袁凤坡
- 作品数：24 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家部委资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Si衬底LED外延片及其制备方法
- 本发明公开了一种Si衬底LED外延片及其制备方法，涉及具有特殊晶体结构的器件及其制备方法技术领域。所述外延片包括Si衬底和位于Si衬底上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN...
- 刘波房玉龙王波袁凤坡潘鹏汪灵白欣娇周晓龙王静辉
- 文献传递
- MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究被引量：1
- 2008年
- 报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高质量的AlN、AlGaN外延材料。AlN外延膜X射线双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为97",ω(102)面扫描曲线半高宽为870",Al0.6Ga0.4N外延膜双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为240";使用原子力显微镜(AFM)对两种样品5μm×5μm区域的表面平整度进行了表征,AlN外延膜的粗糙度(Rms)为8.484nm,Al0.6Ga0.4N外延膜的粗糙度为1.104nm;透射光谱测试显示AlN和Al0.6Ga0.4N吸收带边分别为205nm和266nm,且都非常陡峭。
- 刘波袁凤坡尹甲运刘英斌冯震冯志宏
- 关键词：ALGAN金属有机化学气相淀积X射线衍射透射光谱
- GaN基LED外延片
- 本实用新型公开了一种GaN基LED外延片，涉及以半导体为特征的器件技术领域。所述外延片包括：4英寸硅衬底，所述4英寸硅衬底的上表面从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN层、硅掺杂N型GaN层、InG...
- 刘波尹甲运白欣娇袁凤坡王波潘鹏汪灵周晓龙王静辉
- 文献传递
- Si衬底LED外延片
- 本实用新型公开了一种Si衬底LED外延片，涉及具有特殊晶体结构的器件技术领域。所述外延片包括Si衬底和位于Si衬底上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN层、Si掺杂N型Ga...
- 刘波戭玉龙王波袁凤坡潘鹏汪灵白欣娇周晓龙王静辉
- 文献传递
- Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT被引量：1
- 2007年
- 利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaNHEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaNHEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V.s),方块电阻328Ω/□.1mm栅宽GaN微波功率器件饱和电流大于0.8A/mm,跨导大于250mS/mm,2GHz下最大连续波输出功率5.1W,增益9.1dB,附加效率达到35%.
- 冯志宏尹甲运袁凤坡刘波梁栋默江辉张志国王勇冯震李效白杨克武蔡树军
- 关键词：SI衬底GANHEMT功率密度
- 1.064μm脉冲高功率量子阱激光器阵列被引量：1
- 2002年
- 采用应变GaInAs/AlGaAs量子阱结构 ,研制出了激射波长为 1.0 6 4 μm的激光器线阵列。在 2 0 0ns脉宽、10 0kHz和 5 0A工作条件下 ,5mm线阵列的输出功率达到了 35W ,将三条线阵列进行了二维组装 ,获得了 10
- 武占春顾卫东王晓燕袁凤坡
- 关键词：激光器阵列高功率
- 封装工艺对SiC功率模块热电性能的影响被引量：3
- 2019年
- SiC功率模块随着输出功率增加,结温会随之明显上升,热阻增大,电学性能退化。因此,研究SiC模块热电性能,降低模块热阻和寄生电感对发挥SiC模块优良的电学特性非常关键。针对1 200 V/200 A SiC模块,利用仿真软件建立了有限元分析模型,研究了模块封装工艺与模块热电特性的关系,包括焊层厚度、空洞率及键合参数对模块热特性和寄生参数的影响。结合仿真结果和实测数据得出焊层厚度0.18 mm、键合线直径15 mil(1 mil=25.4μm)、线间距0.3 mm时模块热阻和电特性较理想。其热阻为0.266℃/W,寄生电感为18.159 nH,模块阈值电压小于1.9 V,导通电阻约为6.5 mΩ。
- 袁凤坡白欣娇李帅崔素杭李晓波王静辉
- 关键词：SIC功率模块热电特性空洞率
- 670nm发光二极管材料的MOCVD外延生长
- 2010年
- 重点介绍了670nm LED材料的结构与制备方法,用MOCVD方法生长了较高压应变的670nm多量子阱。分析比较了670nm量子阱室温光荧光谱线宽度的影响因素,指出室温光荧光主要来源于带-带复合,荧光谱线宽度的减小是应变量子阱轻重空穴能级分离的结果,并不意味着量子阱界面质量的改进。同时介绍了二乙基锌(DEZn)的掺杂技术和掺杂浓度,通过优化掺杂条件和退火条件,p型AlInP材料获得了0.9×1018/cm3的空穴密度。外延材料制作成200μm×200μm尺寸的LED管芯,在20mA工作电流下亮度为22～24mcd。器件结果表明,用5个压应变量子阱的有源区并且采用DEZn掺杂可以制作出高亮度的670nm LED外延材料。
- 刘英斌林琳陈宏泰袁凤坡李云
- 关键词：ALGAINP压应变多量子阱光荧光界面粗糙度
- 变温量子阱生长技术对蓝光LED发光效率的影响
- 2016年
- 采用金属有机物化学气相沉积,在2英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石图形衬底上通过引入变温量子阱生长技术,生长出了具有三角形量子阱(TQW)结构的发光二极管外延片。对比不同生长温度下的样品,得出了最优化的具有三角形量子阱结构外延片的生长条件。通过比较常规恒温量子阱结构和三角形量子阱结构外延片的光致发光光谱,发现TQW结构具有更窄的半峰宽和更高的发光强度。这主要是由于TQW改变了量子阱中的波函数分布,使电子空穴对的复合效率提高。外量子效率从传统的59.38%提高到60.75%,比传统的恒温量子阱提高了1.38%。
- 袁凤坡王波潘鹏王静辉唐景庭
- 关键词：氮化镓发光二极管(LED)
- 增强型GaN HEMT凹槽栅刻蚀技术研究进展被引量：3
- 2018年
- 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）在材料生长和工艺制备方面已取得了巨大的进展，但增强型器件的制备仍是限制其广泛使用的重要原因。归纳了目前制备增强型器件的几种方法：P型栅、F离子注入、凹槽栅、薄势垒层和共源共栅技术等，分析了采用凹槽栅结构实现增强型器件的原理及用于刻蚀凹槽的几种干法刻蚀技术。此外，讨论了目前实现凹槽栅的多种方法：A1N阻挡层、周期性等离子刻蚀、热氧化后湿法腐蚀、光辅助的电化学腐蚀以及选择性生长等，并分析了这几种方法制作凹槽栅的原理和不足之处。在此基础上，对制备凹槽栅工艺提出几点突破方向，只有不断提高增强型器件性能，才能使氮化镓器件在射频和电力电子等领域拥有更大的发展空间和应用前景。
- 白欣娇袁凤坡袁凤坡王文军李路杰
- 关键词：ALGAN/GANHEMT增强型反应离子刻蚀
