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邱晨光

作品数：17 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 11篇晶体管
  • 7篇自对准
  • 4篇栅结构
  • 4篇金属
  • 4篇掺杂
  • 4篇场效应
  • 3篇栅介质
  • 3篇隧穿
  • 3篇自对准工艺
  • 3篇半金属
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇电极
  • 2篇原子
  • 2篇双栅
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇碳纳米管晶体...
  • 2篇铁电
  • 2篇驱动电流
  • 2篇自组装
  • 2篇纳米

机构

  • 17篇北京大学
  • 3篇湘潭大学
  • 3篇北京华碳元芯...
  • 1篇北京元芯碳基...

作者

  • 17篇邱晨光
  • 11篇彭练矛
  • 5篇张志勇
  • 2篇张盼盼
  • 1篇徐慧龙

传媒

  • 1篇物理

年份

  • 7篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2012
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于SoC的无掺杂半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种用于片上系统(SoC)的无掺杂半导体器件及其制作方法，其集成单个或多个平面场效应晶体管(FET)或其列阵和单个或多个平面存储器件或其阵列，其中平面场效应晶体管和平面存储器件是具有一无掺杂半导体沟道材料层的...
安西琳邱晨光徐琳
文献传递
自对准二维半导体轻掺杂漏制备方法及二维半导体晶体管
本发明提供了二维半导体晶体管的轻掺杂漏(LDD)的制备方法及二维半导体晶体管，该方法包括：提供基底；形成半导体材料层；形成栅结构；进行第一次表面改性处理；形成第一固态活性源金属层和第一常规金属层；进行第一次退火处理，得到...
姜建峰邱晨光彭练矛
碳纳米管三维鳍状场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种碳纳米管三维鳍状场效应晶体管及其制备方法，该方法将碳纳米管平行阵列材料自组装在三维鳍状绝缘衬底表面，有效增加了单位器件宽度上碳纳米管的数目，从而显著增大了碳纳米管晶体管器件的驱动电流。与常规平面碳纳米管器...
邱晨光张盼盼张志勇彭练矛
文献传递
二维半导体晶体管的自对准图形化方法和二维半导体晶体管
本发明提供了一种二维半导体晶体管的自对准图形化方法和二维半导体晶体管，该方法包括如下步骤：提供基底；在基底上形成半导体材料层；在半导体材料层上形成栅极结构；形成赝栅极侧墙，包围栅极结构的侧壁；对二维半导体材料层的表面进行...
姜建峰邱晨光彭练矛
一种铁电超晶格多值存储器件及其制作方法
本发明公开了一种铁电超晶格多值存储器及其制作方法，包括一衬底，在衬底上具有源极、漏极以及由源极和漏极组成的栅窗口；在栅窗口中具有铁电超晶格结构，铁电超晶格结构由多层铁电层和沟道层组成，源极和漏极与铁电超晶格结构为端式接触...
段瑞斌邱晨光
具有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及制备方法
本发明提供了一种具有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，该二维硒化铟半金属/金属材料包括：含有钇原子的二维硒化铟，所述二维硒化铟半金属/金属材料的微观结构如下：硒化铟中掺杂有金属钇原子，硒化铟的一部分铟原...
姜建峰邱晨光彭练矛
高集成度选通忆阻器及其制备方法
本发明涉及一种高集成度选通忆阻器及其制备方法，属于微电子器件技术领域，该选通忆阻器包括一MOSFET晶体管和一铁电隧道结，MOSFET晶体管和铁电隧道结均包括第一共用电极、第二共用电极、共用半导体层、第一石墨烯层和第二石...
段瑞斌邱晨光孟德欢
一种具有自对准反馈栅的晶体管及其制备方法
本发明公开了一种具有自对准反馈栅结构的薄膜晶体管及制备方法。该方法通过在常规栅结构后进行赝侧墙层制备，用赝侧墙层作为自对准掩膜来实现对反馈栅介质层和反馈栅金属层的图形化，最后清洗掉赝侧墙层，并进行源漏金属电极的制备，源漏...
邱晨光张志勇彭练矛
文献传递
一种反馈式两端熔丝存储单元及其制备方法
本发明公开了一种反馈式两端熔丝存储单元及其制备方法。本发明的反馈式两端熔丝存储单元在传统的两端熔丝基础上，增加一个垂直的金属栅，并将栅极做在漏极一侧与漏极电连接，在漏端施加一个电压后，会同时产生一个横向的电压VDS和垂直...
李雪娉邱晨光彭练矛
高开关比的自对准双栅小带隙半导体晶体管及制备方法
本发明公开了一种高开关比的自对准双栅小带隙半导体晶体管及制备方法。该结构利用将漏端偏压反馈到辅栅，从而在漏端附近形成一个被钳位的方形势垒，使得大偏压下工作时能很好的抑制漏端少子反向隧穿，故能在保持无掺杂小带隙半导体顶栅器...
邱晨光张志勇彭练矛
文献传递
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