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崔京京

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇电源
  • 3篇碳化硅
  • 3篇晶体管
  • 3篇绝缘栅
  • 3篇开关电源
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇压降
  • 2篇势垒
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇碳化硅肖特基...
  • 2篇外延层
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基二极管
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇肖特基势垒二...
  • 2篇绝缘栅双极晶...
  • 2篇集电极
  • 2篇二极管
  • 2篇发射极

机构

  • 6篇浙江大学

作者

  • 6篇崔京京
  • 5篇郭清
  • 5篇盛况
  • 3篇周伟成
  • 2篇邓永辉
  • 1篇蔡超峰

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2012
  • 2篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
新型碳化硅肖特基二极管
本发明涉及一种半导体器件，公开了一种应用于高压高频系统如大功率整流、开关电源、变频器等装置中的新型碳化硅肖特基二极管。它包括SiC衬底（2），SiC衬底（2）下端连接有阴极（1），SiC衬底（2）上端连接有SiC外延层（...
盛况郭清邓永辉崔京京周伟成
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绝缘栅双极型晶体管的设计与研究
绝缘栅双极型晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)由于其较高的开关速度、较低的功率损耗以及易于控制和驱动而广泛应用于电力电子领域。尽管三十年来IGBT技术不断发展,性能不断...
崔京京
关键词：绝缘栅双极型晶体管芯片设计硅单晶
新型碳化硅MOSFET
本发明涉及一种半导体器件，公开了一种应用于高压条件下的电气设备如交流电机、变频器、开关电源、牵引传动等场合的新型碳化硅MOSFET。它包括设于下端的漏极（1）、设于上端的源极（8）和栅极（9），漏极（1）上方依次连接有缓...
盛况郭清蔡超峰崔京京周伟成
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绝缘栅双极晶体管
本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管，它的底部为集电极，向上依次集成集电区、缓冲层、漂移区、P阱区和发射区。发射区顶部覆盖有发射极，栅极9横跨在发射区、P阱区和漂移区之上，栅极处在多晶硅之中。SiO<Sub>2</Sub>绝...
盛况崔京京郭清
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新型碳化硅肖特基二极管
本发明涉及一种半导体器件，公开了一种应用于高压高频系统如大功率整流、开关电源、变频器等装置中的新型碳化硅肖特基二极管。它包括SiC衬底（2），SiC衬底（2）下端连接有阴极（1），SiC衬底（2）上端连接有SiC外延层（...
盛况郭清邓永辉崔京京周伟成
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一种绝缘栅双极晶体管
本实用新型公开了一种绝缘栅双极晶体管，它的底部为集电极，向上依次集成集电区、缓冲层、漂移区、P阱区和发射区。发射区顶部覆盖有发射极，栅极9横跨在发射区、P阱区和漂移区之上，栅极处在多晶硅之中。SiO<Sub>2</Sub...
盛况崔京京郭清
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