您的位置： 专家智库 > >

王娇

作品数：13 被引量：3H指数：1
供职机构：兰州大学更多>>
相关领域：电子电信水利工程天文地球政治法律更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇天文地球
  • 1篇水利工程
  • 1篇政治法律

主题

  • 10篇晶体管
  • 7篇静电感应晶体...
  • 5篇低阻
  • 5篇埋层
  • 4篇外延层
  • 4篇半导体
  • 3篇电流
  • 3篇电学参数
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇有机半导体
  • 3篇有机半导体材...
  • 3篇有机场效应晶...
  • 3篇晶体
  • 3篇沟道
  • 3篇浮栅
  • 3篇半导体材料
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇压降

机构

  • 13篇兰州大学

作者

  • 13篇王娇
  • 11篇杨建红
  • 9篇肖彤
  • 7篇杨盼
  • 6篇闫兆文
  • 5篇王欣
  • 4篇陈健
  • 1篇陈键

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2015
  • 1篇2006
共 13 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种电流增强型静电感应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种电流增强型静电感应晶体管(SIT)及其制备方法。本发明的晶体管包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层和位于高阻外延层内相互并联的多个SIT单元，其特征是位于高阻外延层内、沟道...
杨建红 谌文杰肖彤杨盼王欣陈健王娇 乔坚栗
文献传递
习近平青年教育观研究
本文主要运用文献研究法、历史与逻辑相统一法、归纳总结法及跨学科研究法等，从多学科视角对研究课题进行了较为系统和全面的考察，对习近平青年教育观的理论体系做了系统的梳理。集中整合了习近平关于“为谁培养青年，如何培养青年，培养...
王娇
一种静电感应器件的制备方法及装置
本发明公开了一种静电感应器件的制备方法及装置，涉及半导体器件制备，能够大大简化制备工艺程序，降低制备成本，更加适用于批量生产。技术方案要点为：将制备载体进行氧化处理；氧化后所述制备载体进行胶体附着；胶体附着后所述制备载体...
杨建红王娇乔坚栗闫兆文肖彤
文献传递
基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其制备方法
本发明公开了基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其制备方法，栅电极采用厚度为100～300nm重掺杂的低阻单晶硅衬底；形成于栅电极硅衬底表面的栅绝缘介质层；嵌于栅绝缘介质层与隧穿绝缘介质层之间的多晶硅浮栅，作为电荷存...
杨建红闫兆文肖彤谌文杰杨盼乔坚栗王娇
文献传递
电流可控型静电感应晶体管
本实用新型涉及一种电流可控型静电感应晶体管(SIT),包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层、位于高阻外延层内沟道下方的隐埋层和位于高阻外延层内相互并联的多个SIT单元，其特征在于隐埋层位...
杨建红王欣陈健肖彤王娇乔坚栗
文献传递
基于沟道隐埋层的电流可控型静电感应晶体管
本发明涉及一种基于沟道隐埋层的电流可控型静电感应晶体管(SIT),包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层、位于高阻外延层内沟道下方的隐埋层和位于高阻外延层内相互并联的多个SIT单元，其特征...
杨建红王欣陈健肖彤王娇乔坚栗
文献传递
新疆降水的环流背景场及水汽输送
20世纪末，新疆区域气候经历了由暖干向暖湿转型的变化。全疆气温普遍升高，大部分台站观测降水有增加趋势，沙尘天气次数减少，部分地区地面植被、生态环境有所改善。本文正是在此背景下，参考部分已有研究成果，利用新疆台站多年观测资...
王娇
关键词：暖湿气候大气环流水汽输送
文献传递
基于沟道隐埋层的电流可控型静电感应晶体管
本发明涉及一种基于沟道隐埋层的电流可控型静电感应晶体管(SIT),包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层、位于高阻外延层内沟道下方的隐埋层和位于高阻外延层内相互并联的多个SIT单元，其特征...
杨建红王欣陈健肖彤王娇乔坚栗
一种表面栅型静电感应晶体管
本实用新型涉及一种表面栅型静电感应晶体管(SIT)。本实用新型的晶体管由：漏极、位于漏极之上的N<Sup>+</Sup>低阻单晶的衬底、位于N<Sup>+</Sup>低阻单晶的衬底之上的N<Sup>-</Sup>高阻外延...
杨建红王娇乔坚栗闫兆文谌文杰杨盼
一种电流增强型静电感应晶体管
本实用新型涉及一种电流增强型静电感应晶体管(SIT)。本实用新型的晶体管包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层和位于高阻外延层内相互并联的多个SIT单元，其特征是位于高阻外延层内、沟道下方...
杨建红谌文杰肖彤杨盼王欣陈键王娇乔坚栗
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0