杨海方
- 作品数：99 被引量：38H指数：4
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 三维微纳弯折结构及利用电子束制备其的方法
- 本发明涉及三维微纳弯折结构及利用电子束制备其的方法。根据一示例性实施例，一种制备三维弯折结构的方法可包括：制备叠层结构，所述叠层结构至少包括第一层和在所述第一层上的第二层，所述叠层结构具有支承在衬底上的主体部分和从所述主...
- 顾长志郑睿瑄潘如豪杨海方金爱子李俊杰
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- 石墨烯圆环中的Aharonov-Bohm效应被引量：1
- 2011年
- 我们用微加工方法制备了直径为1μm的单层石墨烯Aharonov-Bohm(AB)干涉环器件,在0.3K的低温和0.3T的磁场条件下对其电子输运性质进行了测量,看到了随磁场近似等间距的AB干涉振荡,说明石墨烯在0.3K时相位相干长度达到了μm尺度.我们对AB振荡的实验曲线进行了分析处理,发现其振荡周期与理论计算吻合得很好.
- 马丽谭振兵谭长玲杨海方刘广同杨昌黎吕力
- 关键词：石墨烯AHARONOV-BOHM效应
- 一种硼掺杂金刚石超导材料的制备方法
- 本发明涉及一种硼掺杂金刚石超导材料的制备方法，包括以下步骤：采用传统的合成硼掺杂金刚石膜工艺对内腔体预处理，干净的衬底放到预处理完毕的内腔中的衬底托上，采用传统热灯丝化学气相沉积方法进行沉积金刚石膜过渡层，沉积生长条件：...
- 顾长志王宗利路超罗强李俊杰金爱子杨海方
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- 石墨烯表面性质的尺寸效应
- 石墨烯是2004年实验证实可以在室温以上稳定存在的单原子层厚度的二维理想材料，层与层之间以较弱的范德瓦尔斯力结合。本文介绍了石墨烯表面性质的尺寸效应。
- 周海青邱彩玉刘政杨怀超胡丽君刘基杨海方顾长志孙连峰
- 关键词：石墨烯表面性质尺寸效应
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- 石墨烯纳米电子器件及其制备方法
- 本发明公开了一种石墨烯纳米电子器件及其制备方法，包括：S1、提供上表面为绝缘介质材料的衬底；S2、在上表面上形成连续且基本上覆盖衬底的整个上表面的石墨烯层；S3、在石墨烯层上形成各个金属电极；S4、在石墨烯层上覆盖抗蚀剂...
- 唐成春顾长志杨海方李俊杰金爱子姜倩晴
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- 一种具有金属硅化物纳米结构的材料及其制作方法
- 本发明涉及一种具有金属硅化物纳米结构的材料和制备方法，该材料包括在SOI衬底上制作的金属硅化物纳米结构；该SOI基片的绝缘介质层厚度为100-1000纳米，硅薄膜的厚度为50-500纳米。该制备方法包括将SOI衬底经过清...
- 罗强王强顾长志金爱子李俊杰杨海方
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- 单根一维纳米材料的测试电极及其制作方法
- 2005年
- 编号：0506206 该发明专利是一种单根一维纳米材料的测试电极及制备方法。
- 杨海方刘立伟金爱子
- 关键词：一维纳米材料制作方法电极
- 三维悬空环栅结构半导体场效应晶体管器件的制备方法及其产品
- 本发明提供了一种制备三维悬空环栅结构半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法及其产品，其包括步骤：利用微纳加工技术对半导体材料进行表面处理和制备模型结构；对制备好的三维结构利用微纳加工技术进行栅介质层沉积；悬空环栅电...
- 顾长志孙驰杨海方金爱子李俊杰
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- 热处理对Pr<,5>Si<,4>-Pr<,5>Ge<,4>赝二元体系晶体结构及相关系的影响
- 本文利用X射线粉末衍射及Rietveld精修技术对Pr<,5>Si<,4>-Pr<,5>Ge<,4>赝二元体系室温及高温(1273K)热处理后晶体结构及相关系进行了研究.研究结果表明:室温下该二元体系存在三个结构不同的单...
- 杨海方饶光辉刘广耀欧阳钟文刘卫芳冯晓梅陈景然梁敬魁
- 关键词：稀土合金晶体结构X射线衍射相关系
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- 磁性金属纳米结构的畴壁特性与磁逻辑电路构筑被引量：1
- 2011年
- 自旋电子学由于其丰富的物理内涵和广泛的应用前景受到学术界和工业界的高度重视,成为近年来凝聚态物理和信息技术领域关注的焦点。本文介绍了利用磁性金属纳米结构实现作为自旋电子器件基础的自旋注入的方法,特别涉及利用铁磁金属纳米点接触结构钉扎磁畴的特点,研究自旋极化电流与磁畴壁的相互作用规律,理解纳米结构中畴壁的动力学行为,并以此为基础构筑结构简单、性能优异的全金属磁逻辑电路,从而实现了由电信号驱动,通过电信号检测,并与CMOS技术兼容的目的。
- 顾长志徐鹏姚宗妮姜倩晴杨海方李俊杰夏钶
