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周伟成

作品数：13 被引量：48H指数：4
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：浙江省科技计划项目国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 3篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 7篇碳化硅
  • 6篇电源
  • 3篇开关电源
  • 2篇电感
  • 2篇优化设计
  • 2篇势垒
  • 2篇碳化硅器件
  • 2篇碳化硅肖特基...
  • 2篇外延层
  • 2篇温度特性
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基二极管
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇肖特基势垒二...
  • 2篇谐振
  • 2篇静态特性
  • 2篇开关特性
  • 2篇硅器件
  • 2篇二极管
  • 2篇高频系统

机构

  • 13篇浙江大学
  • 3篇杭州中信网络...
  • 1篇安徽电气工程...

作者

  • 13篇周伟成
  • 7篇郭清
  • 7篇盛况
  • 3篇蔡超峰
  • 3篇崔京京
  • 2篇马皓
  • 2篇邓永辉
  • 2篇张海军
  • 2篇陈敏
  • 2篇邓永辉
  • 1篇谷彤
  • 1篇程士东
  • 1篇周永忠
  • 1篇张斌

传媒

  • 2篇电力电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇机电工程
  • 1篇中国电源学会...
  • 1篇中国电工技术...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2008
  • 3篇2007
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半桥LLC谐振变换器效率优化方案的研究被引量：20
2007年
半桥LLC谐振变换器因谐振电流和变压器次级输出电流太大,会导致开关损耗和导通损耗过大。针这一问题,提出了优化设计变压器励磁电感Lm来降低谐振电流和变压器次级输出电流有效值的方案。介绍了谐振频率工作电路和宽范围输出工作电路的设计方案,并给出了输出直流电压为45￣60V的变换器在输出直流电压为50V,输出负载功率为1.5kW时的实验结果。
周伟成马皓张海军
关键词：变换器谐振励磁电感
碳化硅功率器件的性能分析与多芯片并联应用研究
基于碳化硅等宽禁带半导体新材料的电力电子器件在电力电子应用领域展现出了巨大的潜力，但由于电路设计者和系统应用的厂商对这些宽禁带半导体电力电子器件的性能和优势缺乏足够的认识，目前该类器件在实际应用中推广遇到了很大的阻碍。为...
周伟成
关键词：热失控动态电阻
文献传递
3kW LLC谐振式模块化通信电源
负载的多样化，特别是负载功率的多变性，以及人们对设备成本投入的最低化和阶段化，需要适用面更广，稳定性更高，还需要具备冗余性和可扩容性的电源与之相适应。这些都对传统的集中式电源提出了挑战，随着模块化分布式电源的技术发展，模...
周伟成
关键词：模块电源PFCLLC谐振
文献传递
新型碳化硅MOSFET
本发明涉及一种半导体器件，公开了一种应用于高压条件下的电气设备如交流电机、变频器、开关电源、牵引传动等场合的新型碳化硅MOSFET。它包括设于下端的漏极（1）、设于上端的源极（8）和栅极（9），漏极（1）上方依次连接有缓...
盛况郭清蔡超峰崔京京周伟成
文献传递
最大电流均流技术的研究
针对平均电流均流法的不足,给出了在平均电流均流法的基础上发展起来的最大电流均流法及其均流控制的分析;为了实现模块化电源系统的支路限流功能,提出了一种电压环和限流环互补式自动选择工作的限流最大电流均流控制方案,并对其进行一...
周伟成马皓周永忠张海军
关键词：电源系统
文献传递
SiC MOSFET和GaN HEMT的导通电阻可靠性评估被引量：1
2018年
碳化硅金属氧化物半导体场效应管(Si C MOSFET)和氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)这两种器件内部存在容易捕获电子的"陷阱",会影响导电沟道的性能,进而影响器件的导通电阻。对SiC MOSFET和GaN HEMT各选取了一款典型的商用器件,分别对Si C MOSFET和GaN HEMT的导通电阻可靠性进行了测试。测试结果表明,Si C MOSFET的导通电阻变化量相对小,且应力停止后导通电阻可以恢复到初始状态,这说明其界面态陷阱密度比GaN HEMT更低,因此实际应用中无需考虑导通电阻的稳定性;而GaN HEMT的动态电阻变化较大,这极大地增加了导通损耗,影响系统的可靠性,因此在实际应用中需要考虑导通电阻变化对导通性能的影响。
蒋多晖周伟成张斌郭清
关键词：可靠性
新型碳化硅电力电子器件的测试与对比研究
对新型材料器件——碳化硅MOSFET、碳化硅JFET、碳化硅BJT进行了静态和动态的测试，并和相同电压电流等级的硅材料器件(Si IGBT、Si MOSFET、CooIMos)做了对比分析、同时也在碳化硅器件之间做了一...
周伟成蔡超峰邓永辉陈敏郭清盛况
关键词：碳化硅器件静态特性温度特性开关特性电力电子技术
新型碳化硅肖特基二极管
本发明涉及一种半导体器件，公开了一种应用于高压高频系统如大功率整流、开关电源、变频器等装置中的新型碳化硅肖特基二极管。它包括SiC衬底（2），SiC衬底（2）下端连接有阴极（1），SiC衬底（2）上端连接有SiC外延层（...
盛况郭清邓永辉崔京京周伟成
文献传递
最大电流均流技术及应用被引量：16
2008年
针对平均电流均流法的不足,分析了最大电流均流法及其均流控制;为了实现模块化电源系统的支路限流功能,提出了一种电压环和限流环互补式自动选择工作的限流最大电流均流控制方案,并对其进行了理论分析,通过两模块电源系统的实验对该控制方法进行了验证。
周伟成周永忠张海军马皓
关键词：限流
一种低寄生电感IGBT半桥模块被引量：7
2014年
针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)半桥模块的寄生电感在实际应用中会引起芯片过电压及较大的关断损耗、电磁干扰等问题,设计了一种采用新型芯片布局方式的模块结构。设计中考虑了半桥模块在电力电子电路中的工作方式与模块内部各元件的工作状态,分析了通路寄生电感的作用机理,将工作在同一换流回路中的各元件放置在一起,减小了模块内部换流通路的长度,从而减小了其带来的寄生电感值。为保证功率模块封装的兼容性,制作了具有相同封装尺寸的传统商用型IGBT半桥模块与采用了新型芯片布局方式的IGBT半桥模块,搭建了电感测试电路对制作完成的两种模块进行公平地测试比较。实验结果表明,在模块和外部电路接口不变的情况下,新型模块的寄生电感比传统型减少了35%。
谷彤程士东郭清周伟成盛况
关键词：绝缘栅双极型晶体管寄生电感GATEBIPOLAR
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