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吴佳

作品数：27 被引量：0H指数：0
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 11篇碳化硅
  • 10篇外延层
  • 7篇退火
  • 6篇势垒
  • 6篇欧姆接触
  • 6篇场限环
  • 5篇肖特基
  • 5篇功率器件
  • 5篇二极管
  • 4篇电荷
  • 4篇电荷补偿
  • 4篇芯片
  • 4篇SBD
  • 4篇掺杂
  • 3篇电流
  • 3篇碳化硅器件
  • 3篇终端结构
  • 3篇肖特基二极管
  • 3篇刻蚀
  • 3篇硅器件

机构

  • 27篇株洲南车时代...

作者

  • 27篇吴佳
  • 27篇李诚瞻
  • 23篇刘可安
  • 19篇赵艳黎
  • 18篇史晶晶
  • 13篇蒋华平
  • 11篇周正东
  • 9篇唐龙谷
  • 9篇刘国友
  • 7篇高云斌
  • 5篇丁荣军
  • 4篇杨程
  • 2篇何多昌

年份

  • 5篇2018
  • 6篇2017
  • 2篇2016
  • 8篇2015
  • 6篇2014
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种新型碳化硅MOS器件及其制造方法
本发明提供了一种新型的碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面外延一层P<Sup>－</Sup>外延层，由于外延层之后的P<Sup>－</Sup>外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中...
赵艳黎刘可安李诚瞻高云斌蒋华平吴佳丁荣军
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肖特基势垒二极管及其制造方法
本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有的肖特基势垒二极管的开启电压较高的技术问题。该肖特基势垒二极管，包括：N型碳化硅衬底；位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层；位于所述低掺杂...
李诚瞻刘可安吴煜东杨勇雄史晶晶蒋华平唐龙谷赵艳黎吴佳
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一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法
一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法，该结构包括好的元件和坏的元件，所述好的元件和坏的元件在铜盖和铜底之间采用压接式封装；所述铜盖与好的元件的金属接触层阳极之间通过第一钼片扣合，所述铜底与好的元件阴极之...
李诚瞻吴煜东刘可安周正东史晶晶杨勇雄吴佳蒋华平赵艳黎
一种碳化硅功率器件结终端的制造方法
本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端的制造方法。该碳化硅功率器件结终端的制造方法包括以下步骤：步骤1：在外延层上形成牺牲层；步骤2：在牺牲层上制作掩膜，以形成场限环的注入窗口；步骤3：刻蚀牺牲层的未被掩膜覆盖的部分；步骤4...
蒋华平刘可安吴煜东李诚瞻赵艳黎吴佳唐龙谷
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半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法，耐压终端结构包括：第一掺杂区，以及掺杂浓度相对于第一掺杂区较轻的第二掺杂区。半导体器件耐压终端结构的刻蚀剖面采用连续光滑曲面的台面结构，刻蚀剖面从第一...
吴佳吴煜东刘可安李诚瞻史晶晶蒋华平唐龙谷赵艳黎杨勇雄
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一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法
本发明属于PiN器件领域，尤其涉及一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法，该方法包括以下步骤：a)准备碳化硅PiN基体；b)在碳化硅PiN基体的P型SiC外延层表面沉积非晶硅层；c)分别在沉积有非晶硅层的碳化硅PiN基体的S...
史晶晶李诚瞻吴佳杨程刘国友刘可安
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一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法
本发明涉及一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法，属于SiC MOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO<Sub>2</Sub>栅氧化层，然后在500～1000℃，优选700～800℃下，包含Cl...
李诚瞻刘可安赵艳黎周正东吴佳杨勇雄丁荣军
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一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法
本申请公开了一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法，包括：在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜；去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层；在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触；在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口；在所述碳化...
史晶晶李诚瞻刘国友赵艳黎周正东高云斌吴佳杨勇雄刘可安
一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法
本申请公开了一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法，包括：在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜；去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层；在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触；在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口；在所述碳化...
史晶晶李诚瞻刘国友赵艳黎周正东高云斌吴佳杨勇雄刘可安
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一种功率器件结终端结构与制造方法
本发明涉及一种功率器件结终端结构与制造方法。所述功率器件结终端结构包括：场限环，其间隔设置于最外侧主结的外侧；电荷补偿区，其通过掺杂间隔形成于外延层，所述电荷补偿区贯穿所述最外侧主结的靠外侧的冶金结面和所述场限环的靠外侧...
蒋华平刘可安吴煜东李诚瞻赵艳黎吴佳唐龙谷
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