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朱蔚雯

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：中国科学院科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子浓度
  • 1篇砷化镓
  • 1篇GAAS/A...
  • 1篇GAAS/A...
  • 1篇GAAS量子...
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 1篇杨悦非
  • 1篇王渭源
  • 1篇朱蔚雯

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1989
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaAs/AlGaAs量子阱中电子浓度的自洽计算被引量：1
1989年
应用波函数展开方法,自洽计算了调制掺杂AlGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱中电势能分布、子能级位置、2DEG浓度分布和2DEG面浓度n_s,以及这些参数与量子阱宽度、不掺杂AlGaAs厚度等材料参数的关系.计算表明,量子阱中2DEG n_s比单异质结n_s大2倍左右,量子阱宽度在200-300A之间n_s有个最大值;量子阱太宽时,2DEG主要集中在两边异质结界面附近,变为双异质结.
杨悦非朱蔚雯王渭源
关键词：掺杂电子浓度砷化镓
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共1页<1>
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