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胥传金

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：江南大学信息工程学院更多>>
发文基金：国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇有限元
  • 1篇应变硅
  • 1篇有限元法
  • 1篇有限元研究
  • 1篇锗硅
  • 1篇晶体管
  • 1篇沟道
  • 1篇PMOS
  • 1篇PMOS晶体...
  • 1篇硅

机构

  • 2篇江南大学

作者

  • 2篇于宗光
  • 2篇胥传金
  • 2篇顾晓峰
  • 1篇施昊

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 2篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
应变硅pMOS晶体管沟道应变的有限元研究被引量：3
2007年
通过有限元方法,研究了一种采用SiGe源漏结构的pMOS晶体管中硅沟道的应变及其分布情况,模拟计算结果与利用会聚束电子衍射方法测量得到的数据能够较好地吻合,验证了模拟模型及方法的正确性。结果表明:提高源漏SiGe中的Ge组分、减小源漏间距、增加源漏的刻蚀深度和抬高高度,能有效增加沟道的应变量,为通过控制应变改善载流子迁移率提供了设计依据。
胥传金顾晓峰于宗光
关键词：有限元应变硅锗硅PMOS
一种应变硅半导体器件的模型及应变计算
随着半导体器件特征尺寸的不断缩小，器件内部的应变及其对性能的影响已经成为一个重要的研究课题。本文使用有限元法研究了一种采用SiGe源漏结构的PMOS晶体管中硅沟道的应变及其分布情况。模拟结果与CBED实验测量数据能够较好...
胥传金顾晓峰施昊于宗光
关键词：有限元法PMOS晶体管
文献传递
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