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郑兰花

作品数:14 被引量:19H指数:2
供职机构:厦门大学材料学院材料科学与工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金福建省科技厅重大项目福建省科技重大专项更多>>
相关领域:电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电气工程
  • 3篇电子电信

主题

  • 11篇多晶
  • 11篇多晶硅
  • 10篇多晶硅片
  • 10篇硅片
  • 8篇电池
  • 7篇吸杂
  • 7篇N型
  • 5篇太阳能电池
  • 4篇酸腐蚀
  • 3篇电致发光
  • 3篇多晶硅太阳电...
  • 3篇太阳电池
  • 3篇硅太阳电池
  • 3篇硅太阳能电池
  • 3篇发光
  • 2篇电池板
  • 2篇电源
  • 2篇多晶硅太阳能...
  • 2篇氧化层
  • 2篇蒸汽

机构

  • 14篇厦门大学

作者

  • 14篇郑兰花
  • 13篇陈朝
  • 13篇潘淼
  • 8篇杨倩
  • 8篇李艳华
  • 8篇武智平
  • 7篇罗学涛
  • 7篇庞爱锁
  • 4篇徐进
  • 4篇何发林
  • 1篇李锦堂
  • 1篇徐进
  • 1篇陈文辉
  • 1篇李艳华

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 5篇2011
  • 4篇2010
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法
一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法,涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单,适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗,烘干;将得到的硅片在700~1200℃的温度下通入气体进...
陈朝郑兰花潘淼李艳华杨倩徐进
文献传递
一种太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪
一种太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪,涉及一种太阳能电池检测仪。提供一种快速有效的太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪。设有太阳能电池板、导热平台、稳压电源、控温加热器、850nm滤波片、制冷式CCD相机、调节支架、图像采集...
陈朝李艳华庞爱锁潘淼何发林杨倩武智平郑兰花罗学涛
文献传递
一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法
一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法,涉及太阳能电池。提供一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法。将P型多晶硅片清洗后,再以三氯氧磷为源扩磷,然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层,得扩磷后的多晶硅片;在扩磷后...
陈朝杨倩潘淼庞爱锁何发林李艳华武智平郑兰花罗学涛
文献传递
一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法
一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法,涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单,适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗,烘干;将得到的硅片在700~1200℃的温度下通入气体进...
陈朝郑兰花潘淼李艳华杨倩徐进
冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法
冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法,涉及一种太阳能电池。提供一种可采用较低纯度(5~6N)的硅材料,大幅度降低生产成本的冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法。将待处理的冶金法多晶硅片通磷源进行磷吸杂处理并去除吸杂层;将进行磷吸...
陈朝潘淼庞爱锁武智平郑兰花罗学涛
文献传递
一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法
一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法,涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单,适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗,烘干;将得到的硅片在700~1200℃的温度下通入气体进...
陈朝郑兰花潘淼李艳华杨倩徐进
电致发光成像技术在硅太阳能电池隐性缺陷检测中的应用被引量:16
2011年
论述了一种利用硅太阳能电池在一定偏压下的电致发光(Electrolum inescence,EL)成像来检测硅太阳能电池隐性缺陷的方法。硅太阳能电池的EL波长范围为850~1200 nm。正向偏压下的EL光强反映了少数载流子的浓度及其扩散长度,而反向偏压下的EL区和发光强度对应于电池的缺陷区域和缺陷密度。用硅CCD相机对硅太阳能电池的EL快速成像,然后根据EL成像的明暗强度可检测出电池的隐性缺陷。由于内在缺陷处EL强度比外在缺陷处受温度的影响更敏感,所以可利用电池缺陷处EL强度随温度变化的差异来辨别缺陷的类型。
李艳华潘淼庞爱锁武智平郑兰花陈朝
关键词:硅太阳能电池EL
冶金法n型多晶硅片磷、硼吸杂实验的研究被引量:1
2012年
研究了冶金法n型多晶硅片磷吸杂、硼吸杂效果及其机理。研究发现,经1 000℃/4h磷吸杂后,硅片平均少子寿命从1.21μs提高到11.98μs;经950℃/1h硼吸杂后,平均少子寿命从1.52μs提升到10.74μs。两种吸杂处理后,硅片电阻率从0.2Ω.cm提高到0.5Ω.cm。结果表明,两种吸杂工艺使得硅片表面形成的重磷、重硼扩散层对金属杂质有较好的吸杂作用,从而减少载流子的复合中心,改善多晶硅片的性能。
郑兰花徐进潘淼陈朝史珺
关键词:少子寿命
太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪
太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪,涉及一种太阳能电池检测仪。提供一种快速有效的太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪。设有太阳能电池板、导热平台、稳压电源、控温加热器、滤波片、相机、调节支架、图像采集卡、电脑和底座,太阳能电池...
陈朝李艳华庞爱锁潘淼何发林杨倩武智平郑兰花罗学涛
文献传递
N-型晶体硅太阳电池的数值模拟和冶金法N-型多晶硅太阳电池关键工艺的研究
太阳能作为一种新兴的可再生能源有着不可估量的发展前景。高效和低成本是多晶硅太阳电池的发展趋势。目前硅太阳电池主要是P型电池,而N型硅电池有一些P型硅电池所没有的优点,如抗光致衰减能力强、少子寿命较长等,因此N型多晶硅电池...
郑兰花
关键词:数值模拟多晶硅太阳电池优化设计
共2页<12>
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