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顾尔丹

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉理工大学材料科学与工程学院材料复合新技术国家重点实验室更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇导体
  • 1篇氧化硅
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶凝胶
  • 1篇溶胶凝胶法
  • 1篇溶胶凝胶法制...
  • 1篇室温铁磁性
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性
  • 1篇凝胶法制备
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇半导体
  • 1篇CU
  • 1篇FE
  • 1篇IN2O3

机构

  • 3篇武汉理工大学

作者

  • 3篇顾尔丹
  • 3篇孙志刚
  • 2篇李咪
  • 2篇蔡勇
  • 2篇陈炎兵
  • 2篇余海湖
  • 1篇段伟
  • 1篇高洪
  • 1篇魏琳琳

传媒

  • 2篇武汉理工大学...
  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
溶胶凝胶法制备氧化硅薄膜裂纹形貌研究
2009年
用溶胶凝胶法在玻璃基底上制备了波浪形纳米裂纹,并研究了氧化硅薄膜内波浪形纳米裂纹的形貌和生长过程。波浪形裂纹宽度在50—500 nm之间,振幅和波长在5—10μm内。波浪形裂纹总是在缺陷处优先生长。波浪形裂纹的生长过程中要经历3个阶段:波浪形裂纹尖端孕育形成、裂纹加速生长、快速生长直到生长结束。波浪形裂纹扩展长度随着热处理时间增加而增加,其扩张长度可以达到100μm以上。这些波浪形裂纹可以用作制备纳米线的模板。
陈炎兵孙志刚魏琳琳余海湖顾尔丹
关键词：二氧化硅SOL-GEL
Cu对Fe:In_2O_3稀磁半导体结构和磁性能的影响
2009年
采用高温固相反应法制备出稀释磁性半导体（In0．9-xFe0.1Cux）2O3（x=0-0．03）。分别用XRD和VSM对样品的结构和性能进行了表征。研究表明：样品在0≤X≤0．01时，均为单相结构且晶格常数随Cu的含量．27的增大而减小；而z〉0．01后，出现杂质相且晶格常数随Cu的含量z的增大而增大。在无Cu掺杂和高掺杂时样品均表现为室温顺磁性，而Cu适量掺杂的样品在室温下具有铁磁性，研究表明室温铁磁性与载流子浓度、3d原子浓度密切相关。
李咪孙志刚蔡勇高洪陈炎兵段伟顾尔丹
关键词：IN2O3室温铁磁性载流子浓度
凹凸结构纳米多孔氧化硅的制备
2007年
采用金属辅助化学反应刻蚀法制备了具有凹凸结构的纳米多孔氧化硅，利用光学显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜和透射电子显微镜等，研究了刻蚀时间对纳米多孔氧化硅形貌结构的影响。结果表明：刻蚀初期在强氧化性酸的作用下，硅表面形成一层氧化硅薄膜，进一步刻蚀，氧化硅薄膜出现规则的周期性凹凸结构裂纹。最后展望了这种凹凸结构纳米多孔氧化硅的应用前景。
蔡勇孙志刚H．Akinaga余海湖顾尔丹李咪
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