沙亚男
- 作品数：7 被引量：10H指数：3
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- DPLBT型高频硅光电负阻器件的研制
- 2002年
- 研制出特征频率 fT≥ 2 2 0MHz ,且具有较高光电灵敏度和最大峰值电流的光电负阻器件———达林顿光电λ型双极晶体管 (DPLBT) ,并首先用发光二极管 (LED)和光电负阻器件(DPLBT)封装成一种和常规光电耦合器不同的具有光电流开关、光控电流双稳态和光控正弦波振荡多种功能的新型光电耦合器 (PCDPLBT)。
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- 关键词：光电负阻器件光学双稳态光电耦合器
- SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系被引量：3
- 2000年
- 文章对电阻为负载时 ,硅光电负阻器件 (SPNRD)的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析。定义了描述静态光学双稳态特性的 7个基本参数 ,并分析了负载电阻 (RL)和电源电压 (V0 )对这些参数的影响 ,理论分析结果与实测结果相一致。所得出的结论适用于由负阻特性产生双稳态特性的所有情况。
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- 关键词：硅光电负阻器件
- 硅光电负阻器件的研究
- 硅光电负阻器件是受国家自然科学基金资助的科研项目,天津大学电子信息工程学院的微电子技术专业承担了这项研究工作.这项研究工作的主要内容包括器件的设计和研制、建立器件的物理模型,器件的模拟,进而达到优化器件性能的目的.该论文...
- 沙亚男
- 关键词：硅光电负阻器件光电双基区晶体管
- 文献传递
- 光电双向负阻晶体管的研制及特性分析
- 2001年
- 首次对双向负阻晶体管 (BNRT)进行了光敏化 ,设计并研制出既有光敏特性又有“S”型负阻特性的一种新型光电开关器件———光电双向负阻晶体管 (PBNRT)。介绍了器件的设计和研制过程 ;测量分析了其I V特性与光强和栅极电压的关系 ;
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- 关键词：光电开关
- 光电双基区晶体管(PDUBAT)物理模型探讨被引量：5
- 2001年
- 本文通过分析器件内部电流传输探讨了光电双基区晶体管 (PDUBAT)负阻特性产生机理 ,首次提出了PDUBAT负阻形成的原因是其输出管横向输出电流的反馈作用 。
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- 关键词：光电双基区晶体管物理模型
- 硅光电负阻器件的光电功能被引量：3
- 2000年
- 全面介绍了从硅光电负阻器件上发现的几种光电控制功能，为进一步开发应用这类器件奠定了基础。
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- 关键词：光电负阻器件光控电流开关
- 光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究被引量：4
- 2000年
- 光电双基区晶体管(PDUBAT)是一种能产生‘N’型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现PDUBAT在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振幅减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。
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- 关键词：光电负阻器件
