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凹凸结构纳米多孔氧化硅的制备: 2007年; 采用金属辅助化学反应刻蚀法制备了具有凹凸结构的纳米多孔氧化硅，利用光学显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜和透射电子显微镜等，研究了刻蚀时间对纳米多孔氧化硅形貌结构的影响。结果表明：刻蚀初期在强氧化性酸的作用下，硅表面形成一层氧化硅薄膜，进一步刻蚀，氧化硅薄膜出现规则的周期性凹凸结构裂纹。最后展望了这种凹凸结构纳米多孔氧化硅的应用前景。; 蔡勇孙志刚H．Akinaga余海湖顾尔丹李咪

Cu对Fe:In_2O_3稀磁半导体结构和磁性能的影响: 2009年; 采用高温固相反应法制备出稀释磁性半导体（In0．9-xFe0.1Cux）2O3（x=0-0．03）。分别用XRD和VSM对样品的结构和性能进行了表征。研究表明：样品在0≤X≤0．01时，均为单相结构且晶格常数随Cu的含量．27的增大而减小；而z〉0．01后，出现杂质相且晶格常数随Cu的含量z的增大而增大。在无Cu掺杂和高掺杂时样品均表现为室温顺磁性，而Cu适量掺杂的样品在室温下具有铁磁性，研究表明室温铁磁性与载流子浓度、3d原子浓度密切相关。; 李咪孙志刚蔡勇高洪陈炎兵段伟顾尔丹; 关键词：IN2O3 室温铁磁性载流子浓度

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蔡勇