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基于OSGi的智能家居集成测平台的研究和实现: 国内外众多的智能家居产品在满足人类居住安全、舒适、便利、高效和节能需求的同时，也使得家居系统具有复杂的软硬件资源，家庭网络环境中采用不同的操作系统、通信协议。各厂商、组织推出的智能家居系统产品的技术标准繁多且不统一，给系...; 付强; 关键词：智能家居 OSGI框架 XML文件

高速公路网联信息交互作用下驾驶行为生态性综合影响研究: “双碳”目标的提出使交通领域对机动车节能减排效益提出了更高的要求。生态驾驶是实现机动车节能减排的有效途径之一，而网联自动驾驶技术的出现为进一步提升生态驾驶效益提供技术支撑。然而，受限于网联自动驾驶技术普及程度，未来可能会...; 付强; 关键词：高速公路驾驶行为生态性

高Q值超宽带可调谐有源电感: 本发明提供一种高Q值超宽带可调谐有源电感，涉及射频集成电路技术领域，以解决现有有源电感的电感值、Q值均不高，实部损耗比较大的问题。该发明包括电源、输入端与CMOS源随结构，其中，还包括传输线结构、有源反馈偏置、负阻补偿网...; 张万荣周孟龙谢红云金冬月丁春宝赵彦晓陈亮付强高栋鲁东张卿远邵翔鹏霍文娟; 文献传递

横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参量的影响被引量：1: 2016年; 为了分析了发射极条宽、条长、条数等横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参数的影响,通过Jazz 0.35μm BiCMOS SiGe HBT的Y参量,得出了在不同横向结构参数下SiGe HBT的小信号模型参数.结果表明:增加发射极条宽、条长、条数时,小信号模型中的等效电阻值减小、等效电容增大、跨导也增大.在此基础上,分析了SiGe HBT横向结构参数对合成的有源电感特性的影响.在设计不同性能的有源电感时,所得结果对有源器件横向结构参数的选取有一定的指导意义.; 赵彦晓张万荣谢红云黄鑫张良浩金子超付强; 关键词：SIGE HBT

小面积、线性度可调谐的高线性低噪声放大器: 本发明提供一种小面积、线性度可调谐的高线性Cascode低噪声放大器，涉及射频集成电路领域，以解决现有低噪声放大器线性度不具有可调谐性，芯片面积过大的问题。该发明包括由共射级晶体管的集电极连接共基极晶体管的发射极构成的C...; 张万荣丁春宝谢红云金冬月陈亮付强赵彦晓高栋鲁东周孟龙张卿远邵翔鹏霍文娟; 文献传递

具有高频高压大电流优值的超结集电区SiGe HBT被引量：1: 2016年; 为了在兼顾特征频率(fT)和电流增益(β)的情况下有效提高器件的击穿电压(BVCBO/BVCEO),利用SILVACO TCAD建立了npn型超结集电区Si Ge异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)的器件模型.研究表明:通过在集电结空间电荷区(collector-base space charge region,CB SCR)内引入p型超结层可有效降低"死区"内的电场强度,使较高的电场强度转移至"死区"外较深的CB SCR内,进而在几乎不增加CB SCR宽度的情况下抑制碰撞电离,达到提高击穿电压、改善fT和β的目的.随着p型超结层厚度(dp)的增加,击穿电压BVCBO和BVCEO的改善也越明显.但dp值需优化,较大的dp值将引发Kirk效应,大幅降低器件的fT和β.进一步通过优化p型超结层的dp值,设计出一款dp为0.2μm且具有高频高压大电流优值(fT×BVCEO×β)的新型超结集电区Si Ge HBT.结果表明:与传统Si Ge HBT相比,新器件的fT×BVCEO×β优值改善高达35.5%,有效拓展了功率Si Ge HBT的高压大电流工作范围.; 金冬月王肖张万荣高光渤赵馨仪郭燕玲付强

智能交通教学、科研与展示一体化综合实验平台: 本发明公开了一种智能交通教学、科研与展示一体化综合实验平台，基于模块化路面搭建的立体式路网，构建形成实验平台。其中，智能交通管控系统根据多个交叉路口交通信号协同进行交通管控，根据智能车辆的车载终端获取到的自身车辆信息、周...; 赵晓华付强李海舰李振龙赵国强

一种谐振式双电源供电航空电磁发射装置: 本实用新型公开了一种谐振式双电源供电航空电磁发射装置，大功率主回路模块包括交流发电机组、直流机载电源、功率变换主电路、谐振主电路和发射电路；交流发电机组和直流机载电源并行连接在功率变换主电路上，功率变换主电路对机载电源直...; 张一鸣冯馨月张雨朱文浩宋红喜付强; 文献传递

基区Ge组分分布对SiGe HBT热学特性的影响: 2012年; 建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究。结果表明,在Ge总量一定的前提下,Ge组分为三角形和梯形分布结构的SiGe HBT峰值温度较低、温差较小,温度分布的均匀性优于Ge组分矩形分布结构的SiGeHBT,具有更好的热特性。对不同Ge组分分布下器件增益与温度的依赖关系进行研究,发现当基区Ge组分为三角形和梯形分布时,随着温度升高,器件增益始终低于Ge组分矩形分布的器件,且增益变化较小,提高了器件的热学和电学稳定性,扩大了器件的应用范围。; 赵昕张万荣金冬月谢红云付强张东晖; 关键词：SIGE 异质结双极晶体管热学特性 GE组分分布

SiGe HBT性能增强的技术研究: SiGe异质结双极晶体管（Hetrojunction Bipolar Transistors,简称HBTs）,由于与Si标准工艺兼容、基区能带可裁剪,因此,具有高的性能/价格比,且在频率特性、功率特性等方面取得了引人瞩目...; 付强; 关键词：击穿特性温度敏感性 SOI; 文献传递

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付强