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陈长军

作品数:5 被引量:1H指数:1
供职机构:天津理工大学更多>>
发文基金:天津市科技计划国家自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇存储器
  • 2篇电阻
  • 2篇树突
  • 2篇偏压
  • 2篇金属
  • 2篇活泼
  • 2篇活泼金属
  • 2篇反向偏压
  • 2篇CU
  • 2篇存储密度
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电子注入
  • 1篇氧化钛
  • 1篇优化设计
  • 1篇受性
  • 1篇随机存储器
  • 1篇耐受
  • 1篇耐受性
  • 1篇光学

机构

  • 5篇天津理工大学

作者

  • 5篇陈长军
  • 4篇周立伟
  • 3篇赵金石
  • 3篇邵兴隆
  • 2篇马辰铭
  • 2篇吕联荣
  • 2篇蒋浩
  • 1篇王建云
  • 1篇张楷亮
  • 1篇陈然

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇物理学报

年份

  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种多阻态阻变存储器
一种多阻态阻变存储器,以Ti/Si为基底,由惰性金属底电极层、电阻转变层和活泼金属顶电极层依次叠加组成的基于金属氧化物材料的MIM类三明治结构;给活泼金属顶电极层施加正向电压,在电场作用下电阻转变层内部形成树突状导电丝以...
赵金石邵兴隆马辰铭周立伟陈长军
文献传递
基于氧化钛基阻变存储器耐受性的研究以及优化
随着科技的发展以及便携式设备的普及,针对存储器及其相关技术的研究正在以低功耗、高集成度和读写速度等作为目标而快速发展。但是由于漏电流和尺寸之间存在着不可调和的矛盾,使得目前普遍使用的Flash存储器工艺达到技术节点。在这...
陈长军
关键词:氧化钛耐受性电学特性电子注入优化设计
文献传递
一种多阻态阻变存储器
一种多阻态阻变存储器,以Ti/Si为基底,由惰性金属底电极层、电阻转变层和活泼金属顶电极层依次叠加组成的基于金属氧化物材料的MIM类三明治结构;给活泼金属顶电极层施加正向电压,在电场作用下电阻转变层内部形成树突状导电丝以...
赵金石邵兴隆马辰铭周立伟陈长军
文献传递
Cu/TiOx/Al阻变存储器激活过程的研究
2015年
为了拓展光电器件在存储领域的应用以及更深入地了解阻变机理,研究了Cu/TiOx/Al电阻式随机存储器(RRAM)的激活(forming)过程,其中TiOx为透明薄膜。利用磁控反应溅射方法,通过改变O2分压制备出具有高折射率(在可见光区域平均值约2.23)和低消光系数(在可见光区域平均值约0.004 2)的透明TiOx薄膜。通过构建Cu/TiOx/Al三明治结构验证了透明TiOx薄膜的阻变存储特性。在阻变过程中,通过调节forming电压和电流,实现了透明TiOx薄膜的阶段性forming。对不同forming阶段的I-V拟合,进一步探索透明TiOx薄膜forming过程的电子传输方式。结果表明,随着forming的发展,透明器件的传输机理发生明显改变,由肖特基发射(SE)转变为FN隧穿,直接隧穿,到最后的欧姆传输,最终实现完整的forming。揭示了TiOx薄膜应用于可见光波段光电存储器件的可行性。
陈长军宗庆猛蒋浩周立伟吕联荣
关键词:光学
基于Cu/SiO_x/Al结构的阻变存储器多值特性及机理的研究被引量:1
2014年
采用氧化硅材料构建了Cu/SiOx/Al的三明治结构阻变存储器件.用半导体参数分析仪对其阻变特性进行测量,结果表明其具有明显的阻变特性,并且通过调节限制电流,得到了四个稳定的阻态,各相邻阻态的电阻比大于10,并且具有良好的数据保持能力.在不同温度条件下对各个阻态进行电学测试及拟合,明确了不同阻态的电子传输机理不尽相同:阻态1和阻态2为欧姆传导机制,阻态3为P-F(Pool-Frenkel)发射机制,阻态4为肖特基发射机制.根据电子传输机制,建立了铜细丝导电模型并对Cu/SiOx/Al阻变存储器件各个阻态的电致阻变机制进行解释.
陈然周立伟王建云陈长军邵兴隆蒋浩张楷亮吕联荣赵金石
关键词:SIOX薄膜
共1页<1>
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