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文献类型

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领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子器件
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  • 1篇光电子器件
  • 1篇光致
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  • 1篇光致发光特性
  • 1篇发光
  • 1篇发光特性

机构

  • 2篇河北大学

作者

  • 2篇王新占
  • 2篇路万兵
  • 2篇于威
  • 2篇徐焕钦
  • 1篇傅广生
  • 1篇徐艳梅
  • 1篇武利平
  • 1篇李兴阔

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
纳米晶硅的液相脉冲激光烧蚀法制备及其发光增强研究
路万兵于威武利平王新占李兴阔徐焕钦
由于纳米结构的量子限制效应,纳米晶硅呈现出了宽范围的能级可调和室温发光特性,在光通讯、全色显示、太阳能电池、生物荧光标签和硅基光集成等领域具有巨大应用潜力。该项目根据纳米晶硅自组织生长特点及其在光电领域的应用需求,主要采...
关键词:
关键词:光电子器件
纳米硅粒子的表面氧化及其光致发光特性被引量:2
2011年
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅粒子,并对其溶液发光的稳态和瞬态特性进行了研究。稳态光致发光结果显示,新制备的纳米硅粉体表现为峰值位于440 nm附近的蓝色发光,经长时间氧化后,该波段发光强度显著增强,并且出现另一峰值位于750 nm附近的红色发光带。不同波长激发和时间分辨光致发光谱的分析表明,纳米硅粒子蓝色发光归因于粒子内部载流子的带-带跃迁过程,衰减时间在纳秒量级,氧化造成该波段发光衰减时间常数增加。氧化后出现的红色发光来源于载流子经由表面缺陷态的辐射复合,该发光衰减寿命微秒量级。
于威徐焕钦徐艳梅王新占路万兵傅广生
关键词:光致发光
共1页<1>
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