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黄伟: 作品数：25 被引量：41H指数：3; 供职机构：北京大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金江苏省“333工程”培养资金资助项目更多>>; 相关领域：电子电信天文地球理学语言文字更多>>

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1992年16号台风的数值研究被引量：3: 1996年; 利用北京大学地球物理系暴雨监测与预报国家重点实验室发展的有限区域数值预报模式，对１９９２年１６号台风进行了１２ｈ数值模拟。时间是从８月３１日１２时（世界时）到９月１日００时。结果显示：模式预报的台风和实际台风的移动方向一致，移动距离相当。模式清楚地预报出了由台风倒槽所造成的强降水。这表明模式对台风路径、台风降水等都有较强的预报能力。还进行了对比实验，研究地形和积云对流等对登陆台风发展和降水的影响。结果表明：地形对台风的位置和降水有重大影响，积云对流除了对台风强度有影响之外，对台风环流的位置和台风的移动速度也有影响。; 黄伟陶祖钰; 关键词：台风数值模拟台风预报

掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善被引量：4: 2005年; 报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性 .结果表明 ,经 6 5 0— 80 0℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低 ,约为 2 .4 (Ω/□ ) .XRD分析表明薄膜中只存在NiSi相 ,而没有NiSi2 生成 .由吉布斯自由能理论分析表明在Ni薄膜中掺人 5 .9%Mo对改善Ni硅化物热稳定性起到至关重要的作用 .经 6 5 0— 80 0℃快速热退火后的Ni(Mo)Si/Si肖特基二极管电学特性良好 ,势垒高度ΦB 为 0 .6 4— 0 .6 6eV ,理想因子接近于 1,更进一步证明掺少量的Mo能够改善NiSi薄膜的热稳定性 .; 黄伟张利春高玉芝金海岩; 关键词：镍硅化物快速热退火热稳定性卢瑟福背散射

基于Ti/Pt/Au欧姆接触金属系统的InP基HEMT器件被引量：2: 2014年; 应用钛/铂/金(Ti/Pt/Au)金属系统在InP基HEMT制备工艺中形成了良好的欧姆接触,通过优化合金条件,获得了较低的欧姆接触电阻,并在此基础上对钛/铂/金欧姆接触形成机理进行了深入讨论。实验结果表明:在氮气气氛下进行温度300℃/30 s快速热退火后,得到欧姆接触最小电阻值为0.025Ω·mm。同时合金界面形态良好。制备出栅长1.0μm的InP基HEMT器件,测试结果表明器件具有良好的DC和RF特性,器件最大跨导(Gmmax)为672 mS/mm。饱和源漏电流IDSS为900 mA/mm,阈值电压为-0.8 V,单一的电流增益截止频率(fT)为40 GHz,最大晶振fmax为45 GHz。; 于宗光李海鸥黄伟; 关键词：磷化铟欧姆接触

追求理想与关注现实：义务教育教师政策工具选择研究: 公共政策实施的途径或手段的选择问题，在政府部门的工作实践中至关重要。用政策科学的理论范畴来表达，这一问题实际上就是政策工具的选择问题。本文立足于义务教育教师政策实践活动，将政策理想与政策现实的矛盾冲突，作为影响政策工具选...; 黄伟; 关键词：义务教育教师政策外部环境公共管理

难熔夹层金属提高NiSi薄膜热稳定性的新思路: 2011年; 首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法。依据此方法,摸索出在Ni中分别以夹层金属掺入Pt、Mo、Zr、W金属来提高NiSi硅化物的热稳定性。概括总结了掺入难熔金属M后形成的三元镍硅化物Ni(M)Si热稳定性能。实验结果表明,Ni(M)Si硅化物薄膜四种镍硅化物薄膜有相同的热稳定性。以Ni/W/Ni/Si样品为例,经650～800℃快速热退火后,薄层电阻率保持较小值,小于3Ω/□。XRD衍射、Raman光谱和AFM分析表明,Ni(M)Si薄膜界面平整,该薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi_2相生成,从而将NiSi薄膜的低阻温度窗口的上限从700℃提高到800℃,使形成高阻NiSi_2相的最低温度提高到850℃。研制的高压Ni(M)Si/Si肖特基硅器件在650～800℃温度跨度范围内保留了NiSi/Si肖特基相近的整流特性,肖特基势垒高度分布在0.61～0.71 eV区间内,由此表明Ni(M)Si硅化物是令人满意的互连和接触材料。; 黄伟孙华张利春张树丹许居衍; 关键词：镍硅化物快速热退火 X射线衍射分析拉曼光谱分析卢瑟福背散射原子力显微镜

基于多维时态GIS的智慧矿区全要素云平台关键技术与应用: 毛明仓毛善君黄伟赵宇波雷小平郭俊; 基于多维时态GIS的智慧矿区全要素云平台关键技术与应用(以下简称智慧云平台)项目基于黄陵矿业公司“2+2+N”(即“公司决策云、矿井管控云两朵云，公司数据中心、矿井数据中心两个中心，以及智能化采、掘、生产辅助、监测监控、...; 关键词：; 关键词：智能移动终端

硅基GaN超级结器件研究被引量：1: 2014年; 提出采用硅基F-离子处理技术研制硅基GaN超级结高压器件,并建立了三维电荷器件模型。实验结果表明,当栅极电压偏置于-1.25^-0.25 V时,漂移区长度为10μm的新器件其峰值跨导g m(max)出现最大值约为390 mS/mm,且较为平缓。该器件导通电阻较低,比导通电阻为0.562 5 mΩ·cm2,仅为相同漂移区长度的常规增强型GaN高压器件比导通电阻率2.25 mΩ·cm2的25%。该器件击穿特性与漂移区长度呈较好的线性关系,并在漂移区长度为15μm时,击穿电压接近硅基GaN高压器件的理想击穿电压,约为657 V,比前者器件结构的击穿电压提高了约182 V。; 于宗光黄伟李海鸥; 关键词：宽禁带半导体比导通电阻

基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片被引量：1: 2013年; 本文提出可集成自提取结终端的0135Lm 150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺与新结构,既可满足场致发光高压驱动芯片应用,又能取代传统采用氧化扩散工艺的P-ISO(P型隔离结构)传统隔离结构,显著简化了工艺和提高了芯片的高集成度,确保片内集成的低电阻率VDNMOS/LDPMOS(N型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管/P型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)高压驱动模块与低压逻辑控制模块在100V高压脉冲交替工作状况下无负电位、EMMI(微光显微镜)等寄生现象出现.; 黄伟胡南中李海鸥于宗光; 关键词：场致发光

Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究被引量：1: 2010年; 文中首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600℃～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物的转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650℃～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。; 王胜黄伟张树丹许居衍; 关键词：肖特基势垒二极管 XRD RAMAN光谱快速热退火