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一种碳化硼陶瓷断裂韧性测试试条的开槽加工方法: 本发明涉及一种碳化硼陶瓷断裂韧性测试试条的开槽加工方法。所述开槽加工方法为：利用划片机，采用金刚石刀片对碳化硼陶瓷多次小进给的叠加的方法，实现碳化硼陶瓷试条的制备。; 顾青华吴泓澍朱寿政

异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法: 本发明涉及异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法，属于晶体生长领域。本发明用F-和Sb3+离子双掺杂，在此基础上引入Mo6+，V5+</...; 严东生谢建军袁晖廖晶莹沈炳孚童乃柱邵培发叶崇志熊巍李培俊吴泓澍展宗贵陈良朱翔宇; 文献传递

精准定位装置和核辐射探测用碘化铯晶体的加工方法: 本发明涉及精准定位装置和核辐射探测用碘化铯晶体的加工方法。其中用于粘结方柱状碘化铯晶体和圆柱状专用工装的精准定位装置包括：直角工件定位装置；所述直角工件定位装置的外直角的边长为(90～110)mm×(90～110)mm，...; 吴泓澍顾青华朱寿政

有机锡化合物掺杂聚乙烯基甲苯基塑料闪烁体的制备、光学和闪烁性能: 2022年; 传统的塑料闪烁体由于其低有效原子序数和密度,不适用于能谱探测领域。有机重金属化合物掺杂塑料闪烁体的制备为塑料闪烁体实现能谱探测提供了一种有效途径。而有机锡化合物掺杂塑料闪烁体具有高光峰灵敏度,并保留了塑料闪烁体的快衰减特性。本文通过自由基聚合的方法成功制备了不同浓度2-(三丁基锡烷基)呋喃掺杂的聚乙烯基甲苯(PVT)基塑料闪烁体,并对其光学和闪烁性能进行了测试和比较。其中掺杂20%2-(三丁基锡烷基)呋喃的PVT基塑料闪烁体的透光率可达90%,X射线激发发射光谱主峰位于425 nm处,光产额为6700 ph/MeV,能量分辨率为15.8%@662 keV,衰减时间约为4.3 ns。我们也制备了1英寸直径、掺杂20%2-(三丁基锡烷基)呋喃的塑料闪烁体,具有6300 ph/MeV的光产额和15.8%@662 keV的能量分辨率。; 李雯李云云秦来顺吴泓澍钱森吴云涛; 关键词：塑料闪烁体有机锡化合物光学性能能量分辨率

超大尺寸锗酸铋闪烁晶体的研制及面向空间暗物质粒子探测的应用: 陈俊锋倪海洪王绍华周里华刘光煜赵鹏计志明袁兰英宋桂兰吴泓澍周学农杜勇张健齐雪君; 该项目属于新材料领域，人工晶体材料学科。无机闪烁体是能够将入射到其中的高能粒子或射线能量转换为光脉冲的一类光功能材料。锗酸铋(Bi4Ge3O12, BGO)是一种综合性能优异的无机闪烁体，但是超大尺寸BGO晶体制备技术一...; 关键词：; 关键词：空间探测器光功能材料

阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法: 本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到...; 严东生殷之文廖晶莹沈炳孚童乃志邵培发袁晖谢建军叶崇志周乐萍李培俊吴泓澍杨培志倪海洪刘光煜; 文献传递

异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法: 本发明涉及异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法，属于晶体生长领域。本发明用F－和Sb3+离子双掺杂，在此基础上引入Mo6+，V5+</...; 严东生谢建军袁晖廖晶莹沈炳孚童乃柱邵培发叶崇志熊巍李培俊吴泓澍展宗贵陈良朱翔宇; 文献传递

一种亚毫米级高分辨闪烁晶体阵列及其制备方法和应用: 本发明涉及一种亚毫米级高分辨闪烁晶体阵列及其制备方法和应用。所述亚毫米级高分辨闪烁晶体阵列包括：由多个直径或边长0.1～1mm的闪烁晶体像素晶柱组成的阵列、用于隔开每个闪烁晶体像素晶柱的高反射介质层和隔光介质层、以及用于...; 丁栋舟赵书文杨帆朱寿政吴泓澍王林伟武安华张中晗薛中军

阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法: 本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到...; 严东生殷之文廖晶莹沈炳孚童乃志邵培发袁晖谢建军叶崇志周乐萍李培俊吴泓澍杨培志倪海洪刘光煜; 文献传递

一种微小结构件的加工方法: 本发明涉及一种微小结构件的加工方法。所述微小结构件的最大尺寸不超过5mm；所述加工方法包括：(1)将多个微小结构件的待加工工件放置于具有阵列孔的工装支架的孔中，采用粘结剂填充在待加工工件和孔之间孔隙中；(2)然后放置在精...; 朱寿政吴泓澍顾青华

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吴泓澍