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杨盼

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：兰州大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 7篇晶体管
  • 4篇外延层
  • 4篇静电感应晶体...
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇有机半导体
  • 3篇有机半导体材...
  • 3篇有机场效应晶...
  • 3篇晶体
  • 3篇浮栅
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体材料
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇低阻
  • 2篇电流驱动
  • 2篇压降
  • 2篇有源层
  • 2篇真空蒸镀
  • 2篇势垒

机构

  • 11篇兰州大学

作者

  • 11篇杨盼
  • 9篇杨建红
  • 7篇王娇
  • 5篇闫兆文
  • 5篇肖彤
  • 3篇王欣
  • 3篇陈健
  • 1篇陈键

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其制备方法
本发明公开了基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其制备方法，栅电极采用厚度为100～300nm重掺杂的低阻单晶硅衬底；形成于栅电极硅衬底表面的栅绝缘介质层；嵌于栅绝缘介质层与隧穿绝缘介质层之间的多晶硅浮栅，作为电荷存...
杨建红闫兆文肖彤谌文杰杨盼乔坚栗王娇
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一种可实现四种逻辑运算的器件
本实用新型公开一种可实现“与”、“或”、“与非”以及“或非”四种逻辑运算的基于pn结的逻辑运算器件。本实用新型由两个基本元件按pn‑pn的顺序串联起来，其中一个元件为阴极接地，另一个元件为阳极接一个高电平，两个pn结逻辑...
杨建红庞正鹏杨盼王欣陈健
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硅基p-n结磁电阻特性研究
半导体中的磁电阻效应不仅在低磁场下具有与巨磁电阻效应相媲美的磁敏感性，在强磁场下也具有线性磁电阻效应，因而受到了科研工作者的广泛关注。基于硅材料具有丰富的资源，低廉的成本，成熟的工艺以及长自旋相干的材料特性，并结合p-n...
杨盼
关键词：空间电荷区磁场
文献传递
一种基于pn结的逻辑运算器件
本发明公开一种基于pn结的基本元件，和用这种元件构成的可用于实现逻辑电路运算的器件。本发明的一种基于pn结的可构成逻辑运算器件的元件，由pn结和位于pn结外的位于绝缘层上的电极构成，它由在pn结之上设置一个绝缘层和位于绝...
杨建红杨盼庞正鹏陈健谌文杰
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铈锆酸镧基高温热障涂层的制备与性能研究
大气等离子喷涂制备的热障涂层已广泛应用于航空发动机和地面燃气轮机，为热端金属部件提供热防护，从而提高燃气轮机的工作温度和使用效率。然而，第一代热障涂层材料（6-8wt.%Y2O3partiallystabilizedZr...
杨盼
关键词：热障涂层大气等离子喷涂热学性能抗热震性热腐蚀
一种电流增强型静电感应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种电流增强型静电感应晶体管(SIT)及其制备方法。本发明的晶体管包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层和位于高阻外延层内相互并联的多个SIT单元，其特征是位于高阻外延层内、沟道...
杨建红谌文杰肖彤杨盼王欣陈健王娇乔坚栗
文献传递
一种表面栅型静电感应晶体管
本实用新型涉及一种表面栅型静电感应晶体管(SIT)。本实用新型的晶体管由：漏极、位于漏极之上的N<Sup>+</Sup>低阻单晶的衬底、位于N<Sup>+</Sup>低阻单晶的衬底之上的N<Sup>-</Sup>高阻外延...
杨建红王娇乔坚栗闫兆文谌文杰杨盼
一种电流增强型静电感应晶体管
本实用新型涉及一种电流增强型静电感应晶体管(SIT)。本实用新型的晶体管包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层和位于高阻外延层内相互并联的多个SIT单元，其特征是位于高阻外延层内、沟道下方...
杨建红谌文杰肖彤杨盼王欣陈键王娇乔坚栗
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一种表面栅型静电感应晶体管
本发明涉及一种小功率的常关型表面栅型静电感应晶体管（SIT）及制造方法。本发明的晶体管由：漏极、位于漏极之上的N<Sup>+</Sup>低阻单晶的衬底、位于N<Sup>+</Sup>低阻单晶的衬底之上的N<Sup>-</...
杨建红王娇乔坚栗闫兆文谌文杰杨盼
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一种基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器
本实用新型公开了一种基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器，栅电极采用厚度为100～300nm重掺杂的低阻单晶硅衬底；形成于栅电极硅衬底表面的栅绝缘介质层；嵌于栅绝缘介质层与隧穿绝缘介质层之间的多晶硅浮栅，作为电荷存储单...
杨建红闫兆文肖彤谌文杰杨盼乔坚栗王娇
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