李咪
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：武汉理工大学材料科学与工程学院材料复合新技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- Cu对Fe:In_2O_3稀磁半导体结构和磁性能的影响
- 2009年
- 采用高温固相反应法制备出稀释磁性半导体（In0．9-xFe0.1Cux）2O3（x=0-0．03）。分别用XRD和VSM对样品的结构和性能进行了表征。研究表明：样品在0≤X≤0．01时，均为单相结构且晶格常数随Cu的含量．27的增大而减小；而z〉0．01后，出现杂质相且晶格常数随Cu的含量z的增大而增大。在无Cu掺杂和高掺杂时样品均表现为室温顺磁性，而Cu适量掺杂的样品在室温下具有铁磁性，研究表明室温铁磁性与载流子浓度、3d原子浓度密切相关。
- 李咪孙志刚蔡勇高洪陈炎兵段伟顾尔丹
- 关键词：IN2O3室温铁磁性载流子浓度
- Nd_(60-x)Ce_xFe_(30)Al_(10)非晶合金的制备及性能
- 2009年
- 利用铜辊甩带法制备出名义成分为Nd60-xCexFe30Al10(x=0,10,20,30,60)合金条带样品。用X射线衍射仪(XRD)、示差扫描量热仪(DSC)、振动样品磁量计(VSM)测试条带样品的相组成、非晶形成能力和磁性能。XRD结果表明所制备的条带样品基本为非晶结构。DSC研究结果表明,当x=0,10时,样品未出现明显的玻璃转变,而当x=20,30,60时,样品出现了极低的玻璃转变温度Tg,分别为369 K,366 K,365 K,在整个Ce取代Nd的过程中,样品的晶化温度(Tx1,Tx)也随着x的增加而减小。当x≥20时,样品非晶形成能力(ΔTx=Tx1-Tg)随Ce含量增大而减小,其中当x=20时,ΔTx有最大值90 K。VSM结果显示,样品的饱和磁化强度Ms、剩余磁化强度Mr和矫顽力Hc均随Ce含量增加而近似成线性减小,条带样品的铁磁性减弱,Ce60Fe30Al10呈现完全的室温顺磁性。
- 段伟孙志刚高洪陈炎兵李咪王江月
- 关键词：CE非晶形成能力磁性能
- Fe、Cu共掺杂In/_2O/_3稀释磁性半导体的结构和室温铁磁性研究
- 氧化铟/(In/_2O/_3/)是一种具有立方铁锰矿型结构宽带隙/(3.75 eV/)半导体。通过引入氧空位和过渡金属元素掺杂,In/_2O/_3具有良好的室温铁磁性、导电性、透光性、气敏性且易于与多种半导体材料实现集成...
- 李咪
- 关键词：掺杂真空蒸镀载流子浓度
- 文献传递
- Ni掺杂Fe:In_2O_3稀磁半导体的结构和磁性能被引量：1
- 2009年
- 采用高温固相反应法制备出了(In0.9-xFe0.1Nix)2O3(x=0～0.03)。使用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)分析了样品的微结构和室温下的磁性能。结果表明:不同烧结温度下(970°～1100°)对于0≤x≤0.02时,样品均为单相,晶格常数随x变大而降低,在x=0.02时取得最大饱和磁化强度Ms=1.267emu/g(T=300K)。x=0.03时有杂质相析出。对于Fe:In2O3体系无Ni掺杂时表现为顺磁,Ni掺杂后样品为室温铁磁性。结果表明:样品室温铁磁性与载流子浓度和磁性离子的引入有关。
- 陈里姚静李咪
- 关键词：稀磁半导体氧化铟固相反应掺杂改性
- 凹凸结构纳米多孔氧化硅的制备
- 2007年
- 采用金属辅助化学反应刻蚀法制备了具有凹凸结构的纳米多孔氧化硅，利用光学显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜和透射电子显微镜等，研究了刻蚀时间对纳米多孔氧化硅形貌结构的影响。结果表明：刻蚀初期在强氧化性酸的作用下，硅表面形成一层氧化硅薄膜，进一步刻蚀，氧化硅薄膜出现规则的周期性凹凸结构裂纹。最后展望了这种凹凸结构纳米多孔氧化硅的应用前景。
- 蔡勇孙志刚H．Akinaga余海湖顾尔丹李咪
