杨悦非
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaAs/AlGaAs量子阱中电子浓度的自洽计算被引量：1
- 1989年
- 应用波函数展开方法,自洽计算了调制掺杂AlGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱中电势能分布、子能级位置、2DEG浓度分布和2DEG面浓度n_s,以及这些参数与量子阱宽度、不掺杂AlGaAs厚度等材料参数的关系.计算表明,量子阱中2DEG n_s比单异质结n_s大2倍左右,量子阱宽度在200-300A之间n_s有个最大值;量子阱太宽时,2DEG主要集中在两边异质结界面附近,变为双异质结.
- 杨悦非朱蔚雯王渭源
- 关键词：掺杂电子浓度砷化镓
- Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结构二维电子气晶体管(TEGFET)
- 1987年
- 制备了耗尽型和增强型TEGFET,耗尽TEGFE单栅长1μm,其室温跨导g_m=90mS/mm;双栅栅长均为2μm。g_m=75mS/mm。双栅的结果优于本实验室相同结构与尺寸的离子注入型常规双栅MESFET与高掺杂沟道MIS结构肖特基势垒FET的实验结果。双栅耗尽型器件在77K下跨导增加到1.7倍。双栅增强型的TEGFET在室温0.6V栅偏压下,g_m=63mS/mm,在77K下增加到1.4倍。如器件中出现平行电导时,则器件性能退化,它不但使跨导降低,且随栅编压变化很大。文中讨论了这一现象。
- 吴鼎芬杨悦非季良赳忻尚衡史常忻
- 关键词：GA晶体管
- 2千兆赫GaAs分频器设计被引量：1
- 1990年
- 本文介绍了我国自行研制成功的GaAs 2千兆赫二分频分频器的设计。其试验电路测试结果表明该设计方法的可行性。
- 史常忻王庆康李晓明李志奇夏冠群杨悦非严萍
- 关键词：分频器
- 三毫米砷化镓梁式引线混频二极管研究
- 1991年
- 毫米波段介于微波波段和红外波段之间,兼有这两个波段的一些固有特点,其优点是抗干扰能力强、精度高、信息容量大,全天侯能力较强。在射电天文、等离子物理、遥感和国防工程上具有广泛的应用前景。毫米波混频管是毫米波系统中关键的元器件,国内对触须式混频管研究较多,但它的可靠性差,不能应用于实践之中,本文报导了能适合于机、弹、星载上应用的高可靠性三毫米GaAs梁式引线混频管的研究工作。现已研究制出具有介质加强框架的梁式引线混频管样品,初步结果为:在64GHz下,NF=10.4～10.5dB,在37GHz下双边带噪声系数包括中放NF=3.1dB。
- 夏冠群李爱珍郭方敏王建新施健杨悦非
- 关键词：毫米波砷化镓混频二极管
- 强磁场及宽温区（4.2°K～300°K）离子注入GaAs霍尔元件
- 乔墉杨悦非罗朝渭
- 关键词：离子注入砷化镓强磁场磁通量密度温度范围
