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赵欢: 作品数：11 被引量：12H指数：2; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

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利用两步生长法制备均匀高密度InAs/GaAs量子点: 本文利用分子束外延系统,应用两步生长方法制备出高密度且尺寸分布比较均匀的InAs/GaAs量子点(QDs).原子力显微镜图像表明制备出密度约6.0×1010cm-2且尺寸分布比较均匀的QDs.很强的光致荧光和窄的半高宽表...; 黄社松詹峰赵欢吴东海方志丹倪海桥牛智川; 关键词：分子束外延量子点 INAS; 文献传递

室温连续激射1.3μm InAs/GaAs量子点激光器: 用分子束外延(MBE)生长了含应力缓冲层的InAs量子点激光器.发现用InAlAs/InGaAs作为复合应力缓冲层可有效延展发光波长,增加基态和激发态的能量间隔,但量子点面密度过低.用InGaAs作为应力缓冲层,可使量子...; 赵欢彭红玲佟存柱倪海桥张石勇吴东海韩勤牛智川吴荣汉; 关键词：分子束外延量子点; 文献传递

室温连续激射1.59μm GaInNAsSb量子阱激光器: 2007年; 研究了原位和非原位退火对分子束外延生长的GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱激光器的作用.通过快速热退火量子阱质量得到很大提高,这一方法还很少被应用于激光器的制作,特别是波长在1.55μm波段的激光器.生长量子阱时采用的生长速率、Sb诱导等,将量子阱激光器发光波长拓展到1.59μm,并制作了脊型波导FP腔GaInNAsSb单阱激光器,成功实现了室温连续激射,激射波长达到1.59μm,阈值电流为2.6kA/cm2.; 赵欢杜云倪海桥张石勇韩勤徐应强牛智川吴荣汉; 关键词：分子束外延快速热退火

砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法: 一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势...; 牛智川倪海桥韩勤张石勇吴东海赵欢杨晓红彭红玲周志强熊永华吴荣汉; 文献传递

1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器被引量：6: 2006年; 利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究·无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10-12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽4nm,具有良好的波长选择性·; 韩勤彭红玲杜云倪海桥赵欢牛智川吴荣汉; 关键词：探测器 LT-GAAS

砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法: 一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势...; 牛智川倪海桥韩勤张石勇吴东海赵欢杨晓红彭红玲周志强熊永华吴荣汉; 文献传递

1.3微米高密度量子点结构及其制备方法: 一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆...; 牛智川方志丹倪海桥韩勤龚政张石勇佟存柱彭红玲吴东海赵欢吴荣汉; 文献传递

快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响被引量：3: 2005年; 用固态分子束外延技术生长了高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的InGa原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法,对不同退火温度下InGaAs/GaAs量子阱室温光致发光峰值波长拟合,得到了In原子在高应变InGaAs/GaAs量子阱中的扩散系数以及扩散激活能(0.88eV).; 苗振华徐应强张石勇吴东海赵欢牛智川; 关键词：分子束外延快速热退火

Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes被引量：1: 2005年; Material growth and device fabrication of the first 1.3μm quantum well （QW） edge emitting laser diodes in China are reported. Through the optimization of the molecular beam epitaxy （MBE） growth conditions and the tuning of the indium and nitrogen composition of the GalnNAs QWs, the emission wavelengths of the QWs can be tuned to 1.3μm. Ridge geometry waveguide laser diodes are fabricated. The lasing wavelength is 1.3μm under continuous current injection at room temperature with threshold current of 1kA/cm^2 for the laser diode structures with the cleaved facet mirrors. The output light power over 30mW is obtained.; 牛智川韩勤倪海桥杨晓红徐应强杜云张石勇彭红玲赵欢吴东海李树英贺振宏任正伟吴荣汉

液滴外延自组织GaAs纳米结构: 2007年; 介绍了利用液滴外延法在晶格匹配体系AlGaAs/GaAs上自组织生长几种GaAs纳米结构.实验证实Ga液滴的形貌随晶化温度和As束流的不同而发生变化,形成一些有趣的GaAs纳米结构,如量子点、量子单环、量子双环、耦合量子双环和中国古币形状等.本文对这些纳米结构的生长机制进行了讨论.; 詹锋黄社松倪海桥赵欢熊永华周宏余牛智川; 关键词：量子点