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武智平

作品数:10 被引量:19H指数:2
供职机构:厦门大学物理与机电工程学院福建省半导体照明工程技术研究中心更多>>
发文基金:国家自然科学基金福建省科技厅重大项目福建省科技重大专项更多>>
相关领域:电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 8篇电池
  • 7篇多晶
  • 7篇多晶硅
  • 6篇多晶硅片
  • 6篇硅片
  • 5篇太阳能电池
  • 3篇电致发光
  • 3篇太阳电池
  • 3篇硅太阳能电池
  • 3篇发光
  • 2篇电池板
  • 2篇电源
  • 2篇多晶硅太阳电...
  • 2篇多晶硅太阳能...
  • 2篇氧化层
  • 2篇蒸汽
  • 2篇少子寿命
  • 2篇水蒸汽
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池板

机构

  • 10篇厦门大学

作者

  • 10篇武智平
  • 9篇陈朝
  • 9篇潘淼
  • 8篇庞爱锁
  • 8篇郑兰花
  • 7篇罗学涛
  • 4篇杨倩
  • 4篇李艳华
  • 4篇何发林
  • 2篇李艳华
  • 1篇李锦堂
  • 1篇陈文辉

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 4篇2010
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪
一种太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪,涉及一种太阳能电池检测仪。提供一种快速有效的太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪。设有太阳能电池板、导热平台、稳压电源、控温加热器、850nm滤波片、制冷式CCD相机、调节支架、图像采集...
陈朝李艳华庞爱锁潘淼何发林杨倩武智平郑兰花罗学涛
文献传递
一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法
一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法,涉及太阳能电池。提供一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法。将P型多晶硅片清洗后,再以三氯氧磷为源扩磷,然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层,得扩磷后的多晶硅片;在扩磷后...
陈朝杨倩潘淼庞爱锁何发林李艳华武智平郑兰花罗学涛
文献传递
电致发光成像技术在硅太阳能电池隐性缺陷检测中的应用被引量:16
2011年
论述了一种利用硅太阳能电池在一定偏压下的电致发光(Electrolum inescence,EL)成像来检测硅太阳能电池隐性缺陷的方法。硅太阳能电池的EL波长范围为850~1200 nm。正向偏压下的EL光强反映了少数载流子的浓度及其扩散长度,而反向偏压下的EL区和发光强度对应于电池的缺陷区域和缺陷密度。用硅CCD相机对硅太阳能电池的EL快速成像,然后根据EL成像的明暗强度可检测出电池的隐性缺陷。由于内在缺陷处EL强度比外在缺陷处受温度的影响更敏感,所以可利用电池缺陷处EL强度随温度变化的差异来辨别缺陷的类型。
李艳华潘淼庞爱锁武智平郑兰花陈朝
关键词:硅太阳能电池EL
冶金法低成本多晶硅的磷吸杂及其MIS太阳电池的探索
化石能源的快速枯竭,人们越来越认识到发展可再生能源的重要性和迫切性。太阳电池得到了广泛的关注。但光伏产业在我国现状:有产业,没市场。其原因是原材料成本高,工艺要求高。因此探索低成本、新材料、新工艺的太阳电池非常有意义。 ...
武智平
关键词:多晶硅太阳电池
冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法
冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法,涉及一种太阳能电池。提供一种可采用较低纯度(5~6N)的硅材料,大幅度降低生产成本的冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法。将待处理的冶金法多晶硅片通磷源进行磷吸杂处理并去除吸杂层;将进行磷吸...
陈朝潘淼庞爱锁武智平郑兰花罗学涛
文献传递
太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪
太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪,涉及一种太阳能电池检测仪。提供一种快速有效的太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪。设有太阳能电池板、导热平台、稳压电源、控温加热器、滤波片、相机、调节支架、图像采集卡、电脑和底座,太阳能电池...
陈朝李艳华庞爱锁潘淼何发林杨倩武智平郑兰花罗学涛
文献传递
物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化被引量:1
2011年
对物理冶金法提纯的低成本多晶硅材料进行了磷吸杂实验研究,结果表明,950℃下时吸杂4h去杂效果最好,对磷吸杂机理进行了定性的分析和讨论。把去除吸杂层与制备绒面工艺结合起来,达到较好的效果,节省了太阳电池制备的时间和成本。
武智平潘淼庞爱锁李艳华陈朝
关键词:多晶硅少子寿命
UMG多晶硅片的少子寿命被引量:2
2013年
利用微波光电导衰减方法,研究磷吸杂、热氧化以及氮化硅钝化后快速热退火等工艺对物理冶金法制备的UMG硅片少子寿命的影响。实验发现:磷吸杂可有效改善冶金法硅片的少子寿命,其优化的条件是950℃处理4h;经热氧化处理后,少子寿命有所下降;氮化硅钝化后快速热退火处理可提高少子寿命,其优化的条件为800℃退火30s。
潘淼郑兰花武智平罗学涛陈文辉李锦堂陈朝
关键词:少子寿命热氧化
一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法
一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法,涉及太阳能电池。提供一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法。将P型多晶硅片清洗后,再以三氯氧磷为源扩磷,然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层,得扩磷后的多晶硅片;在扩磷后...
陈朝杨倩潘淼庞爱锁何发林李艳华武智平郑兰花罗学涛
冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法
冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法,涉及一种太阳能电池。提供一种可采用较低纯度(5~6N)的硅材料,大幅度降低生产成本的冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法。将待处理的冶金法多晶硅片通磷源进行磷吸杂处理并去除吸杂层;将进行磷吸...
陈朝潘淼庞爱锁武智平郑兰花罗学涛
共1页<1>
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