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崔京京
作品数:
6
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供职机构:
浙江大学
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相关领域:
电子电信
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盛况
浙江大学
郭清
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周伟成
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邓永辉
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蔡超峰
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机构
6篇
浙江大学
作者
6篇
崔京京
5篇
郭清
5篇
盛况
3篇
周伟成
2篇
邓永辉
1篇
蔡超峰
年份
1篇
2015
3篇
2012
2篇
2011
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新型碳化硅肖特基二极管
本发明涉及一种半导体器件,公开了一种应用于高压高频系统如大功率整流、开关电源、变频器等装置中的新型碳化硅肖特基二极管。它包括SiC衬底(2),SiC衬底(2)下端连接有阴极(1),SiC衬底(2)上端连接有SiC外延层(...
盛况
郭清
邓永辉
崔京京
周伟成
文献传递
绝缘栅双极型晶体管的设计与研究
绝缘栅双极型晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)由于其较高的开关速度、较低的功率损耗以及易于控制和驱动而广泛应用于电力电子领域。尽管三十年来IGBT技术不断发展,性能不断...
崔京京
关键词:
绝缘栅双极型晶体管
芯片设计
硅单晶
新型碳化硅MOSFET
本发明涉及一种半导体器件,公开了一种应用于高压条件下的电气设备如交流电机、变频器、开关电源、牵引传动等场合的新型碳化硅MOSFET。它包括设于下端的漏极(1)、设于上端的源极(8)和栅极(9),漏极(1)上方依次连接有缓...
盛况
郭清
蔡超峰
崔京京
周伟成
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绝缘栅双极晶体管
本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管,它的底部为集电极,向上依次集成集电区、缓冲层、漂移区、P阱区和发射区。发射区顶部覆盖有发射极,栅极9横跨在发射区、P阱区和漂移区之上,栅极处在多晶硅之中。SiO<Sub>2</Sub>绝...
盛况
崔京京
郭清
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新型碳化硅肖特基二极管
本发明涉及一种半导体器件,公开了一种应用于高压高频系统如大功率整流、开关电源、变频器等装置中的新型碳化硅肖特基二极管。它包括SiC衬底(2),SiC衬底(2)下端连接有阴极(1),SiC衬底(2)上端连接有SiC外延层(...
盛况
郭清
邓永辉
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周伟成
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一种绝缘栅双极晶体管
本实用新型公开了一种绝缘栅双极晶体管,它的底部为集电极,向上依次集成集电区、缓冲层、漂移区、P阱区和发射区。发射区顶部覆盖有发射极,栅极9横跨在发射区、P阱区和漂移区之上,栅极处在多晶硅之中。SiO<Sub>2</Sub...
盛况
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