黄仕华
- 作品数：156 被引量：80H指数：5
- 供职机构：浙江师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- 一种新型阻变存储器及其制造方法
- 本发明公开了一种新型阻变存储器及其制造方法，包括硅片衬底、背电极，硅片衬底上方具有二氧化硅保护层，二氧化硅保护层上蚀刻有若干圆柱形凹穴，该凹穴与硅片衬底接触处为阻变介质层，阻变介质层上方为硅化物层，硅化物层上方及其对应凹...
- 黄仕华陈达
- 文献传递
- 砷和氟共掺杂氧化锡位置敏感探测器的制备方法
- 本发明公开了一种砷和氟共掺杂氧化锡位置敏感探测器的制备方法，首先进行衬底清洗，清除硅片表面的污染杂质；利用油浴加热硝酸溶液，把清洗好的硅片浸泡在其中；将高纯SnCl<Sub>4</Sub>·5H<Sub>2</Sub>O...
- 黄仕华周理想陆肖励陈达
- 文献传递
- Ge/Si量子阱结构的C-V特性的模拟被引量：1
- 2008年
- 采用有限深对称方势阱近似模型求解薛定谔方程得到Ge/Si量子阱中的子能级分布,并基于迭代法数值求解泊松方程模拟计算了量子阱结构样品在不同偏压下的载流子浓度分布和C-V特性.C-V曲线上电容平台的存在是量子阱结构C-V特性的显著特征,它与量子阱结构参数有密切的关系.随着覆盖层厚度的减小,C-V曲线上平台起始点的电容值增加,并且向低电压方向移动直至其消失.随着量子阱中的掺杂浓度提高,阱中的载流子浓度也会相应增加,那就需要更高的外加电压才能耗尽阱中的载流子,因此平台宽度也就随着掺杂浓度的增加而增加.当覆盖层厚度增加时,由于电压的分压作用,使得降在量子阱上的分压相应减少,因此需要更大的外加偏压才能使阱中载流子浓度全部耗尽,这就使平台的宽度增大.同样地,当覆盖层掺杂浓度增加时,覆盖层中更多的载流子转移到阱内,也就需要更高的外加偏压才能使阱中载流子全部耗尽,平台的宽度也就随之增大.
- 程佩红黄仕华
- 关键词：迭代法
- 一种制备低反射率的单晶硅绒面结构的方法
- 本发明公开了一种制备低反射率的单晶硅绒面结构的方法，先以传统方法在硅片表面形成大量四面方锥体，再通过碱醇溶液浸泡处理，在硅片表面形成很多的纳米孔。这种具有纳米结构的“金字塔”形状的硅片表面的反射率得到了得到进一步降低，同...
- 黄仕华张嘉华
- 文献传递
- 一种高稳定性的免掺杂硅异质结太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种高稳定性的免掺杂硅异质结太阳能电池及其制备方法，电池包括n型单晶硅片基底，其特征在于：基底层正面具有氮氧化钼层，背面具有氮氧化钛层，氮氧化钼层的双侧均具有氮化钼层，氮氧化钛层的双侧均具有氮化钛层；正面顶部...
- 黄仕华李林华陈佳慧
- 具有稳定阈值电阻转变特性的材料以及动态随机存储器件
- 本发明提供了一种具有稳定阈值电阻转变特性的材料，其为具有非晶硅或纳米晶硅颗粒嵌入的氧化硅薄膜，膜的厚度为30‑80nm。一种动态随机存储器件，包括顶电极、阻变介质层、衬底和背电极，该阻变介质层为上述具有非晶硅或纳米晶硅颗...
- 黄仕华陈达
- 文献传递
- 有机无机杂化纳米薄膜阻变存储器的制备方法
- 本发明公开了一种有机无机杂化纳米薄膜阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：首先利用氯化钛与盐酸、邻菲罗啉、氢氧化钠、丙烯酸反应，制备丙烯酸钛单体；其次，采用甲基丙烯酸甲酯为共聚单体，过硫酸钾/偶氮二异丁腈作为引发剂，吡啶硫...
- 黄仕华金日升李兴达李林华
- 文献传递
- 任意辐照强度和温度下的光伏组件输出特性模拟仿真被引量：6
- 2016年
- 基于太阳能电池的一般理论模型,通过对太阳能电池的I-V方程在短路点、最大功率点、开路点处进行一阶求导,构造代数方程组。根据光伏组件厂商提供的标准测试条件下的技术参数(短路电流、开路电压、最大功率点电流和电压等),采用遗传算法,求解5参量模型中的光生电流、反向饱和电流、等效串联电阻、等效并联电阻和理想因子等参数。与牛顿迭代法相比,遗传算法得到的结果稳定性和精确性更好,模拟结果的相对误差在2%左右。同时,针对Matlab仿真环境,构建了光伏组件的仿真模拟器,可以对任意环境温度、太阳辐射强度下光伏组件的输出特性进行仿真实验,对光伏发电系统研究人员来说,具有很好的实用参考价值。
- 陈建东黄仕华
- 关键词：光学器件光伏组件遗传算法仿真模拟
- 一种高少子寿命黑硅的制备方法
- 本发明公开了一种高少子寿命黑硅的制备方法，使用集成电路中的RCA标准清洗方法对硅片表面进行处理，除去硅片表面的有机物、氧化物和机械损伤；利用传统碱醇体系对单晶硅片进行制绒，获得良好的“金字塔”结构的表面；对制绒后的硅片利...
- 黄仕华张嘉华陆肖励
- 文献传递
- 纳米ZnO薄膜的热蒸发法制备及其光电特性研究被引量：2
- 2010年
- 以醋酸锌为原料、O/Ar的混合气体为携载气体,在500℃的温度下应用热蒸发法在p型Si基片上生长纳米ZnO薄膜,并研究了其形貌、结构和光电特性。X-射线(XRD)衍射结果显示所制备ZnO纳米晶体呈六角纤锌矿结构;扫描电子显微镜(SEM)观察发现生长的ZnO薄膜平整均匀,纳米晶体颗粒平均尺寸为25nm。应用紫外-可见光吸收谱分析了其吸收特性,发现该ZnO薄膜在紫外波段具有很强的吸收,其吸收边位于320nm处。由于量子限制效应,与体材料相比,该吸收边存在明显的蓝移。应用光致发光谱(PL)研究了其发光特性,发现该ZnO薄膜在近紫外以及蓝-绿光波段具有强烈的受激发射。最后,还研究了ZnO薄膜的电容-电压(C-V)特性。
- 楼曹鑫马锡英黄仕华王丽伟
- 关键词：热蒸发法ZNO薄膜光致发光SEM
