张东炎
- 作品数：21 被引量：17H指数：3
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：乌鲁木齐市科技攻关项目乌鲁木齐市科技创新种子资金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- Co_(0.8)Mn_(0.8)Ni_(0.9)Fe_(0.5)O_4纳米粉体的制备及热敏特性研究被引量：7
- 2009年
- 采用共沉淀法,以NH4HCO3为沉淀剂制备了Co0.8Mn0.8Ni0.9Fe0.5O4负温度系数(NTC)热敏电阻纳米粉体材料,研究了不同预烧温度对材料相结构的影响,探讨了不同烧结工艺对NTC热敏电阻材料微观结构和热敏性能的影响.采用X射线衍射(XRD)、综合热分析(TG/DTA)、红外(FT-IR)、扫描电子显微技术(SEM)和激光粒度分析仪对制备的样品进行了表征.结果表明,750℃预烧后的粉体为纯尖晶石相,晶粒粒度为32.1nm,颗粒粒径在50～100nm范围内.通过对不同烧结程序的对比研究发现,当烧结程序为:840℃、1200℃各保温2h,升降温速率为1℃/min时,样品电学性能较好:ρ25℃=1183Ω.cm,B25/50=3034K.分析表明,该烧结程序能有效改善热敏电阻材料的微观结构和热敏性能.根据lnρ-1/T曲线斜率计算了经不同工艺烧结后热敏电阻材料的激活能在0.26eV左右.
- 张东炎张惠敏靳先静常爱民
- 关键词：NTC热敏电阻纳米粉体共沉淀法电阻率
- Mn_(0.43)Ni_(0.9)CuFe_(0.67)O_4 NTC热敏材料的Pechini法制备及微波烧结特性研究被引量：3
- 2009年
- 为制备材料常数(B值)1900K左右宽温区NTC热敏电阻,将Pechini方法制备的Mn0.43Ni0.9CuFe0.67O4粉体置于2.45GHz多模腔微波炉中,经不同温度下微波煅烧压制成型后,于1000℃下微波烧结.采用红外(FT-IR),X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),粒度分析分别对样品的晶体结构、相组成、形貌和粒度分布进行了表征.结果表明,不同煅烧和烧结工艺对元件的电学性能有很大的影响;微波最佳煅烧温度为650℃,比常规煅烧所需温度低;微波烧结能够获得微观结构均匀致密的陶瓷体;微波烧结制得元件的B值和电阻率均匀性较好,其B值平均值为1930K,偏差为0.31%,电阻率ρ的平均值为135Ω.cm,偏差为4.55%;而常规烧结制得元件的B值平均值为1720K,偏差为1.47%,电阻率ρ的平均值为78Ω.cm,偏差为25.34%.复阻抗分析表明,微波烧结后样品的晶粒电阻Rb和晶界电阻Rgb分别为255和305Ω,而常规烧结样品的晶粒和晶界电阻分别为200和230Ω.
- 靳先静常爱民张惠敏张东炎
- 关键词：微波烧结NTC
- 多结叠层电池及其制备方法
- 本发明提供一种多结叠层电池，包括一衬底、一InGaN基电池膜层与一III-V族多结电池膜层，所述衬底置于所述III-V族多结电池膜层的裸露表面，所述InGaN基电池膜层与III-V族多结电池膜层之间通过键合方式以连接。本...
- 郑新和张东炎李雪飞吴渊渊陆书龙杨辉
- 文献传递
- 含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作
- 2011年
- 提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以此在形成p-GaN纳米阵列结构时获得光滑的n-GaN层表面,以此改善后续金属电极的沉积.经测试,含有p-GaN纳米阵列结构的电池峰值外量子效率可达55%,比常规p-GaN膜层基InGaN/GaN太阳能电池的外量子效率提高了10%.
- 唐龙娟郑新和张东炎董建荣王辉杨辉
- 关键词：太阳能电池外量子效率
- 基于纳米柱阵列的光电器件及其制作方法
- 一种基于纳米柱阵列结构的光电器件及其制作方法。该光电器件包括表面具有纳米柱阵列结构的n型或p型半导体层，该纳米柱阵列上依次生长有垂直结构有源区和横向连续无裂痕的p型或n型区，该p型或n型区上覆设电流扩展层，该n型或p型半...
- 张东炎郑新和李雪飞董建荣杨辉
- 文献传递
- 异质结太阳能电池及其制备方法
- 本发明提供一种异质结太阳能电池，包括一具有第一导电类型的第一薄膜，以及在第一薄膜表面依次设置的一有源区及一具有第二导电类型的第二薄膜，所述第一薄膜与有源区之间还包括一与第一薄膜相异质的第一渐变缓冲层，第二薄膜与有源区之间...
- 吴渊渊郑新和张东炎李雪飞陆书龙杨辉
- 文献传递
- 掺杂超晶格结构的太阳能电池及其制备方法
- 本发明提供一种掺杂超晶格结构的太阳能电池，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于...
- 郑新和李雪飞张东炎吴渊渊陆书龙杨辉
- 文献传递
- 异质结太阳能电池及其制备方法
- 本发明提供一种异质结太阳能电池，包括一具有第一导电类型的第一薄膜，以及在第一薄膜表面依次设置的一有源区及一具有第二导电类型的第二薄膜，所述第一薄膜与有源区之间还包括一与第一薄膜相异质的具有第一导电类型的接触层，第一薄膜、...
- 郑新和吴渊渊张东炎李雪飞陆书龙杨辉
- 文献传递
- 掺杂超晶格结构的太阳能电池及其制备方法
- 本发明提供一种掺杂超晶格结构的太阳能电池，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于...
- 郑新和李雪飞张东炎吴渊渊陆书龙杨辉
- 文献传递
- 高介电栅介质材料研究进展被引量：6
- 2008年
- 传统的栅介质材料SiO_2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.
- 武德起赵红生姚金城张东炎常爱民
- 关键词：晶化温度
