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多应力结构CMOS器件的模拟研究: 2008年; 使用TCAD仿真工具Sentaurus在45 nm节点工艺下模拟研究了包含多应力结构的应变Si CMOS器件。模拟所得的开关电流比与相同节点工艺下报道的实验结果能很好吻合,验证了所用模型及方法的正确性。用Sentaurus工艺模拟工具得到了器件内部的应力和掺杂分布,并用Sentaurus器件模拟工具分析了各种应力结构对电学特性的影响。结果表明:在nMOS中,SMT和DSL能有效提高器件性能,而STI却会降低器件性能;在pMOS中,SiGe S/D和DSL的存在是性能改善的主要原因,而STI对性能改善的帮助较小。; 施昊周东张庆东顾晓峰; 关键词：应变硅互补金属氧化物半导体

一种应变硅半导体器件的模型及应变计算: 随着半导体器件特征尺寸的不断缩小，器件内部的应变及其对性能的影响已经成为一个重要的研究课题。本文使用有限元法研究了一种采用SiGe源漏结构的PMOS晶体管中硅沟道的应变及其分布情况。模拟结果与CBED实验测量数据能够较好...; 胥传金顾晓峰施昊于宗光; 关键词：有限元法 PMOS晶体管; 文献传递

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施昊