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丰家峰

作品数:44 被引量:24H指数:2
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 30篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇理学
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 20篇自旋
  • 13篇振荡器
  • 13篇磁电
  • 13篇磁电阻
  • 12篇多层膜
  • 12篇感器
  • 12篇传感
  • 12篇传感器
  • 11篇隧道结
  • 10篇电阻
  • 10篇磁性隧道结
  • 9篇磁性多层膜
  • 7篇铁磁
  • 7篇进动
  • 7篇磁敏
  • 7篇磁敏传感器
  • 6篇隧穿
  • 6篇隧穿磁电阻
  • 6篇磁材料
  • 6篇磁性

机构

  • 44篇中国科学院
  • 4篇国网智能电网...
  • 3篇北京工业大学
  • 2篇国网上海市电...
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇同济大学
  • 1篇美国橡树岭国...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 44篇丰家峰
  • 42篇韩秀峰
  • 25篇魏红祥
  • 10篇詹文山
  • 9篇刘厚方
  • 6篇于国强
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  • 4篇王磊
  • 3篇于敦波
  • 3篇张谢群
  • 3篇曾中明
  • 3篇王天兴
  • 3篇王琰
  • 3篇张晓光
  • 3篇李飞飞
  • 3篇张国成
  • 3篇万蔡华
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  • 2篇吕惠宾

传媒

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  • 1篇物理
  • 1篇科技开发动态
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇中国材料进展
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  • 1篇2004年中...

