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赵永林

作品数：4 被引量：10H指数：1
供职机构：信息产业部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇GAAS
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇电路
  • 1篇多层陶瓷
  • 1篇多层陶瓷基板
  • 1篇氧化铝
  • 1篇直流特性
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷基
  • 1篇陶瓷基板
  • 1篇微波单片
  • 1篇微波单片集成
  • 1篇微波单片集成...
  • 1篇纳米
  • 1篇截止频率
  • 1篇基板
  • 1篇集成电路
  • 1篇分子束

机构

  • 4篇信息产业部
  • 1篇北京工业大学

作者

  • 4篇赵永林
  • 3篇徐晓春
  • 3篇刘伟吉
  • 3篇敖金平
  • 3篇李献杰
  • 3篇曾庆明
  • 1篇吕长志
  • 1篇姜海波
  • 1篇揭俊锋
  • 1篇王全树
  • 1篇郭建魁
  • 1篇王卫艳
  • 1篇周世平
  • 1篇梁春广

传媒

  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇第六届全国分...
  • 1篇第五届全国微...

年份

  • 2篇2001
  • 2篇2000
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
AlGaN/GaN HEMT器件研究被引量：10
2000年
叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz。
曾庆明刘伟吉李献杰赵永林敖金平徐晓春吕长志
关键词：GANHEMTALGAN截止频率
GaAs HBT直接耦合微波单片集成电路
2000年
叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路，包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果。
曾庆明徐晓春刘伟吉李献杰敖金平王全树郭建魁赵永林揭俊锋
关键词：GAASHBT微波单片集成电路
MCM高温共烧多层基板技术
研究纳米氧化铝陶瓷的材料技术、流延技术、和工艺技术.研究与之兼容的金属化材料精细印刷、层压技术和高层数陶瓷基板布局布线技术,用以制作高的表面光洁度、平整度、体积密度,并有良好机械、电气和散热特性的大面积多层陶瓷基板.
王卫艳周世平姜海波赵永林
关键词：纳米氧化铝布局布线多层陶瓷基板
文献传递
用MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAs MMHEMT直流特性研究
本文报道了MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAs MMHEMT的研制过程和器件的直流性能.该器件的直流特性超过了相同的材料和工艺条件下GaAs基PHEMT水平,可应用于发展微波毫米波器件及其MMIC.
李献杰敖金平曾庆明刘伟吉赵永林徐晓春梁春广
关键词：分子束外延生长INALAS/INGAAS场效应器件直流特性
文献传递
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