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杨蕊

作品数:4 被引量:4H指数:1
供职机构:辽宁师范大学物理与电子技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金辽宁省高校创新团队支持计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 3篇ZNO纳米
  • 3篇ZNO纳米线
  • 2篇ZNO
  • 1篇电特性
  • 1篇多壁碳纳米管
  • 1篇异质结
  • 1篇制备及特性
  • 1篇水热
  • 1篇水热合成
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇热电
  • 1篇热电材料
  • 1篇热合成
  • 1篇无机
  • 1篇线阵列
  • 1篇纳米ZNO
  • 1篇纳米管
  • 1篇纳米线阵列

机构

  • 4篇辽宁师范大学

作者

  • 4篇杨蕊
  • 3篇王玉琼
  • 3篇李梦轲
  • 2篇付宏波
  • 2篇宋亚男
  • 2篇冯秋菊
  • 1篇顾吉林
  • 1篇付洪波
  • 1篇许宁宁
  • 1篇李雅楠
  • 1篇王楠
  • 1篇王军艳

传媒

  • 2篇中国科学:化...
  • 1篇辽宁师范大学...

年份

  • 4篇2014
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
取向纳米ZnO/Cu_2O异质结阵列的制备及光电特性被引量:1
2014年
以水热合成法制备的一维取向n型ZnO纳米线阵列为衬底,采用电化学沉积法在其上沉积生长一层p型Cu2O半导体包覆层,制备出了新型ZnO/Cu2O异质结纳米线阵列光敏器件.利用XRD、SEM、TEM、XPS、PL及光响应特性等测试方法对样品的形貌、晶体结构、化学成分及光电特性进行了分析表征.研究了生长条件对ZnO/Cu2O异质结纳米线阵列各种特性的影响.研究发现,适宜的沉积电压和沉积时间是保证ZnO/Cu2O异质结光敏器件具有适宜厚度核壳包覆层及较好光响应特性的关键因素.研究结果为ZnO及Cu2O半导体材料在光敏器件中的应用提供了实验基础.
宋亚男李梦轲张天民孙杰婷王楠王玉琼杨蕊付宏波冯秋菊顾吉林
关键词:ZNOCU2O纳米线异质结
ZnO纳米线基MWNTs/PVDF复合热电材料的制备及特性研究被引量:2
2014年
将不同比例的多壁碳管(MWNTs)与聚偏二氟乙烯(PVDF)聚合物混合后,喷涂于n型ZnO半导体纳米线阵列上,制备了一种新型ZnO纳米线基MWNTs/PVDF热电复合材料.与以往采用价格昂贵的p型与n型单壁碳纳米管(SWNTs)与聚合物混合制备的复合热电材料特性相比,这种新型热电复合材料在降低制造成本的同时,利用分散于聚合物中MWNTs的一维电子传输特性及形成的大量界面势垒,加上ZnO半导体纳米线具有的较高载流子密度与迁移率,提高了复合热电材料中电子的输运特性,增加了材料对声子的散射强度.测试发现,在一定的温度梯度下,随着MWNTs添加质量百分比的增加,热电材料的温差电动势和电导率也随之增加,但其Seebeck系数变化量不大.研究表明,这种热电材料有望替代采用p型与n型SWNTs构建的SWNTs/PVDF复合热电材料.研究结果对开发超轻、无毒、廉价、可应用于各种微纳电子领域的新型电源具有重要的参考价值.
王玉琼李梦轲张天民李雅楠杨蕊付宏波孙杰婷许宁宁王军艳
关键词:多壁碳纳米管ZNO纳米线热电材料
制备参数对ZnO纳米线阵列特性的影响被引量:1
2014年
针对目前水热法制备ZnO纳米线生长机制及成核过程中存在的一些模糊问题,利用水热法制备了一维ZnO纳米线阵列,研究了ZnO纳米线生长过程中反应液浓度、生长时间、反应压力、退火条件等实验参数对ZnO纳米线阵列的形貌、微结构及光电特性的影响,讨论了纳米线生长的成核机制及生长机理.研究结果对制备高质量一维ZnO半导体纳米线阵列并将其应用于微纳及光电子器件领域都有一定的参考价值.
李梦轲杨蕊张天民王玉琼付洪波宋亚男孙杰婷冯秋菊
关键词:ZNO纳米线水热合成
ZnO//PFO及ZnO//NPB无机//有机半导体纳米异质结的制备及特性研究
近年来,许多科研人员尝试使用新型有机半导体材料与传统无机半导体材料结合,制造无机//有机半导体器件,将此类器件应用于新型激光器、LED、光伏电池及光电探测器等技术。因氧化锌半导体材料具有价格低、易制备、无毒性、载流子传输...
杨蕊
关键词:ZNO纳米线阵列PFONPB
文献传递
共1页<1>
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