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张世理

作品数：78 被引量：1H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 76篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 33篇半导体
  • 29篇晶体管
  • 24篇导体
  • 22篇金属半导体
  • 18篇场效应
  • 18篇场效应晶体管
  • 16篇肖特基
  • 16篇肖特基结
  • 16篇硅化物
  • 14篇微电子
  • 14篇衬底
  • 13篇金属硅化物
  • 12篇金属
  • 10篇电阻
  • 10篇多晶
  • 10篇存储器
  • 9篇淀积
  • 9篇绝缘层
  • 8篇电路
  • 8篇漏极

机构

  • 78篇复旦大学

作者

  • 78篇张世理
  • 73篇吴东平
  • 36篇张卫
  • 14篇朱志炜
  • 13篇仇志军
  • 10篇朴颖华
  • 9篇许鹏
  • 9篇文宸宇
  • 7篇王鹏飞
  • 6篇葛亮
  • 6篇胡成
  • 6篇朱伦
  • 4篇付超超
  • 4篇娄浩涣
  • 4篇罗军
  • 4篇曾瑞雪
  • 3篇李辉
  • 3篇周祥标
  • 2篇赵娜
  • 2篇刘冉

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报

年份

  • 1篇2018
  • 6篇2017
  • 7篇2016
  • 8篇2015
  • 2篇2014
  • 11篇2013
  • 5篇2012
  • 14篇2011
  • 21篇2010
  • 2篇1989
  • 1篇1986
共 78 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种自供电低功耗集成电路芯片及其制备方法
本发明属于集成电路技术领域，具体公开了一种自供电低功耗集成电路芯片及其制备方法。该集成电路芯片包括一个半导体衬底以及在衬底上的低功耗集成电路和太阳能电池。所述的低功耗集成电路包含隧穿场效应晶体管。该低功耗集成电路和太阳能...
吴东平张世理娄浩涣王鹏飞张卫
离子敏感场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底202，以及位于半导体衬底202上通过掺杂形成的源极101和漏极102，源极101和漏极102之间有一个被刻蚀到半导体衬底202内部的...
吴东平张世理文宸宇
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一种自供电集成电路芯片及其制备方法
本发明属于集成电路技术领域，具体公开了一种集成电路芯片及其制备方法。该集成电路芯片包括一个半导体衬底以及在衬底上的集成电路和太阳能电池。所述的集成电路包含金属-氧化物-半导体效应晶体管。该集成电路和太阳能电池在同一个半导...
吴东平张世理娄浩涣
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一种在衬底上选择性原子层淀积薄膜的方法
本发明涉及用于半导体器件制备的薄膜淀积技术。具体涉及一种利用原子层淀积技术在衬底上选择性生长硅，锗硅及其衍生物薄膜的方法。本发明针对由半导体晶片和不同密度图形的氧化物薄膜组成的衬底，在生长过程中，将衬底加热到预定温度，利...
吴东平孙清清张世理
超长半导体纳米线结构及其制备方法
本发明公开了一种超长半导体纳米线结构，所述超长半导体纳米线结构的宽度间隔地加宽，从而可防止所述超长半导体纳米线结构断裂；同时，本发明还公开了一种超长半导体纳米线结构的制备方法，该方法通过光刻及刻蚀，形成宽度间隔加宽的超长...
吴东平张世理朱志炜张卫
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一种金属硅化物埋层的结构及其形成方法
本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种金属硅化物埋层的结构及其形成方法。该埋层结构包括至少一个半导体衬底和一层置于该半导体衬底内部的金属硅化物埋层。该金属硅化物埋层可以用做竖直沟道晶体管的埋层源极或漏极的电极，也可以用...
吴东平张世理
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超浅结半导体场效应晶体管的制备方法
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种超浅结半导体场效应晶体管的制备方法。本发明中，通过在形成了栅极结构的半导体衬底上，以金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，采用物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，并对淀积了...
吴东平周祥标许鹏张卫张世理
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一种混合结型源漏场效应晶体管及其制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种混合结型源漏的场效应晶体管及其制备方法。该混合结型源漏场效应晶体管包括半导体衬底、栅极结构、侧墙、具有混合结的源区和漏区，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。同具有肖特基结的金属...
吴东平张世理葛亮仇志军
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一种半导体-金属-半导体叠层结构及其制备方法
本发明公开了一种半导体-金属-半导体叠层结构的制备方法，该方法通过在单晶半导体衬底上先制备超薄的单晶金属半导体化合物薄膜，再在单晶金属半导体化合物薄膜上制备单晶或多晶半导体薄膜，从而得到了由单晶半导体衬底、位于单晶半导体...
吴东平张世理许鹏周祥标
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一种非对称栅MOS器件及其制备方法
本发明公开了一种非对称栅MOS器件，其栅极为金属栅，且所述金属栅的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同，从而使得MOS器件的整体性能参数更加优化；同时，还公开了一种非对称栅MOS器件的制备方法，该方法通过对MOS器件的...
吴东平胡成朱伦朱志炜张世理张卫
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