年份

  • 3篇2024
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  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 5篇2005
  • 2篇2004
44 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
自由层磁性交换偏置效应调控隧穿磁电阻磁传感单元性能
2023年
优化样品结构参数、磁场退火热处理、串并联桥式设计、施加电流热效应以及额外偏置磁场等是调控隧穿磁电阻(tunnel magnetoresistance,TMR)磁传感性能的常用方法.借助这些方法可以提高TMR磁传感的灵敏度、抗噪声指数、线性度和线性磁场范围等关键性能参数.其中,通过改变TMR磁传感单元的钉扎层、自由层以及势垒层材料和厚度等样品结构参数能够改变交换偏置场,进而提升TMR磁传感性能参数.本文基于微磁学仿真和实验测量发现,通过改变自由层CoFeB/Ru/NiFe/IrMn中的交换耦合作用,可以调制TMR自由层的交换偏置场大小和提升TMR磁传感单元的性能.当逐步增强IrMn钉扎效果时,TMR磁传感单元的线性磁场范围随之增大,但是磁场灵敏度降低;在±0.5倍自由层(主要是CoFeB层)磁矩变化范围内所有TMR磁传感单元的线性度最佳.
丰家峰陈星陈星魏红祥兰贵彬刘要稳刘要稳黄辉韩秀峰
关键词:磁性隧道结
La1-xSrxMnO3先进材料的复合制备及微加工研究
钙钛矿稀土锰氧化物(RE1-xTMxMnO3,RE为稀土元素,TM为二价碱土金属)由于具有丰富多样的凝聚态物理特性(如:铁磁、反铁磁、顺磁、绝缘、金属性质等)并呈现巨大的磁电阻效应,因此引起了人们的广泛兴趣和研究。该类化...
于敦波丰家峰杜永胜韩秀峰严辉应启明张国成
文献传递
磁电阻敏感传感器和操作磁电阻敏感传感器的方法
本申请涉及一种磁电阻敏感传感器及操作磁电阻敏感传感器的方法。磁电阻敏感传感器包括交换偏置结构,其包括反铁磁层和形成在反铁磁层上的铁磁层,反铁磁层通过交换偏置作用向铁磁层施加交换偏置磁场;和模式选择开关,其用于在施加给交换...
丰家峰韩秀峰梁云魏红祥司文荣黄辉邓辉
成分调制的La_(1-x)Sr_xMnO_3复合隧道结被引量:8
2005年
利用磁控溅射和Sr成分的调制以及原位热处理方法,在10mm×10mm大小的(001)取向SrTiO3单晶衬底上制备出三明治结构为La0·7Sr0·3MnO3(100nm)/La0·96Sr0·04MnO3(5nm)/La0·7Sr0·3MnO3(100nm)的隧道结外延薄膜,然后再次利用磁控溅射方法,在三层单晶膜上方继续沉积Ir22Mn78(15nm)/Ni79Fe21(5nm)/Pt(20nm)等金属三层膜.最后利用深紫外曝光和Ar离子束刻蚀等微加工技术,制备出长短轴分别为12和6μm或者8和4μm大小的椭圆形La1-xSrxMnO3成分调制的复合磁性隧道结.在4·2K和外加磁场8T的测试下,La1-xSrxMnO3成分调制的复合磁性隧道结其隧穿磁电阻(TMR)比值达到3270%,直接从实验上证实了铁磁性La0·7Sr0·3MnO3金属氧化物的自旋极化率(97%)可接近100%,具有很好的半金属性质.
于敦波丰家峰丰家峰杜永胜韩秀峰严辉应启明
关键词:LA1-XSRXMNO3半金属隧穿磁电阻磁性隧道结
具有高输出功率的自旋转矩振荡器及其应用
本发明涉及具有高输出功率的自旋转矩振荡器及其应用。一种自旋转矩振荡器可包括:第一参考磁层,其具有固定磁化;进动磁层,其具有能绕初始方向进动的磁化;以及第一势垒层,其夹置在所述第一参考磁层和所述进动磁层之间,并且由能产生负...
魏红祥丰家峰张晓光刘厚方韩秀峰
一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制备方法
一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制备方法,该磁性纳米多层膜包括由下至上依次叠合的基片、种子层、参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层,该参考磁性层用于将该探测磁性层的磁矩转动的信息转化成电信号,该探测磁性层用于感应...
吴昊丰家峰陈军养韩秀峰
文献传递
基于MgO磁性隧道结的五种隧穿磁电阻线性传感单元性能比较被引量:1
2022年
磁性隧道结经过结构优化和性能提升已成功应用于磁存储、磁传感、磁逻辑等多种自旋电子学器件中.磁传感是利用磁性隧道结的自由层和钉扎层之间特殊的磁结构来实现隧穿磁电阻(TMR)随外加磁场变化而呈现的线性输出.迄今为止,人们基于MgO磁性隧道结已经研发出五种TMR线性传感单元,分别是人工间接双交换耦合型、磁场偏置型、面内/面外垂直型、超顺磁型的TMR线性传感单元.本文梳理了这五种TMR线性传感单元并对它们的磁传感性能进行了系统比较,为人们探索和发现磁敏传感器的相关应用提供了帮助.
韩秀峰张雨丰家峰陈川邓辉黄辉郭经红梁云司文荣江安烽魏红祥
关键词:磁性隧道结磁敏传感器
用于移动通信系统的基于自旋振荡器的上变频器
本发明涉及用于移动通信系统的基于自旋振荡器的上变频器。一种上变频器包括:乘法器,其具有第一输入端、第二输入端和输出端,所述第一输入端用于接收外部信号输入;自旋振荡器,连接到所述乘法器的第二输入端;以及第一高通滤波器,连接...
魏红祥丰家峰韩秀峰
文献传递
电流焦耳热调控反转型垂直(Co/Pt)n/Co/IrMn纳米多层膜结构的交换偏置效应研究被引量:1
2023年
交换偏置效应影响磁敏传感器中的关键性能参数.在外加磁场辅助下,本文提出一种电流产生的焦耳热调控交换偏置效应的研究方法.通过该方法,系统调控了反转型垂直纳米多层膜结构(Co/Pt)_(n)/Co/IrMn(简称垂直多层膜结构,n+1是Co层周期数)的面内交换偏置效应,不仅连续改变了交换偏置场Heb大小,而且实现了Heb的翻转.在垂直多层膜结构中,如果固定外加磁场H_(p)(脉冲电流I_(DC))后连续改变I_(DC)(H_(p))的大小可以连续调控Heb的数值;如果固定H_(p)(I_(DC))后同时改变I_(DC)(H_(p))的大小和方向,则在较大I_(DC)时可实现H_(eb)的翻转.结果表明,该方法可以用来原位调控磁敏传感器的线性磁场范围和灵敏度等关键性能参数,对磁敏传感器的优化研究具有重要的借鉴意义.
丰家峰魏红祥于国强黄辉郭经红韩秀峰
关键词:磁敏传感器
自旋霍尔磁电阻传感器及包括其的电子设备
本发明涉及自旋霍尔磁电阻传感器及包括其的电子设备。一种自旋霍尔磁电阻传感器可包括:第一非磁重金属层,由具有自旋霍尔效应的非磁重金属材料形成;形成在所述第一非磁重金属层上的磁性绝缘体层;形成在所述磁性绝缘体层上的拓扑绝缘体...
丰家峰魏红祥韩秀峰
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