张普
- 作品数：42 被引量：57H指数：6
- 供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院“百人计划”国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 500W准连续波双量子阱半导体激光器
- 作为一种新型的半导体激光器件,双量子阱半导体激光器可以在同样电流下输出相当于单量子阱半导体激光器两倍的光功率。本文主要进行了双量子阱结构高功率半导体激光器的研制开发。首先研究并优化了器件的热管理和热应力管理,设计了一种新...
- 张普王警卫熊玲玲房艳李小宁彭晨辉刘兴胜
- 关键词：半导体激光器准连续波双量子阱
- 文献传递
- 一种高功率激光熔覆头
- 本发明公开了一种高功率激光熔覆头。该激光熔覆头的半导体激光叠阵的全部出射光先进行快慢轴准直，然后半导体激光叠阵上半部分准直光束被条纹镜透射后再被间隔一定距离反射镜反射，下半部分准直光束被条纹透射后，与上半部分的反射光合束...
- 张普孙玉博杨吴昊
- 文献传递
- 用于半导体激光器的准直器
- 本发明公开了一种用于半导体激光器的准直器，该准直器为非对称双曲面透镜，主要解决了现有技术无法同时对激光器快轴和慢轴进行准直、准直元件体积大和慢轴光束准直效果差不理想等问题。本发明可同时实现快慢轴光束准直，而且对快慢轴两个...
- 熊玲玲刘兴胜张普李小宁王敏王晓飚
- 文献传递
- 传导冷却单巴高功率半导体激光器热应力和smile研究被引量：3
- 2017年
- 利用有限元模型分别研究了回流过程和工作过程中传导冷却高功率半导体激光器的正应力、切应力和形变,并借助理论公式分析了热应力和smile的产生原因和分布规律.分析表明,在回流过程中热膨胀系数不匹配造成的切应力是正应力和变形的根源,而在工作过程中,热膨胀系数不匹配和温度梯度共同影响着热应力和变形.在此基础上,将回流导致的剩余应力和变形作为初始条件施加在有限元模型上,对工作状态器件的热应力和smile进行模拟,以获得更精确的模拟结果.最后,通过有限元模型和实验手段研究了不同热沉温度对smile的影响.结果表明,工作过程会导致器件的smile增大,热沉温度的升高也会造成smile进一步增大.
- 鲁瑶聂志强陈天奇张普熊玲玲吴的海李小宁王贞福刘兴胜
- 关键词：激光器高功率半导体激光器有限元方法热应力
- 用于高功率半导体激光器的功率扩展器
- 本发明提供一种用于高功率半导体激光器的功率扩展器，主要解决了现有技术难于将功率扩展至两倍以上，或扩展两倍以上功率容易造成功率扩展器损坏的问题。该用于高功率半导体激光器的功率扩展器，包括三个等腰直角三角棱镜，三个等腰直角三...
- 熊玲玲刘兴胜张普李小宁王敏王晓飚
- 大功率半导体激光器贴片层空洞热效应影响被引量：11
- 2011年
- 随着输出功率、转换效率、可靠性和制造工艺的提高以及成本的降低,大功率半导体激光器越来越广泛地应用于许多新的领域。大部分商业化销售的半导体激光器阵列/巴条是用铟作为焊料封装的。然而,在半导体激光器封装过程中不可避免地会在贴片层形成一些小空洞,这些小空洞在铟的电迁移和电热迁移作用下逐渐变大,这将导致芯片贴片层形成大量的空洞,造成芯片局部温度迅速上升。针对808 nm连续波40 W传导制冷单巴条半导体激光器阵列,系统地分析了半导体激光器贴片层空洞对发光点温度的影响以及贴片层内不同位置不同尺寸的空洞对发光点温升的影响,得到了发光点温升与空洞尺寸间的关系曲线。提出了利用空洞与发光点温度的关系及空间光谱来估算贴片层的空洞分布的方法,并将估算结果与实验测得的贴片层扫描声学显微图像进行了对比。
- 丁晓尘张普熊玲玲欧翔李小宁徐忠锋王警卫刘兴胜
- 关键词：激光器半导体激光器热行为
- 多量子阱半导体激光器及其制备方法
- 本发明提供了一种多量子阱半导体激光器及其制备方法，以提高多量子阱半导体激光器的散热效率，实现大功率、高可靠的激光输出。该多量子阱半导体激光器，包括多个量子阱层以及设置于各量子阱层之间的势垒层，其特殊之处在于：每个量子阱层...
- 张普刘兴胜熊玲玲王贞福刘晖聂志强
- 文献传递
- 一种高功率半导体激光器系统
- 本实用新型提供了一种高功率半导体激光器系统，以提高半导体激光器的可靠性，从而延长其使用寿命。该高功率半导体激光器系统，包括半导体激光器芯片，半导体激光器芯片封装后连接正极和负极，所述半导体激光器芯片通过正负极分别与电流/...
- 张普刘兴胜熊玲玲王贞福聂志强
- 文献传递
- 一种基于黑硅的表面增强拉曼光谱基底制备方法
- 本发明涉及一种光学材料制备方法，具体涉及一种基于黑硅的表面增强拉曼光谱基底制备方法，以解决现有技术通常都涉及较为复杂的材料合成以及加工工艺，难以实现短时间内大规模制备的技术问题。该制备方法，包括以下步骤：S1.1在SF<...
- 张书耀张普张笑墨朱香平王博任文贞赵卫白晋涛
- 大功率半导体激光器阵列热串扰行为被引量：4
- 2013年
- 以硬焊料传导制冷,30%填充因子半导体激光器阵列为例,建立了三维有限元模型,对阵列内部各发光单元之间的热串扰行为进行了分析研究。结果表明,当其连续波工作时间大于1.2 ms后,阵列内发光单元之间出现热串扰现象;当次热沉由CuW合金改为铜金刚石复合材料时,阵列内发光单元自热阻和相邻发光单元的串扰热阻降低,有效地降低了各发光单元之间的热串扰行为。保持阵列宽度、发光单元数目及发光单元周期不变,发现随阵列填充因子的增加,器件热阻以指数衰减趋势逐渐降低,而发光单元间的热串扰特性对此变化并不敏感;保持阵列单个发光单元输出功率,发光单元尺寸及阵列宽度不变,增加发光单元个数后,阵列内各发光单元之间热串扰加剧,填充因子越高阵列升温速率越快;但在最初约70μs内,包含不同数目发光单元的阵列最高温度差异仅约0.5℃,有利于多发光单元高填充因子器件高功率输出。
- 张志勇张普聂志强李小宁熊玲玲刘晖王贞福刘兴胜
- 关键词：激光器有限单元法半导体激光器阵列热阻
