胡瑞心
- 作品数：17 被引量：13H指数：2
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- 3.1～10.6 GHz低功耗超宽带低噪声放大器被引量：1
- 2014年
- 采用TSMC 0.18μm CMOS工艺库,设计并验证了一种应用于3.1～10.6GHz频段的超宽带低噪声放大器。该放大器分为两级：采用跨导增强技术的共栅结构作为输入级,实现了输入阻抗匹配,提高了增益并降低了噪声;第二级是放大输出级,由两个共源放大管和源跟随器缓冲管构成,并采用两级电流复用配置将它们连接在一起,不但对信号进行了二次放大,降低了功耗,而且实现了输出匹配。仿真结果表明,在3.1～10.6GHz频带范围内,放大器增益为14.8dB,增益平坦度为±0.6dB,噪声系数介于2.9～4.5dB,输入和输出的回波损耗均优于-11dB,1dB压缩点为-20.8dBm,在1.8V电压下,静态功耗仅为8.99mW。
- 赵飞义张万荣丁春宝陈昌麟胡瑞心卓汇涵江之韵白杨陈亮
- 关键词：低噪声放大器低功耗电流复用
- 超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管
- 本发明公开了一种异质结双极晶体管，尤其是超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用基区Ge组分由发射结侧向集电结侧逐渐递增的阶梯形分布结构，使器件电流增益随温度变化趋势变缓，可在宽温区内防止器件静...
- 金冬月胡瑞心张万荣鲁东付强王肖
- 文献传递
- 超结集电区SiGe异质结双极晶体管
- 本发明公开了一种超结集电区SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用由n型半导体柱和p型半导体柱交替排列的超结集电区结构，引入横向电场，改善集电区电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的。基区Ge组分采用从发射结侧向集电结...
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- 全差分式浮地有源电感
- 本发明涉及射频集成电路领域，特别涉及一种全差分式浮地有源电感，具有宽频带、高Q(品质因子)值、可调谐的特点。本发明采用两个差分对电路配置分别提供正、负跨导，采用共栅电路结构作电流缓冲器，使由负跨导产生的电流返回到输入端。...
- 张万荣赵飞义陈昌麟江之韵胡瑞心赵彦晓
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- 虚拟衬底应变Si/SiGe HBT击穿电压及器件温度敏感性改善技术研究
- 虚拟衬底结构的提出可有效降低SiGe异质结双极型晶体管（HBT）中衬底对基区SiGe外延层应力的影响，进而提高基区Ge组分，增大器件的电流增益。同时，较大的电流增益又可用于折中基区电阻、减小基区宽度，最终大幅提升器件的高...
- 胡瑞心
- 关键词：异质结双极型晶体管击穿电压温度敏感性硅材料
- 一种低抖动电荷泵锁相环的设计被引量：4
- 2015年
- 采用动态鉴频鉴相器、基于常数跨导轨到轨运算放大器的电荷泵、差分型环形压控振荡器,设计了一种低抖动的电荷泵锁相环。基于SMIC 0.18-μm CMOS工艺,利用Cadence软件完成了电路的设计与仿真。结果表明,动态的鉴频鉴相器,有效消除了死区。新型的电荷泵结构,在输出电压为0.5 V^1.5 V时将电流失配减小到了2%以下。压控振荡器在频率为1 MHz时输出的相位噪声为-94.87 d B在1 MHz,调谐范围为0.8 GHz^1.8 GHz。锁相环锁定后输出电压波动为2.45 m V,输出时钟的峰峰值抖动为12.5 ps。
- 白杨张万荣江之韵胡瑞心卓汇涵陈昌麟赵飞义
- 关键词：电荷泵锁相环低抖动环形压控振荡器
- 基于噪声抵消技术的低功耗C频段差分低噪声放大器被引量：1
- 2014年
- 设计了一款基于噪声抵消技术的低功耗C频段的差分低噪声放大器。该放大器由输入级、放大级以及输出缓冲级3个模块构成，其中输入级采用电容交叉耦合的差分对与直接交叉耦合结构差分对级联，实现输入匹配及噪声抵消；放大级采用具有电阻-电感并联反馈的电流复用结构来获得高的增益、良好的增益平坦性及低的功耗；输出缓冲级采用源跟随器结构，实现良好的输出匹配。基于TSMC0．18μmCMOS工艺库，验证表明在C频段，放大器的增益为20．4±0．5dB，噪声系数介于2．3～2．4dB之间，输入和输出的回波损耗均优于-11dB，稳定因子恒大于1，在6．5GHz下，1dB压缩点为-16．6dBm，IIP3为-7dBm，在2．5V电压下，电路功耗仅为6．75mW。
- 赵飞义张万荣丁春宝陈昌麟胡瑞心卓汇涵江之韵白杨陈亮
- 关键词：差分低噪声放大器噪声抵消电流复用增益平坦度低功耗
- 新型宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管被引量：2
- 2013年
- 宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性,本文利用SILVACO TCAD建立的多指功率SiGe HBT模型,分析了器件纵向结构中基区Ge组分分布对微波功率SiGe HBT电学特性和热学特性的影响.研究表明,对于基区Ge组分为阶梯分布的HBT,由于Ge组分缓变引入了少子加速电场,使它与均匀基区Ge组分HBT相比,具有更高的特征频率fT,且电流增益β和fT随温度变化变弱,这有利于防止器件在宽温区工作时电学特性的漂移.同时,器件整体温度有所降低,但器件各指温度分布均匀性较差.考虑多指HBT各发射极指散热能力存在差异,在器件纵向结构设计为基区Ge组分阶梯分布的同时,对其横向版图进行发射极指间距渐变结构设计,用于改善器件各指温度分布的均匀性,进而提高HBT的热稳定性.结果表明,与基区Ge组分为均匀分布的等发射极指间距结构HBT相比,新器件各指温度分布均匀性明显改善,fT保持了较高的值,且β和fT随温度变化不敏感,热不稳定性得到显著改善,显示了新器件在宽温区大电流下工作的优越性.
- 鲁东金冬月张万荣张瑜洁付强胡瑞心高栋张卿远霍文娟周孟龙邵翔鹏
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管GE组分分布热稳定性
- 超结集电区应变硅异质结双极晶体管
- 本发明公开了一种应变硅异质结双极晶体管，尤其是同时具有大电流增益和高击穿电压的超结集电区应变硅异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，并在弛豫SiGe集电区中引入n型柱区和p型柱区交替排列的超结结构，其上分...
- 金冬月胡瑞心张万荣王肖付强鲁东
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- 超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管
- 本发明公开了一种异质结双极晶体管，尤其是超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用基区Ge组分由发射结侧向集电结侧逐渐递增的阶梯形分布结构，使器件电流增益随温度变化趋势变缓，可在宽温区内防止器件静...
- 金冬月胡瑞心张万荣鲁东付强王肖
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