张旭辉
- 作品数：8 被引量：13H指数：3
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 并五苯有机场效应晶体管材料及器件的研究
- 有机场效应晶体管(Organic Field Effect Transistors，OFETs)是以有机半导体材料为有源层的晶体管器件，和传统的无机半导体器件相比，具有成本低、可实现大面积加工、可与柔性基底集成等优点，因...
- 张旭辉
- 关键词：场效应晶体管有机半导体并五苯
- 文献传递
- 聚酰亚胺为栅绝缘层的并五苯场效应晶体管被引量：4
- 2008年
- 以真空蒸发的有机半导体材料并五苯为有源层,以旋涂的聚酰亚胺作为栅绝缘层,以真空蒸发的Al为栅、源和漏电极,成功制作了顶接触式并五苯有机场效应晶体管(OFET)。测试表明,在源漏电压为70V时,器件的载流子迁移率μ为0.079cm2/V.s,器件的开关电流比为1.7×104.
- 董茂军陶春兰张旭辉欧谷平张福甲
- 关键词：并五苯迁移率聚酰亚胺
- 并五苯薄膜的AFM及XRD研究被引量：2
- 2007年
- 报道了以热氧化硅片为衬底,用溶液溶解和真空蒸镀两种方法制备有机半导体材料并五苯薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶体结构,讨论了诸多因素对薄膜的影响以及两种方法制备的并五苯薄膜的相结构。
- 陶春兰张旭辉董茂军欧谷平张福甲刘一阳张浩力
- 关键词：AFMXRD
- 并五苯的溶解及其薄膜性能表征被引量：3
- 2006年
- 报道了并五苯的邻-1,2-氯苯溶液的制备方法及在Si和SiO2表面形成的固态薄膜的紫外-可见光光谱(UV-Vis)、光学显微镜、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)的表征结果.该溶液在100℃左右能形成较大面积、较均匀的多晶并五苯薄膜.
- 张旭辉陶春兰张福甲刘一阳张浩力
- 关键词：UV-VISAFMSEMXRD
- 并五苯场效应晶体管的研制
- 2007年
- 以X射线衍射仪（XRD）研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶体结构，通过原子力显微镜（AFM）分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌。以热氧化的硅片作为绝缘栅极，并五苯作为有缘层，采用底接触结构，研制场效应晶体管。经过测试得到其场效应迁移率为1．23cm^2/Vs，开关电流比＞10^6。
- 陶春兰董茂军张旭辉张福甲
- 关键词：并五苯场效应晶体管XRDAFM迁移率
- 以聚酰亚胺为绝缘层的并五苯场效应晶体管被引量：3
- 2007年
- 报道了以聚酰亚胺(polyimide)作为绝缘层,并五苯作为活动层的一种全有机场效应晶体管。利用原子力显微镜(AFM)分析了聚酰亚胺薄膜及其表面并五苯薄膜的形貌;采用顶电极接触结构,测量出其场效应晶体管的输出特性曲线,并得出其场效应迁移率为0.079m2/(V.s),开关电流比约为104。
- 陶春兰董茂军张旭辉孙硕张福甲李东仓欧谷平
- 关键词：聚酰亚胺并五苯AFM有机场效应晶体管迁移率
- Pentcene/SiO_2表面随温度变化的AFM研究
- 2008年
- 以热氧化硅片为衬底,以溶液溶解和真空蒸镀两种方法,在不同温度下制备有机半导体材料并五苯(pentacene)薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,讨论了影响薄膜质量的各种因素。
- 陶春兰董茂军张旭辉张福甲
- 关键词：AFM表面形貌
- 有机场效应晶体管的数值研究被引量：1
- 2006年
- 有机场效应晶体管(OFETs,OrganicFieldeffecttansistors)在平板显示、智能卡、射频标识牌、塑料电子学等方面存在广泛的应用,引起人们广泛的研究兴趣。本文推导了底部接触电极结构OFETs的解析模型,并且用数值方法研究了OFETs器件参量对OFETs性能的影响,并指出相应的优化途径。
- 张旭张旭辉张福甲
- 关键词：有机场效应晶体管
