您的位置： 专家智库 > >

潘鹏

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 5篇外延片
  • 4篇衬底
  • 3篇量子效率
  • 3篇内量子效率
  • 3篇故意
  • 3篇SI衬底
  • 3篇LED外延片
  • 3篇波函数
  • 3篇掺杂
  • 2篇电流
  • 2篇电流密度
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇输出功率
  • 2篇阻挡层
  • 2篇光输出
  • 2篇光输出功率
  • 2篇GAN基LE...
  • 2篇大电流
  • 2篇大电流密度
  • 1篇带隙

机构

  • 7篇中国电子科技...

作者

  • 7篇潘鹏
  • 6篇王静辉
  • 6篇袁凤坡
  • 6篇王波
  • 5篇周晓龙
  • 5篇刘波
  • 3篇房玉龙
  • 2篇尹甲运
  • 1篇陈宏泰
  • 1篇唐景庭
  • 1篇牛晨亮
  • 1篇赵辉

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 5篇2016
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
GaN基LED外延片
本实用新型公开了一种GaN基LED外延片，涉及以半导体为特征的器件技术领域。所述外延片包括：4英寸硅衬底，所述4英寸硅衬底的上表面从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN层、硅掺杂N型GaN层、InG...
刘波尹甲运白欣娇袁凤坡王波潘鹏汪灵周晓龙王静辉
文献传递
GaAs基PHEMT材料结构及其制备方法
本申请适用于半导体技术领域，提供了GaAs基PHEMT材料结构及其制备方法，该GaAs基PHEMT材料结构包括：GaAs衬底；复合缓冲层，设置于GaAs衬底上表面；多周期超晶格层，设置于复合缓冲层上表面；有源层，设置于多...
潘鹏赵辉于根源房玉龙陈宏泰牛晨亮
Si衬底LED外延片及其制备方法
本发明公开了一种Si衬底LED外延片及其制备方法，涉及具有特殊晶体结构的器件及其制备方法技术领域。所述外延片包括Si衬底和位于Si衬底上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN...
刘波房玉龙王波袁凤坡潘鹏汪灵白欣娇周晓龙王静辉
文献传递
变温量子阱生长技术对蓝光LED发光效率的影响
2016年
采用金属有机物化学气相沉积,在2英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石图形衬底上通过引入变温量子阱生长技术,生长出了具有三角形量子阱(TQW)结构的发光二极管外延片。对比不同生长温度下的样品,得出了最优化的具有三角形量子阱结构外延片的生长条件。通过比较常规恒温量子阱结构和三角形量子阱结构外延片的光致发光光谱,发现TQW结构具有更窄的半峰宽和更高的发光强度。这主要是由于TQW改变了量子阱中的波函数分布,使电子空穴对的复合效率提高。外量子效率从传统的59.38%提高到60.75%,比传统的恒温量子阱提高了1.38%。
袁凤坡王波潘鹏王静辉唐景庭
关键词：氮化镓发光二极管(LED)
Si衬底LED外延片及其制备方法
本发明公开了一种Si衬底LED外延片及其制备方法，涉及具有特殊晶体结构的器件及其制备方法技术领域。所述外延片包括Si衬底和位于Si衬底上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN...
刘波房玉龙王波袁凤坡潘鹏汪灵白欣娇周晓龙王静辉
文献传递
Si衬底LED外延片
本实用新型公开了一种Si衬底LED外延片，涉及具有特殊晶体结构的器件技术领域。所述外延片包括Si衬底和位于Si衬底上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN层、Si掺杂N型Ga...
刘波戭玉龙王波袁凤坡潘鹏汪灵白欣娇周晓龙王静辉
文献传递
GaN基LED外延片及其制备方法
本发明公开了一种GaN基LED外延片及其制备方法，涉及以半导体为特征的器件及其制备方法技术领域。所述外延片包括：4英寸硅衬底，所述4英寸硅衬底的上表面从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN层、硅掺杂...
刘波尹甲运白欣娇袁凤坡王波潘鹏汪灵周晓龙王静辉
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0