徐慧龙
- 作品数：13 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种石墨烯霍尔集成电路及其制备方法
- 本发明公开了一种石墨烯霍尔集成电路及其制备方法。本结构包括一硅基CMOS电路芯片、一石墨烯霍尔元件，芯片的核心电路区外围设有若干互连电极和压焊电极，芯片表面除互连电极、压焊电极之外的区域上方覆盖一钝化层，互连电极、压焊电...
- 徐慧龙张志勇彭练矛王胜
- 文献传递
- 石墨烯霍尔元件被引量：2
- 2014年
- 回顾了石墨烯霍尔元件的现状,并展望了其应用前景.石墨烯霍尔元件能够充分发挥石墨烯材料迁移率高和单原子薄层等优势,规避其没有带隙或者小带隙的缺陷,其主要的性能包括灵敏度、线性度、分辨率、温度稳定性等都超过了基于传统半导体材料的霍尔元件,而且制备工艺简单,容易得到高性能的石墨烯磁敏传感器.基于化学气相沉积(CVD)生长并转移到绝缘基底上的石墨烯材料,批量制备出高质量性能均匀的石墨烯霍尔元件.通过低温的器件加工工艺,将石墨烯霍尔元件集成到硅基互补性金属氧化物半导体(CMOS)电路中,实现了高性能混合霍尔集成电路,展示了石墨烯霍尔元件与硅基CMOS集成电路良好的工艺兼容性.
- 张怡玲陈冰炎黄乐徐慧龙张志勇彭练矛
- 关键词：石墨烯传感器霍尔元件迁移率集成电路
- 一种石墨烯霍尔集成电路及其制备方法
- 本发明公开了一种石墨烯霍尔集成电路及其制备方法。本结构包括一硅基CMOS电路芯片、一石墨烯霍尔元件，芯片的核心电路区外围设有若干互连电极和压焊电极，芯片表面除互连电极、压焊电极之外的区域上方覆盖一钝化层，互连电极、压焊电...
- 徐慧龙张志勇彭练矛王胜
- 文献传递
- 一种制备石墨烯器件的方法
- 本发明公开了一种制备石墨烯器件的方法。该方法在对石墨烯材料进行光学光刻后，通过氯苯和除胶剂AR 300-70化学处理消除光刻工艺过程对石墨烯性能的影响，并可以对石墨烯的狄拉克点和沟道电阻进行调控。本发明工艺简单，可以批量...
- 石润伯徐慧龙张志勇彭练矛王胜
- 文献传递
- 一种石墨烯霍尔元件的封装结构及封装方法
- 本发明公开了一种石墨烯霍尔元件的封装结构及封装方法。本结构包括一石墨烯霍尔元件，所述石墨烯霍尔元件包括石墨烯层，石墨烯层包括石墨烯沟道以及与石墨烯沟道端口一体的接触电极接触端，接触电极接触端上表面设有接触电极，位于所述接...
- 徐慧龙石润伯张志勇彭练矛王胜
- 文献传递
- 一种霍尔元件及其制备方法
- 本发明公开了一种霍尔元件及其制备方法，该霍尔元件的有源区采用石墨烯材料，一对激励电极与石墨烯沟道两端接触提供电流源或者电压源，一对霍尔电极与石墨烯沟道两侧接触用于测试霍尔电压。本发明中的霍尔元件具有高的灵敏度、非常优异的...
- 张志勇徐慧龙彭练矛刘洪刚王胜
- 文献传递
- 基于石墨烯的霍尔集成电路及其制备方法
- 本发明公开了一种基于石墨烯的霍尔集成电路及其制备方法。该霍尔集成电路包括霍尔元件和对霍尔元件输出的霍尔电压信号进行放大的放大器，霍尔元件和放大器中的场效应晶体管都采用石墨烯作为沟道材料，在制备工艺上具有很好的兼容性。而且...
- 徐慧龙张志勇彭练矛王胜
- 石墨烯的量子电容被引量：1
- 2012年
- 量子电容在半导体纳米材料和器件中是一个日趋重要的参数,测量和提取石墨烯的量子电容,不仅可以得到石墨烯的重要物理性质,而且对石墨烯晶体管的尺寸缩减行为具有重要指导意义.文章中采用简单工艺在石墨烯上制备出均匀超薄的高质量Y2O3栅介质,其等效栅氧厚度(EOT)可缩减至1.5nm,通过控制栅介质厚度的变化,精确测量并提取了石墨烯量子电容,其电容值在远离狄拉克点时与理论计算相符合;在此基础上,文章作者提出了基于电势涨落的量子电容微观模型,通过采用单一参数——电势涨落δV,可以定量地描述Dirac点附近的量子电容行为,从而在全能量范围内实现对石墨烯量子电容测量值的完美拟合,并得到了石墨烯的相关重要参数.进而,作者从量子电容的角度,探索了石墨烯晶体管的性能极限,并比较其相对于Ⅲ-Ⅴ族场效应晶体管的潜在优势.
- 邱晨光徐慧龙张志勇彭练矛
- 关键词：石墨烯Y2O3
- 石墨烯的量子电容及其限制的晶体管纵向缩减极限
- 张志勇徐慧龙王振兴彭练矛
- 关键词：石墨烯场效应晶体管栅介质
- 一种制备石墨烯器件的方法
- 本发明公开了一种制备石墨烯器件的方法。该方法在对石墨烯材料进行光学光刻后，通过氯苯和除胶剂AR 300-70化学处理消除光刻工艺过程对石墨烯性能的影响，并可以对石墨烯的狄拉克点和沟道电阻进行调控。本发明工艺简单，可以批量...
- 石润伯徐慧龙张志勇彭练矛王胜
- 文献传递
