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卢洪亮

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电路
  • 2篇电路制造
  • 2篇探针
  • 2篇纳米光刻
  • 2篇还原法
  • 2篇集成电路
  • 2篇集成电路制造
  • 2篇光刻
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应管
  • 1篇带隙
  • 1篇电子器件
  • 1篇光学
  • 1篇光学带隙
  • 1篇厚度
  • 1篇ZRO2薄膜

机构

  • 3篇复旦大学

作者

  • 3篇卢洪亮
  • 2篇丁士进
  • 2篇周鹏
  • 2篇张卫
  • 2篇孙清清
  • 2篇王鹏飞
  • 2篇吴东平
  • 1篇陈磊
  • 1篇陈良尧
  • 1篇王子仪
  • 1篇王松有
  • 1篇郑玉祥
  • 1篇张荣君
  • 1篇张远
  • 1篇黄清华

传媒

  • 1篇上海市激光学...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
ZrO2薄膜光学带隙及电子缺陷的厚度依赖特性的椭偏研究
电子器件持续向小型化发展,具有高介电常数的金属氧化物超薄膜因其可用于下一代MOS电容/场效应晶体管的绝缘栅极层以及闪存中的电荷俘获层而受到越来越多的关注.高k氧化物薄膜在实际应用时需具备合适的带隙和较少的电子缺陷.ZrO...
许骥平陈良尧张荣君张远王子仪陈磊黄清华卢洪亮郑玉祥王松有
关键词：电子器件
一种适用于石墨烯基场效应管制造的纳米光刻方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种适用于石墨烯基场效应管制造的纳米光刻方法。该方法包括采用接触探针热还原法对任意衬底上的石墨烯氧化物进行可控还原，通过控制探针温度来控制还原石墨烯氧化物的成分从而控制沟道电阻率...
周鹏孙清清卢洪亮吴东平王鹏飞丁士进张卫
文献传递
一种适用于石墨烯基场效应管制造的纳米光刻方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种适用于石墨烯基场效应管制造的纳米光刻方法。该方法包括采用接触探针热还原法对任意衬底上的石墨烯氧化物进行可控还原，通过控制探针温度来控制还原石墨烯氧化物的成分从而控制沟道电阻率...
周鹏孙清清卢洪亮吴东平王鹏飞丁士进张卫
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