顾长志
- 作品数：314 被引量：233H指数：9
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
- 金属微尖生长碳纳米管的变温场发射研究被引量：1
- 2007年
- 考察了温度变化对生长在金属针尖上的碳纳米管场发射的影响,发现碳纳米管场发射电流随温度升高而增大,场发射电流的稳定性基本没有变化,但是其温度依赖性随金属衬底不同而有明显的差异.这可能是来自碳纳米管的不均匀性以及碳纳米管与衬底界面接触势垒随温度变化的影响.
- 郭大勃元光宋翠华顾长志王强
- 关键词：场发射碳纳米管温度特性
- 一种小周期阵列结构的制备方法
- 本发明公开了一种小周期阵列结构的制备方法，涉及二维微纳器件技术领域。所述制备方法用于在衬底上制备小周期阵列结构，包括：步骤一，在衬底上旋涂光刻胶；步骤二，在光刻胶上采用电子束光刻工艺扫描曝光图形，得到光刻胶图形，其中，所...
- 顾长志潘如豪李俊杰刘哲唐成春杨海方
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- 一种三维集成超表面器件、其制备方法及应用
- 本发明公开了一种实现交叉极化光的空间和波长的分离的三维集成超表面器件，所述三维集成超表面器件包括自上而下依次设置的衬底、金属反射层、双曲超表面层、透明隔离层和滤波超表面层。还提供了该三维集成超表面器件的制备方法和应用。本...
- 顾长志胡莎潘如豪全保刚李俊杰
- 文献传递
- 直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片及其制备方法
- 本发明提供了一种直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片的制备方法，所述方法使用四控温区水平管式炉，所述方法包括以下步骤：1)第一控温区放置硫，第二控温区放置碘化亚锡作为反应源，然后在第四控温区放置衬底；2)对所述四控温区水平管式...
- 唐成春贾宪生李俊杰顾长志金爱子
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- 光学曝光方法及其用于制备硅材料竖直中空结构的方法
- 本发明提供一种用于形成微纳空穴结构的光学曝光方法，包括以下步骤：1)选取具有掩膜图形的掩膜板，所述掩膜图形为能通过光照产生泊松亮斑的几何实心图形或其阵列；2)将掩膜板设置于待曝光的正光刻胶的上方进行曝光，其中图形阴影部分...
- 顾长志田士兵李俊杰夏晓翔杨海方
- 基于铁磁金属纳米点接触结构的全金属逻辑电路被引量：1
- 2008年
- 电流在铁磁金属中可以用来驱动磁畴壁,从而可以进行信息的读写.然而,具体如何在器件中实现并不清楚.文章作者利用纳米加工技术制作出铁磁金属纳米点接触结构和逻辑电路,并对纳米结构中畴壁的输运性质和逻辑电路特性进行了研究.发现了铁磁纳米点接触结构在电流驱动下存在的高阻态及低阻态,通过设计不同形状的点接触结构,用电学测量方法验证了畴壁在自旋极化电流作用下的移动方向与电流方向的关系.并基于电流控制点接触电阻变化的结果,制作出能够实现逻辑"非"功能的全金属逻辑电路,实现了电路的电信号驱动和利用电信号的检测功能.
- 杨海方徐鹏唐令李俊杰夏钶顾长志
- 具有光子导向性的单光子源的制备方法
- 本发明提供一种具有光子导向性的单光子源的制备方法，包括：在金刚石块材中定位色心的位置；使用多组环形离子束图案组，在金刚石块材表面刻蚀出以色心为球心的半球形表面，在每组环形离子束图案组中，各环形离子束图案的环心错开，各环形...
- 李无瑕姜倩晴顾长志
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- 一种调控石墨烯带隙方法
- 本发明提供了一种调控石墨烯带隙方法，属于光电子技术领域，根据本发明提供的调控石墨烯带隙方法制备的石墨烯条带器件，能够在较宽的宽度下能有效的打开石墨烯的带隙；通过在石墨烯条带上制备单排孔阵列结构，且制备的石墨烯条带结构为多...
- 顾长志张慧珍杨海方唐成春李俊杰
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- 一种磁性材料逻辑电路及制作方法
- 本发明涉及一种磁性材料纳米结构逻辑电路，包括在在衬底上沉积磁性金属层，并刻蚀出电路布线、输入输出信号的电极及引入工作电压的电极；在电路布线中设置磁性金属纳米点接触结构和与之配合的参考电阻，其参考电阻用金属纳米线表述，并且...
- 顾长志徐鹏夏柯杨海方李俊杰
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- 微流体芯片中的癌症生物物理研究被引量：2
- 2014年
- 文章从生物物理的新角度出发,介绍了如何利用微流体技术研究癌症的一系列重大问题,其中包括:构建三维微型结构体,用于在体外模拟和研究肿瘤细胞侵袭组织的细胞生物行为;开发新型微流体芯片,以检测血液中循环肿瘤细胞,并分析将其应用于临床中的可能性。文章还展望了飞秒激光三维直写技术构建肿瘤细胞转移模型的应用前景。
- 容晓晖顾长志刘雳宇
- 关键词：生物物理癌症微流体细胞行为
