您的位置: 专家智库 > >

王萍

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇溅射
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇溅射制备
  • 1篇反应溅射
  • 1篇SR
  • 1篇BST薄膜
  • 1篇表面形貌
  • 1篇超导
  • 1篇超导薄膜
  • 1篇衬底
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射制备

机构

  • 2篇北京有色金属...

作者

  • 2篇古宏伟
  • 2篇李弢
  • 2篇王萍
  • 1篇王霈文
  • 1篇谢波玮
  • 1篇雷跃刚
  • 1篇张华

传媒

  • 1篇稀有金属
  • 1篇第九届全国超...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
射频磁控溅射制备Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3薄膜的表面结构调控
2007年
研究了Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Ba0.7Sr0.3TiO3(BST7/3)薄膜时,基片加热温度和溅射功率对薄膜显微形貌和成相的影响。实验结果表明:常温下低功率溅射的BST7/3薄膜,表面形貌非常平整,但为非晶态物质的堆积;400℃高功率150 W溅射4 h的BST薄膜,其最大表面起伏约为40 nm;400℃低功率、长时间8 h溅射的BST薄膜,其表面起伏约为12 nm;说明在保证BST充分成相的前提下,可以通过控制溅射功率和时间调控BST薄膜的表面形貌,降低表面粗糙度,使之适于后续器件制备工艺。介电性能测量表明,400℃,75 W,8 h溅射获得的BST7/3薄膜体现出典型的位移型铁电体特征;1 kHz薄膜的损耗约为0.04。
王萍李弢谢波玮古宏伟
关键词:射频磁控溅射BST薄膜表面形貌
在蓝宝石衬底上反应溅射法制备CeO2薄膜
实验用金属铈做为靶材,采用射频反应磁控溅射法在(1102)蓝宝石基片上制备C轴取向CeO2外延薄膜.实验结果表明在低温、低溅射功率条件下CeO2薄膜呈(111)取向生长;当升高温度和功率CeO2薄膜的(111)取向减弱(...
雷跃刚王霈文李弢古宏伟张华王萍
关键词:反应溅射蓝宝石超导薄膜
文献传递
共1页<1>
聚类工具0