胡斌
- 作品数：4 被引量：18H指数：2
- 供职机构：郑州大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术更多>>
- 纳米锐钛矿型TiO_2薄膜的制备及分析被引量：11
- 2011年
- 采用反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备锐钛矿相TiO2薄膜,研究了工艺条件中的氧氩流量比对薄膜润湿角的影响以及溅射气压对薄膜微观结构的影响。对不同氧氩流量比(分别为1/40,1/20,1/10和1/5)时制备的TiO2薄膜进行润湿角测量,润湿角照片显明:氧氩比1/5时薄膜润湿角可减小到8°左右,即提高氧氩比能增强TiO2薄膜的自洁净性能。X射线衍射(XRD)分析表明:当溅射气压降到1.0 Pa时,可以得到锐钛矿型TiO2薄膜晶体,0.5 Pa时的XRD图衍射峰更为明显。用分光光度计测量了TiO2薄膜的紫外吸收光谱,由光谱曲线上光吸收阈值与半导体带隙之间的关系计算出了TiO2薄膜的禁带宽度为3.42 eV,表明TiO2薄膜的吸收边出现了一定的蓝移。根据XRD图谱计算TiO2薄膜的晶粒尺寸,得到的薄膜晶粒尺寸在十几纳米左右,由此说明了TiO2薄膜吸收边发生蓝移的原因;按照锐钛矿相TiO2薄膜XRD图25.3°衍射峰对应的(101)晶面,由Bragg方程计算出其晶面间距为0.3521 nm,表明TiO2薄膜晶体发生了一定的晶格畸变。
- 辛荣生林钰蔡彬胡斌
- 关键词：磁控溅射TIO2薄膜润湿角禁带宽度
- 磁控溅射掺铜TiO_2薄膜光学特性的分析被引量：6
- 2014年
- 采用射频/直流磁控共溅射法制备不同Cu掺杂量的氧化钛薄膜,研究了Cu掺杂对TiO2膜吸收边红移的影响,并探索其机理。发现当TiO2溅射功率为160 W,Cu溅射功率为30 W时,TiO2薄膜的吸收边红移最为明显,至420 nm左右。X射线衍射(XRD)结果表明:500℃下退火处理得到的薄膜主要为锐钛矿相,但随着Cu掺量的提高,薄膜XRD衍射峰明显宽化,结晶性变差,将会在TiO2薄膜晶体中引入缺陷。X射线光电子谱结果表明:Cu以2+价存在,并掺杂进入TiO2晶格,引入受主杂质能级。结论认为Cu掺杂形成的缺陷能级和杂质能级是导致TiO2薄膜光吸收边拓展至可见光区域的原因。
- 胡斌林钰董林姚志强田莉辛荣生
- 关键词：磁控溅射CU掺杂TIO2薄膜
- Cu掺杂TiO2纳米管薄膜的结构及光电性能分析
- 采用阳极氧化法制备Cu掺杂TiO2纳米管阵列薄膜，并对样品进行了紫外-可见漫反射光谱、XRD、SEM和光电性能的分析.研究了Cu掺杂对TiO2膜吸收边红移的影响，并探索其机理.XRD结果表明：500℃下退火处理得到的薄膜...
- 辛荣生胡斌林钰康云
- 关键词：阳极氧化CU掺杂
