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魏楠

作品数：11 被引量：6H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 6篇纳米
  • 5篇光电
  • 4篇碳纳米管
  • 4篇碳纳米管薄膜
  • 4篇纳米管
  • 4篇红外
  • 3篇探测器
  • 3篇沟道
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 2篇芯片
  • 2篇纳米材料
  • 2篇静电放电
  • 2篇互联
  • 2篇光程
  • 2篇红外成像
  • 2篇红外光
  • 2篇红外光电探测...
  • 2篇防静电
  • 2篇半导体

机构

  • 10篇北京大学
  • 4篇北京元芯碳基...
  • 3篇北京华碳元芯...
  • 1篇教育部
  • 1篇北京华碳科技...

作者

  • 11篇魏楠
  • 7篇王胜
  • 5篇彭练矛
  • 4篇刘旸
  • 2篇梁爽
  • 1篇张德辉
  • 1篇李子珅
  • 1篇许海涛
  • 1篇於菪珉

传媒

  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇物理化学学报

年份

  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
二极管及其制备方法
本公开提供了一种基底；至少一个第一电极，第一电极形成于基底之上；至少一个第二电极，第二电极形成于基底之上，且与第一电极间隔开；以及半导体沟道层，至少设置在第一电极和第二电极之间，其中，沟道层形成有第一类型掺杂区和第二类型...
魏楠张新玥司佳王颖彭练矛
一种红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种红外光电探测器及其制备方法。本发明的探测器包括一衬底，在该衬底上依次为光学微腔的下反射镜、下光程差补偿层、上光程差补偿层、光学微腔的上反射镜，所述光学微腔内有作为吸光材料和导电通道的半导体碳纳米材料光电器...
梁爽王胜魏楠彭练矛
文献传递
基于量子点-碳纳米管的红外成像探测器及其制备方法
本发明公开一种基于量子点-碳纳米管的红外成像探测器及其制备方法。该红外成像探测器包括：衬底；若干一维半导体性碳纳米管或者半导体性碳纳米管薄膜条带，位于所述衬底上；形成电子和空穴欧姆接触的非对称接触电极，包含若干第一电极和...
刘旸王胜魏楠彭练矛
文献传递
低噪声、宽谱响应的碳纳米管薄膜-石墨烯复合光探测器被引量：1
2016年
采用高纯半导体碳纳米管薄膜和石墨烯构建复合结构光探测器,研究其光电响应特性。结果表明,在光照下,顶层石墨烯中的光生载流子通过碳纳米管与石墨烯之间薄的非晶硅层,隧穿至底层的碳纳米管薄膜中,在非晶硅层两侧分别富集电子和空穴,形成光致栅压(Photogating),有效地改变了碳纳米管薄膜晶体管的电流。器件在可见光(633 nm)条件下得到响应度为83 m A/W,并在近红外波段范围内仍保持好的光响应特性。由于石墨烯具有宽谱光吸收特性,半导体碳纳米管薄膜晶体管具有小的暗电流,碳纳米管–石墨烯复合光探测器发挥了两种材料的优势,为今后高性能宽谱光电探测器的制备奠定了基础。
李子珅刘旸许海涛魏楠於菪珉王胜
关键词：碳纳米管石墨烯光电探测器
基于一维半导体纳米材料的光电颜色传感器及其制备方法
本发明提供一种基于一维半导体纳米材料的光电颜色传感器及其制备方法。该光电颜色传感器包含至少两个光谱响应特性不同的传感器单元，传感器单元以一维半导体纳米材料作为吸光材料和导电通道；一维半导体纳米材料两端是两个不同种金属材料...
彭练矛王胜魏楠
文献传递
源测量单元和源测量测试系统
本公开提供了一种源测量单元和源测量测试系统。本公开实施例的源测量单元可以包括：控制模块、数模转换模块、信号放大转换模块、模数转换模块和稳压模块。本公开实施例的源测量单元，在满足器件基本特性测试要求的同时，采用小型化、模块...
魏楠于浩天张宇燕高云飞
一种芯片座
本实用新型公开了一种芯片座，包括基板，碳基芯片和防静电元件，上述基板上固定连接有电极和引脚，上述碳基芯片固定于基板的第一表面且与上述电极连接，上述芯片的构成包括沟道层、电极或互联的晶体管，上述防静电元件固定于上述基板第一...
魏楠刘振许海涛
一种红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种红外光电探测器及其制备方法。本发明的探测器包括一衬底，在该衬底上依次为光学微腔的下反射镜、下光程差补偿层、上光程差补偿层、光学微腔的上反射镜，所述光学微腔内有作为吸光材料和导电通道的半导体碳纳米材料光电器...
梁爽王胜魏楠彭练矛
文献传递
一种防静电芯片座
本发明公开了一种防静电芯片座，包括固定于带有电极和引脚的基板上的新材料芯片和防静电元件，所述新材料芯片固定于所述基板的第一表面且与所述电极连接，所述防静电元件固定于所述基板第一或第二表面且与所述电极连接，所述电极与所述引...
魏楠刘振许海涛
自组装半导体碳纳米管薄膜的光电特性被引量：5
2014年
采用自组装的方法制备99%高纯度半导体碳纳米管平行阵列条带,以金属钯和钪为非对称接触电极制备碳纳米管(CNT)薄膜晶体管(TFTs)器件.主要研究不同沟道长度碳纳米管薄膜晶体管器件的电输运特性和红外光电响应特性,分析了其中的载流子输运和光生载流子分离的物理机制.我们发现薄膜晶体管器件的电学性能和光电性能依赖于器件沟道长度(L)和碳纳米管的平均长度(LCNT).当沟道长度小于碳纳米管的平均长度时,器件开关比最低;当沟道长度超过碳纳米管平均长度时,随着沟道长度的增加,器件开关比增加,光电流减小.相关研究结果为高纯碳纳米管薄膜晶体管器件在红外光探测器方面的进一步应用提供参考依据.
赵青靓刘旸魏楠王胜
关键词：碳纳米管自组装光电响应沟道长度薄膜晶体管
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