刘建
- 作品数：2 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- C波段0.75mmAlGaN/GaN功率器件被引量：4
- 2005年
- 研制并测试了以蓝宝石作衬底的10×75μm×0.8μmAlGaN/GaN微波器件,采用等离子增强气相化学沉积的方法生长了250nm的Si3N4形成钝化层,直流特性从0.56A/mm上升到0.66A/mm,跨导从158mS/mm增为170mS/mm,截止频率由10.7GHz增大到13.7GHz,同时在4GHz下,Vds=25V,Vgs=-2.5V,输出功率由0.90W增至1.79W,输出功率密度达到2.4W/mm.钝化有效地改善了器件的输出特性,减小和消除了表面寄生栅对器件的影响.
- 陈晓娟刘新宇和致经刘建吴德馨
- 关键词：AIGAN/GANHEMTSI3N4钝化
- AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性被引量：7
- 2007年
- 对使用金属有机物汽相沉积法生长的AlGaN/AlN/GaN结构进行的变温霍尔测量,测量结果指出在AlN/GaN界面处有二维电子气存在且迁移率和浓度在2K时分别达到了1.4×104cm2.V-1.s-1和9.3×1012cm-2,且在200K到2K范围内二维电子气的浓度基本不变,变磁场霍尔测量发现只有一种载流子(电子)参与导电.在2K温度下,观察到量子霍尔效应,Shubnikov-de Haas(SdH)振荡在磁场约为3T时出现,证明了此结构呈现了典型的二维电子气行为.通过实验数据对二维电子气散射过程的半定量分析,推出量子散射时间为0.23ps,比以往报道的AlGaN/GaN结构中的散射时间长,说明引入AlN层可以有效减小合金散射,进一步的推断分析发现低温下以小角度散射占主导地位.
- 周忠堂郭丽伟邢志刚丁国建谭长林吕力刘建刘新宇贾海强陈弘周均铭
- 关键词：二维电子气高电子迁移率晶体管
