王伟明
- 作品数：8 被引量：11H指数：2
- 供职机构：华东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程更多>>
- 高效率晶硅与砷化镓太阳电池关键技术研发与产业化
- 陈少强王伟明张映斌褚君浩胡小波陶加华陈奕峰朱自强杨平雄徐建美李华江锦春左少华石富文
- 该项目以高效率太阳能电池关键技术研发与产业化为主要目标，解决了常规太阳电池检测技术中无法直接获取电池尤其是多结电池内部与局部详细信息的关键科学问题，开发出太阳电池绝对值电致发光(EL)效率与成像检测分析技术，获得三结砷化...
- 关键词：
- 关键词：图像检测技术
- 新型MEMS集成技术-高频开关及其功能电路集成研究
- 郭方敏赖宗声朱自强朱守正范忠朱荣锦龙永福忻佩胜杨震魏华征郑莹初建朋陈薇萍王伟明虞献文
- 该课题为华东师范大学的几个研究成果有分析和设计了由一组电容式开关和一组电感串、并联形成的相位连续可调，毫米波多位开关阵微机械移相器；研制的MEMS毫米波（开关阵列）移相器，用中国科学院上海微系统和信息技术研究所的Casc...
- 关键词：
- 关键词：MEMSRF开关移相器
- 低阻硅衬底上形成的低损耗共平面波导传输线被引量：1
- 2004年
- 在厚膜多孔硅 (PS) /氧化多孔硅 (OPS)衬底上 ,结合聚酰亚胺涂层改善表面 ,研制低损耗、高性能射频 (RF) /微波 (MW)共平面波导CPW(CoplanarWaveguide) .通过在N和P型硅上形成不同厚度PS膜 ,并对其上的CPW进行分析比较 ,厚膜PS与石英的共面波导插入损耗非常接近 ,远小于在 2 0 0 0Ω·cm高阻硅上形成的多晶硅 -氧化硅组合衬底 :在 0 33GHz范围 ,插入损耗小于 5dB/ 1.2cm ;33 4 0GHz范围 ,小于 7.5dB/ 1.2cm .
- 葛羽屏郭方敏王伟明徐欣游淑珍邵丽于绍欣朱自强陆卫
- 关键词：共平面波导插入损耗传输线CPW高阻硅GH
- 高阻硅掩膜选择性生长多孔硅阵列被引量：2
- 2004年
- 介绍一种在低阻P型硅衬底上用氢离子注入技术形成局部高阻硅掩膜,用电化学腐蚀选择性生长多孔硅微阵列的工艺流程。结果证明,用高阻硅掩膜选择性生长多孔硅具有很好的掩蔽效果,生成的多孔硅阵列的有序性和完整性良好。
- 陈少强朱建中朱自强邵丽王伟明郁可
- 关键词：电化学腐蚀
- 单晶纳米硅薄膜的制备及其场发射特性(英文)被引量：2
- 2004年
- 用小电流、特殊配比溶液的电化学阳极腐蚀法在p型、〈10 0〉晶向、0 0 1Ω·cm电阻率的硅片制备了大面积纳米硅薄膜 .通过SEM ,TEM ,XRD和Raman光谱技术分析薄膜颗粒的微细结构 .实验结果表明该纳米硅薄膜由直径为10～ 2 0nm ,晶向一致的颗粒紧密排列而成 ,具有很好的物理化学稳定性 .系统研究了薄膜结构特征和溶液配比、腐蚀时间、腐蚀电流密度的关系 .成功观察到该薄膜具有很好的场发射特性 ,在 0 1μA/cm2 电流密度下 ,其开启电场为 3V/ μm ,接近碳纳米管的 1 1V/ μm .
- 王伟明郁可丁艳芳李琼朱自强
- 关键词：场发射
- 硼离子选择注入制备多孔硅微阵列被引量：2
- 2004年
- 根据 p型硅和 n型硅不同的制备多孔硅的工艺条件 ,利用硼离子选择注入 ,在 n型硅片上的局部微区域 ,形成易于腐蚀的 p型硅 ,用电化学腐蚀方法制备出图形化的多孔硅阵列 .省去了传统掩膜腐蚀工艺的掩膜材料的选取与制备以及后道工艺中掩膜材料的清除等工艺 ,克服了掩膜材料掩蔽效果较差以及存在横向钻蚀等缺点 .通过 AFM,SEM测试 。
- 陈少强邵丽王伟明朱建中朱自强
- 关键词：选择性电化学腐蚀PACC
- 微控器件的MEMS结构仿真与纳米材料应用研究
- 2008年
- 对新型微纳流控结构进行了分析，对相关材料进行了改进设想，对引入纳米多孔材料加以性能改善进行了基础性研究，并给出了实体照片反映其生长机理；从功能理解角度对有限元分析软件之分析原理、分析进程、运行机理进行了分析，并给出了相关模拟结果。
- 葛羽屏纪江明顾晓清王伟明李成诗郭方敏
- 关键词：微流控有限元法
- 纳米硅和氧化锌纳米结构的制备及应用研究
- 纳米世界中纳米颗粒和纳米结构材料表现的奇妙特性，以及它们在光、电、磁和生化等各个领域展现的非凡应用前景，激发着人们对这一领域进行更加深入的研究。本论文用电化学腐蚀方法制备了硅纳米薄膜，用热蒸发技术制备了四角状和线性一维Z...
- 王伟明
- 关键词：纳米硅氧化锌
- 文献传递
