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吴东平

作品数：111 被引量：40H指数：3
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项上海市科学技术发展基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 93篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 23篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 39篇晶体管
  • 39篇半导体
  • 29篇场效应
  • 27篇场效应晶体管
  • 24篇导体
  • 22篇金属半导体
  • 19篇肖特基
  • 17篇肖特基结
  • 17篇硅化物
  • 15篇微电子
  • 14篇金属硅化物
  • 14篇衬底
  • 13篇电路
  • 13篇电阻
  • 13篇金属
  • 11篇集成电路
  • 10篇多晶
  • 9篇纳米
  • 9篇绝缘层
  • 9篇光刻

机构

  • 111篇复旦大学
  • 1篇上海理工大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇江苏石油化工...
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇上海小海龟科...

作者

  • 111篇吴东平
  • 73篇张世理
  • 48篇张卫
  • 16篇朱志炜
  • 13篇许鹏
  • 12篇仇志军
  • 11篇付超超
  • 11篇孙清清
  • 11篇王鹏飞
  • 10篇朴颖华
  • 10篇文宸宇
  • 9篇周鹏
  • 8篇黄宜平
  • 8篇周祥标
  • 8篇朱伦
  • 7篇曾瑞雪
  • 6篇竺士炀
  • 6篇葛亮
  • 6篇胡成
  • 4篇娄浩涣

传媒

  • 5篇半导体技术
  • 4篇Journa...
  • 1篇化工新型材料
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇2014`全...
  • 1篇第六届全国抗...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 8篇2017
  • 9篇2016
  • 11篇2015
  • 7篇2014
  • 11篇2013
  • 9篇2012
  • 18篇2011
  • 25篇2010
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 5篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
共 111 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
浮栅非挥发半导体存储器及其制造方法
本发明提供一种浮栅非挥发半导体存储器和制造方法。所述浮栅非挥发半导体存储器包括半导体衬底、源极、漏极、第一绝缘层、第一多晶硅层、第二绝缘层、第二多晶硅层、保护层及侧墙。所述源极、漏极位于所述衬底上，所述第一绝缘层位于所述...
吴东平张世理
文献传递
离子敏感场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备方法。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底，场氧化层，位于半导体衬底上通过掺杂形成的源极和漏极，源极和漏极之间被刻蚀到半导体衬底内部的凹槽结构，位于凹槽外围并与源极...
吴东平文宸宇曾瑞雪张世理
文献传递
金属半导体化合物薄膜的制备方法
本发明公开了一种金属半导体化合物薄膜的制备方法，该方法通过在PVD沉积金属层的过程中，将靶材的一部分离化成离子状态，使其产生金属离子；并在半导体衬底上加衬底偏压，使得所述金属离子加速向所述半导体衬底运动，并进入所述半导体...
吴东平张世理朱志炜张卫
文献传递
自对准的隧穿场效应晶体管的制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种隧穿场效应晶体管(TFET)的制备方法。本发明使用自对准工艺形成隧穿场效应晶体管。这种隧穿场效应晶体管的制备方法工艺简单，形成这种隧穿场效应晶体管的工艺拥有自对准特性，而且其源极和...
吴东平张世理王鹏飞仇志军张卫
智能剥离SOI高温压力传感器被引量：11
2001年
采用改进的 RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量 ,提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离 SOI (Silicon On Insulator)材料 ,并用该材料成功地研制了双岛 -梁 -膜结构的 SOI高温压力传感器 .对 SOI压力传感器的测量结果表明 ,当温度增加到 15 0℃左右时 ,输出电压没有明显的变化 ,其工作温度高于一般的体硅压力传感器 (其工作温度一般在 12 0℃以下 ) .测得所制备 SOI压力传感器的灵敏度为 6 3m V/ (MPa· 5 V) ,比用相同版图设计和工艺参数制备的多晶硅压力传感器高约
黄宜平竺士炀李爱珍鲍敏杭沈绍群王瑾吴东平
关键词：SOI压力传感器
一种体区接触的SOI晶体管结构及其制备方法
本发明提出了一种体区接触的SOI晶体管结构及制备方法，所述方法包括：在SOI上生成一硬掩模层；刻蚀可露出SOI底部硅的开口；通过所述开口，对SOI氧化层进行湿法刻蚀；在所述开口处，淀积一多晶硅层，并进行各向异性干法刻蚀；...
吴东平张世理
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制备高性能TFT的方法
本发明涉及晶体管制造领域，公开了一种制备高性能TFT的方法。本发明中，在活化层上形成金属层且对活化层进行离子掺杂之后，再采用微波退火工艺对掺杂离子进行激活，借助金属层对微波的高吸收作用，提高了微波退火工艺的效率，并且成本...
付超超吴东平王言
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具有光电导效应的石墨烯场效应晶体管以及红外探测器
本发明属于石墨烯技术领域，具体为一种具有光电导效应的石墨烯场效应晶体管以及红外探测器。该GEFT包括石墨烯沟道层，该石墨烯沟道层可操作地在红外线辐射下产生光电导效应、以使所述石墨烯GEFT的电学特性发生变化；该GEFT灵...
周鹏孙清清吴东平张卫
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O76mm智能剥离SOI材料的制备及其表面缺陷的分析被引量：1
1999年
结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术（Ｓｍ ａｒｔ－ｃｕｔ○Ｒ）成功地制备了７６ｍ ｍ 的ＳＯＩ材料．用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ ，比普通的抛光硅片约大一个数量级．ＳＯＩ上层硅膜存在表面缺陷，包括未转移区和气泡等，这是由剥离前硅片键合界面存在的空洞引起．通过改进低温键合工艺，提高键合质量，可得到基本无宏观表面缺陷的ＳＯＩ材料．
竺士炀黄宜平李爱珍吴东平王瑾茹国平包宗明
关键词：SOI材料SIMOX半导体材料
一种非对称栅MOS器件及其制备方法
本发明公开了一种非对称栅MOS器件，其栅极为金属栅，且所述金属栅的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同，从而使得MOS器件的整体性能参数更加优化；同时，还公开了一种非对称栅MOS器件的制备方法，该方法通过对MOS器件的...
吴东平胡成朱伦朱志炜张世理张卫
文献传递
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