田中卓
- 作品数：36 被引量：66H指数：5
- 供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程金属学及工艺更多>>
- 离子注入法制备β-C_3N_4的研究被引量：3
- 1997年
- <正>超硬材料的研究是材料科学领域的一大重要课题.Cohen等在研究物质的硬度时,得出了一个半经验公式,从而预言了一种碳氮化合物p一qN;可能具有比金刚石还高的硬度~[1-3]
- 顾有松潘礼庆赵敏学常香荣王振军田中卓肖纪美胡仁元
- 关键词：离子注入超硬材料
- 正电子湮灭技术研究多晶形变镍中氢和缺陷的互作用
- 吴奕初田中卓常香荣
- 关键词：镍氢脆湮灭纯金属
- 超硬薄膜β-C_3N_4的制备和表征被引量：5
- 2000年
- 本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)法 ,用高纯氮气 (99.999% )和甲烷 (99.9% )作反应气体 ,在单晶硅和多晶铂基片上沉积 β -C3N4薄膜。X射线能谱 (EDX)分析了这种晶态C -N膜的化学成分 ,对不同样品的分析结果表明 ,N/C原子比在 1.1～ 2 .0范围内。X射线衍射结构分析结果与计算的α -和 β -C3N4单相X射线的峰位和强度相比较 ,说明它是α -和 β -C3N4的混合物。FT -IR和Raman谱支持C -N共价键的存在。薄膜的体弹性模量达到 349GPa。
- 张永平顾有松常香荣田中卓时东霞张秀芳袁磊
- 关键词：超硬薄膜MPCVD
- MPCVD制备β-C_3N_4薄膜的成分和结构研究
- 2000年
- M .L .Cohcn和A .Y .Liu利用半经验公式和第一性原理计算表明 ,如果C和N能够结合成类似于 β Si3 N4结构的化合物 β C3 N4,由于C N的键长比C C的键长短和键的离子性小 ,它的体弹性模量B约为 483GPa至 42 7GPa ,接近甚至超过金刚石的体弹性模量。这是人类第一次从理论上预言一种超硬性能的新材料 ,β C3 N4的实验合成不仅可以为人类提供一种全新的材料 ,而且能够进一步检验理论预言的正确性。本文采用微波等离子体化学气相沉积法 (MPCVD) ,用高纯氮气 ( 99.999% )和甲烷 ( 99.9% )作反应气体 ,在单晶Si( 1 0 0 )基片上沉积C3 N4薄膜。利用扫描电子显微镜 (SEM)观察薄膜形貌表明 ,薄膜由密排的六棱晶棒组成。X射线能谱 (EDX)分析了这种晶态C N膜的化学成分 ,对不同样品不同区域的分析结果表明 ,N/C比接近于 4/3。X射线衍射 (XRD)结构分析说明该膜主要由 β C3 N4和α C3 N4组成。利用XPS分析说明薄膜为C+ N-极性键结合 ,FT IR和Raman谱支持C N公价键的存在。
- 张永平顾有松常香荣田中卓时东霞张秀芳袁磊
- Fe-N软磁薄膜的结构和性能被引量：1
- 2002年
- 用RF溅射制备厚度为200nm的Fe-N薄膜在250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在5%~7%(原子百分数)范围内形成a′+a″相时,4πMs可达2.4T,Hc<80A/m,2~10MHz下高频相对导磁率μr=1500,可满足针对10Gb/in2存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要.Fe-N系薄膜中a′相的形成机理和点阵常数与块状试样按Bain机理形成的a′相有明显的差别,得到了薄膜中a′相的a,c与C_N^a′之间的线性关系式.
- 周剑平李丹顾有松赵春生常香荣李福燊乔利杰田中卓方光旦宋庆山
- 关键词：磁性薄膜软磁薄膜硬盘磁头材料
- C_3N_4硬膜的人工合成和鉴定被引量：12
- 1999年
- 用微波等离子体化学气相沉积法 (MPCVD)在硅和铂衬底上得到高质量的C3 N4薄膜 .计算了α C3 N4和β C3 N4单相X射线谱的峰位和强度 ,沉积膜的X射线谱具有两相的所有强峰 ,证明它是α 和β C3 N4的混合物 .总的N/C比在 1 0～ 2 0之间 .FT IR和Raman谱支持C—N共价键的存在 .体积弹性模量达到 34 9GPa .
- 顾有松张永平常香荣田中卓陈难先时东霞张秀芳袁磊
- 关键词：氮化碳MPCVD硬膜化学气相沉积
- 理论预言的氮化碳超硬膜研究新进展被引量：10
- 1999年
- β－Ｃ３Ｎ４的理论预言发表之后，经过广大科学工作者近１０年的努力，已经取得了一些重要进展．理论上对碳氮化合物的研究已经更为广泛和深入．实验合成方面也取得了长足的进展．文章作者在Ｓｉ、Ｐｔ等基底上初步合成了晶态的β－Ｃ３Ｎ４薄膜，实验分析表明，薄膜主要由α－或β－Ｃ３Ｎ４晶相组成，成分接近理论值，Ｎ／Ｃ原子比接近４／３。
- 顾有松张永平常香荣田中卓时东霞张秀芳袁磊
- 关键词：超硬材料氮化碳晶态
- Fe-N/Ti-N纳米多层膜结构和磁性研究
- 1995年
- 用磁控溅射技术制备了周期性良好的Fe－N／Ti-N纳米多层膜。Ti-N单层的厚度固定为3nm，Fe－N单层的厚度在2．5～11nm之间变化。用振动样品磁强计研究了样品的磁性，用X射线衍射研究了样品的结构。发现在Fe－N层较薄的样品中，饱和磁化强度明显提高，而矫顽力在所有样品中基本相同。
- 王振军常香荣闻立时田中卓肖纪美
- 关键词：纳米多层膜磁控溅射磁性材料
- 冷轧镍中氢化物分解的正电子湮没
- 1992年
- 采用正电子多普勒展宽和X衍射分析方法研究了冷轧镍中氢化物的分解过程。实验结果指出:冷轧镍中充氢(0.5mol/lH_2 SO_4+250mg/lAS_2O_3)会产fccβ相(氢化物),β相是不稳的,室温时效将发生分解。氢化物本身对正电子不敏感,但选择适当的条件,仍可用正电子湮没技术(PAT)研究它的分解过程,所得结果与X衍射分析吻合。采用氢与空位互作用形成以氢为核心的空位团机制可较好地解释实验中观察到的现象。
- 吴奕初常香荣田中卓肖纪美
- 关键词：冷轧镍氢化物正电子湮没
- 降低Fe-N软磁薄膜矫顽力的途径
- 2002年
- 用RF磁控溅射沉积的Fe-N磁性薄膜,饱和磁化强度比较高,但矫顽力太高,因而降低H_c成为Fe-N是否可以用于高密度磁记录的关键,在低功率200W下溅射沉积200um的薄膜,在250℃,12000 A/m磁场下真空热处理后,当N含量在f_A为5％～7％范围内,形成a′+a″时,μ_oMs可达2.4T,H_c<80A/m,但Fe-N磁性薄膜厚度需要达到2μm,而H_c往往因厚度增加而增加,提高溅射功率到1000W,使晶粒进一步细化,2μm厚的Fe-N磁性薄膜经250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在f_A为5.9％～8.5％范围内,形成a′+a″时,μ_oMs=2.2T,H_c仍可低于80A/m,可以满足针对高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要。
- 李丹周剑平顾有松常香荣李福燊乔利杰田中卓方光旦宋庆山
- 关键词：矫顽力饱和磁化强度磁记录材料
