 2007年
- 以X射线衍射仪（XRD）研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶体结构，通过原子力显微镜（AFM）分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌。以热氧化的硅片作为绝缘栅极，并五苯作为有缘层，采用底接触结构，研制场效应晶体管。经过测试得到其场效应迁移率为1．23cm^2/Vs，开关电流比＞10^6。
- 陶春兰董茂军张旭辉张福甲
- 关键词：并五苯场效应晶体管XRDAFM迁移率
- 以聚酰亚胺为绝缘层的并五苯场效应晶体管被引量：3
- 2007年
- 报道了以聚酰亚胺(polyimide)作为绝缘层,并五苯作为活动层的一种全有机场效应晶体管。利用原子力显微镜(AFM)分析了聚酰亚胺薄膜及其表面并五苯薄膜的形貌;采用顶电极接触结构,测量出其场效应晶体管的输出特性曲线,并得出其场效应迁移率为0.079m2/(V.s),开关电流比约为104。
- 陶春兰董茂军张旭辉孙硕张福甲李东仓欧谷平
- 关键词：聚酰亚胺并五苯AFM有机场效应晶体管迁移率
- Pentcene/SiO_2表面随温度变化的AFM研究
- 2008年
- 以热氧化硅片为衬底,以溶液溶解和真空蒸镀两种方法,在不同温度下制备有机半导体材料并五苯(pentacene)薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,讨论了影响薄膜质量的各种因素。
- 陶春兰董茂军张旭辉张福甲
- 关键词：AFM表面形貌
