彭练矛
- 作品数：162 被引量：112H指数：6
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 碳纳米管三维鳍状场效应晶体管及其制备方法
- 本发明提供了一种碳纳米管三维鳍状场效应晶体管及其制备方法，该方法将碳纳米管平行阵列材料自组装在三维鳍状绝缘衬底表面，有效增加了单位器件宽度上碳纳米管的数目，从而显著增大了碳纳米管晶体管器件的驱动电流。与常规平面碳纳米管器...
- 邱晨光张盼盼张志勇彭练矛
- 文献传递
- 二维半导体晶体管的自对准图形化方法和二维半导体晶体管
- 本发明提供了一种二维半导体晶体管的自对准图形化方法和二维半导体晶体管，该方法包括如下步骤：提供基底；在基底上形成半导体材料层；在半导体材料层上形成栅极结构；形成赝栅极侧墙，包围栅极结构的侧壁；对二维半导体材料层的表面进行...
- 姜建峰邱晨光彭练矛
- 一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法
- 本发明提出一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，是利用当碳纳米管与金属接触时，半导体性碳纳米管会形成肖特基势垒，而金属性碳纳米管则不会，故半导体性碳纳米管接触形成的电阻更大，造成同样电压下半导体性碳纳米管电流比金属...
- 仲东来张志勇彭练矛王胜
- 文献传递
- 一种基于半导体纳米材料的CMOS电路及其制备
- 本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能CMOS电路的制备和集成的方法。本发明的CMOS电路中的p型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子...
- 彭练矛梁学磊陈清张志勇王胜胡又凡姚昆
- 文献传递
- 一种改进的控制流差错检测和恢复机制研究
- 2015年
- 运行于处理器上的进程如果在运行期间发生暂态故障,有可能导致严重的系统故障或安全漏洞。因此,必须在对系统造成损害前检测并尽量纠正这些差错。现有的差错检测方法虽然潜在性能优异,但是成本极高,因此无法在实践中部署。为了解决这一问题,提出了一种基于硬件的控制流监控技术。该技术首先从程序二进制接口提取出程序的合法控制流图,计算出CRC签名,对合法的控制流图进行编码;然后,当程序在处理器上运行时,使用预先计算好的签名来检验程序的运行期间控制流。该技术的控制流差错检测覆盖率可达99.98%,且可快速纠正差错,提高了控制流暂态差错的容错性。它对主处理器的性能开销极低(1%左右),面积成本也比较小(<6%)。给出的控制流运行期间监控技术经过扩展后,可以高效地监控并检测出处理器上正在运行的指令的各种暂态差错。
- 程艳艳彭练矛
- 关键词：处理器控制流开销
- 碳纳米管室温单电子器件的构建和特性测量被引量：2
- 2002年
- 利用传统微加工与纳米组装技术构建出了金属颗粒调制的复合碳纳米管场效应及单电子器件 .电子输运性能测量结果表明这类复合碳纳米管电子器件具有一些不同于一般碳纳米单电子器件的独特性能 ,特别是可在室温下实现单电子特性 .
- 彭练矛陈清梁学磊车仁超夏洋薛增泉吴全德
- 关键词：碳纳米管室温单电子器件纳米电子学纳米电子器件
- 提高碳纳米管阴极发射效率的方法
- 本发明提供一种提高碳纳米管阴极发射效率的方法，属于碳纳米管应用领域。该方法利用石墨片边缘结构可提高碳纳米管阴极发射效率，通过在单根碳纳米管、碳纳米管阵列或碳纳米管薄膜中通大电流使其断裂或高压放电的处理方法使碳管断口出现石...
- 彭练矛王鸣生王晶云陈清
- 文献传递
- 一种二维有机钙钛矿锂离子电池电极及其制备方法
- 本发明涉及一种二维有机钙钛矿锂离子电池电极及其制备方法。该锂离子电池电极包含二维有机钙钛矿材料或准二维有机钙钛矿材料。该制备方法包括：1)称取二维或准二维钙钛矿材料、导电剂和粘结剂；2)继续称取分散剂溶液，将步骤1)称取...
- 孙文涛孔华周欢萍彭练矛
- 文献传递
- 一种氧化锌纳米线阵列的制备方法
- 本发明公开了一种氧化锌纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料制备领域。本发明制备方法通过在弱碱性电解液中以金属锌作为阳极，以惰性电极作为阴极进行阳极氧化；阳极氧化后，对阳极获得的锌盐纳米线阵列进行高温退火处理而制备氧化锌纳米...
- 胡柱东陈清彭练矛
- 文献传递
- 高性能石墨烯霍尔传感器被引量：7
- 2017年
- 本文回顾了石墨烯霍尔传感器的相关研究工作.通过改善石墨烯生长转移和霍尔元件的微加工工艺,石墨烯霍尔元件和霍尔集成电路都展示出超越传统霍尔传感器的优异性能.石墨烯霍尔元件的灵敏度、分辨率、线性度和温度稳定性等重要指标都优于传统商用霍尔元件.通过开发一套钝化工艺,霍尔元件的稳定性有了明显提升.结合石墨烯材料的特点,展示了石墨烯在柔性磁传感和多功能传感领域的新颖应用.此外,成功实现了石墨烯/硅互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)混合霍尔集成电路,并进行了应用展示.通过发展一套低温加工工艺(不超过180℃),将石墨烯霍尔元件制备在硅基CMOS芯片的钝化层上,从而与硅基CMOS电路实现了单片集成.本文的研究结果表明石墨烯在霍尔磁探测方向拥有重大的性能优势,在产业化应用中有巨大发展潜力.
- 黄乐张志勇彭练矛
- 关键词：石墨烯霍尔传感器霍尔元件
