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吴东海
作品数:
22
被引量:6
H指数:2
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
牛智川
中国科学院半导体研究所
徐应强
中国科学院半导体研究所
倪海桥
中国科学院半导体研究所
王国伟
中国科学院半导体研究所
赵欢
中国科学院半导体研究所
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势垒型中长波双色红外探测器及其制作方法
本公开提供了一种势垒型中长波双色红外探测器及其制作方法,该探测器包括:衬底;外延片结构,生长于衬底的上表面;上台面金属电极,位于外延片结构的上表面的第一端和第二端;下台面金属电极,位于外延片结构两侧预设的裸露区域;钝化层...
张烨
牛智川
王国伟
徐应强
吴东海
蒋洞微
郝宏玥
倪海桥
常发冉
周文广
梁岩
利用两步生长法制备均匀高密度InAs/GaAs量子点
本文利用分子束外延系统,应用两步生长方法制备出高密度且尺寸分布比较均匀的InAs/GaAs量子点(QDs).原子力显微镜图像表明制备出密度约6.0×1010cm-2且尺寸分布比较均匀的QDs.很强的光致荧光和窄的半高宽表...
黄社松
詹峰
赵欢
吴东海
方志丹
倪海桥
牛智川
关键词:
分子束外延
量子点
INAS
文献传递
砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
一种砷化镓基1.5微米量子阱结构,该结构为多层结构,其特征在于,包括:一GaAs过渡层;一第一GaAs势垒层,该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上;一第一GaNAs势垒层,该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势...
牛智川
倪海桥
韩勤
张石勇
吴东海
赵欢
杨晓红
彭红玲
周志强
熊永华
吴荣汉
文献传递
室温连续激射1.3μm InAs/GaAs量子点激光器
用分子束外延(MBE)生长了含应力缓冲层的InAs量子点激光器.发现用InAlAs/InGaAs作为复合应力缓冲层可有效延展发光波长,增加基态和激发态的能量间隔,但量子点面密度过低.用InGaAs作为应力缓冲层,可使量子...
赵欢
彭红玲
佟存柱
倪海桥
张石勇
吴东海
韩勤
牛智川
吴荣汉
关键词:
分子束外延
量子点
文献传递
在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法,包括如下步骤:步骤1:选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的Ge衬底;步骤2:对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理;步骤3:将进行退火处理...
王鹏飞
吴东海
吴兵朋
熊永华
詹峰
黄社松
倪海桥
牛智川
文献传递
双极势垒短波红外探测器及制备方法
一种双极势垒短波红外探测器及制备方法,该双极势垒短波红外探测器包括:衬底;缓冲层,形成于衬底上;第一接触层,形成于缓冲层上,叠层结构,形成于第一接触层上,且与第一接触层形成台面,叠层结构包括:空穴势垒层,形成于第一接触层...
李农
牛智川
王国伟
徐应强
蒋洞微
吴东海
郝宏玥
倪海桥
苏向斌
砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
一种砷化镓基1.5微米量子阱结构,该结构为多层结构,其特征在于,包括:一GaAs过渡层;一第一GaAs势垒层,该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上;一第一GaNAs势垒层,该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势...
牛智川
倪海桥
韩勤
张石勇
吴东海
赵欢
杨晓红
彭红玲
周志强
熊永华
吴荣汉
文献传递
一种红外探测器及其制备方法
本发明涉及一种红外探测器及其制备方法,属于探测器技术领域,该探测器包括:衬底,所述衬底包括光子晶体阵列,所述光子晶体阵列位于所述衬底的底部,所述光子晶体阵列包括n组四色探测单元,一组所述四色探测单元包括四个不同波段的光子...
郝宏玥
牛智川
徐应强
王国伟
蒋洞微
吴东海
文献传递
近-远红外宽光谱超晶格探测器
本发明公开了一种近‑远红外宽光谱超晶格探测器,包括:衬底;形成在衬底上的缓冲层;在缓冲层上依次叠层设置的甚长波红外探测器、中波红外探测器和短波红外探测器;甚长波红外探测器与中波红外探测器之间依次设置有P<Sup>+</S...
崔素宁
牛智川
蒋洞微
王国伟
徐应强
吴东海
郝宏玥
陈伟强
蒋俊锴
文献传递
1.3微米高密度量子点结构及其制备方法
一种1.3微米高密度量子点结构,其特征在于,包括:一砷化镓过渡层;一第一砷化镓势垒层,该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上;一砷化铟自组织量子点,该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上;一铟镓砷覆盖层,该铟镓砷覆...
牛智川
方志丹
倪海桥
韩勤
龚政
张石勇
佟存柱
彭红玲
吴东海
赵欢
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